等平面铝阳极氧化在LSI双层布线中的应用
作者机构：八七一厂
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：1983年第5期
页 面：34-40+22页
主 题：布线 等平面 阳极氧化电流 铝阳极氧化 阳极氧化过程 电解液 氧化膜 刻蚀工艺 LSI
摘 要：集成电路芯片上各元件之间的互连接线,是经过蒸发以形成覆盖芯片表面氧化物的金属膜,再通过刻蚀形成的。对中小规模集成电路来说,由于元件少,连线简单,只需要单层布线。随着集成电路向大规模、高集成度和微细尺寸的发展,为避免集成电路中各元件间连线交叉重迭和迂回曲折,双层乃至多层金属布线便成为一项必不可少的工艺手段。由于采用多层布线技术,必然在集成电路表面形成金属连线和绝缘层的多层立体几何结构。若仍采用常规刻蚀工艺,势必由于表面凹凸不平使连线断裂或接触不良,导致电路失效。因此,如何制备平坦连续的表面,便成为双层布线的一个关
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