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磁性随机存储器的研究进展

大学物理 2009年第12期28卷 36-38页

作者：卡马勒.托克达尔汗拜山.沙德克新疆大学物理科学与技术学院新疆乌鲁木齐830046

通过分析磁性随机存储器(MRAM)的基本原理,及其与现有的静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)和快闪存储器(Flash)的性能比较,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.

关键词：巨磁电阻隧道磁电阻磁隧道结磁性随机存储器

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磁性随机存储器的发展及其缓存应用

中国集成电路 2021年第6期30卷 38-44,84页

作者：常亮赵鑫邓翔龙姜钰婕杨思琪周军电子科技大学中国矿业大学

随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非易失等特性,成为了后摩尔时代解决静态功耗作为工作存储器的有... 详细信息

随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非易失等特性,成为了后摩尔时代解决静态功耗作为工作存储器的有力竞争者。基于此,本文介绍了MRAM的特性,调研了近三年的MRAM芯片研究成果,重点阐述了MRAM应用于处理器中多级缓存的情况。最后,本文提出了基于非易失存储器的评估工具,实现对缓存性能的评估。

关键词：低功耗非易失存储器磁性随机存储器缓存性能评估

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磁性随机存储器推出

军民两用技术与产品 2006年第8期 15-15页

作者：计世

美国Freescale公司推出首款商品化磁性随机存储器产品，可以适用于众多新应用，包括网络、数据存储、汽车部件以及IT安全。该公司是业界首家推出高速、非易失MRAM（磁性随机存储）技术的公司，并已经开始批量生产采用这项技术的产品。

关键词：磁性随机存储器 Freescale公司数据存储 IT安全汽车部件 MRAM 批量生产商品化产品技术

提高电脑效率德美联合开发出新型磁性随机存储器

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自动化博览 2003年第4期 99-99页

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新型磁性随机存储器问世

电子世界 2003年第8期 79-79页

提高电脑效率德美联合开发出新型磁性随机存储器

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自动化博览 2003年第4期20卷 95-95页

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抗辐照MRAM研究进展

国防科技大学学报 2023年第6期45卷 174-195页

作者：孙杰杰王超李嘉威姜传鹏曹凯华施辉张有光赵巍胜北京航空航天大学集成电路科学与工程学院北京100191 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191

新型非易失磁性随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有读写速度快、数据保持时间长、功耗低等优点,引起了研究人员的广泛关注。其优异的抗辐照能力被人们深入挖掘,有望进一步应用于航天等领域。本文回顾了MRAM的产业化发... 详细信息

新型非易失磁性随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有读写速度快、数据保持时间长、功耗低等优点,引起了研究人员的广泛关注。其优异的抗辐照能力被人们深入挖掘,有望进一步应用于航天等领域。本文回顾了MRAM的产业化发展历程、技术变革及应用情况,列举了近年成熟的MRAM产品,对不同的代际MRAM的优缺点进行了剖析;对MRAM核心存储单元——磁隧道结(magnetic tunnel junction,MTJ)和外围基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)的读写电路的辐射效应分别进行了探讨;总结了近年来MRAM抗辐照加固设计方面的最新成果;对抗辐照MRAM在航空航天领域甚至核能领域的发展前景进行了展望。

关键词：磁性随机存储器磁隧道结辐照电离总剂量单粒子效应

菱形NiFe薄膜单元的自发磁化及剩磁状态的研究

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固体电子学研究与进展 2007年第1期27卷 24-27,31页

作者：汤如俊张万里张文旭彭斌电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析... 详细信息

利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器(MRAM)存储单元时的要求。

关键词： NiFe薄膜菱形微磁学模拟磁性随机存储器

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微细矩形磁性薄膜体系中一致转动磁化模式

物理学报 2003年第11期52卷 2901-2905页

作者：彭子龙王伟宁朱涛韩秀峰詹文山中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室北京100080

针对经过刻蚀的微细矩形磁性体系 ,将样品的形状及其磁晶易磁化轴的偏转两个因素引入经典的Stoner Wohl farth一致转动磁化模型中 ,发现磁性样品的微细化将使其特征星形线发生膨胀 ,而样品形状的缺陷及磁晶易磁化轴的偏转都将导致样品... 详细信息

针对经过刻蚀的微细矩形磁性体系 ,将样品的形状及其磁晶易磁化轴的偏转两个因素引入经典的Stoner Wohl farth一致转动磁化模型中 ,发现磁性样品的微细化将使其特征星形线发生膨胀 ,而样品形状的缺陷及磁晶易磁化轴的偏转都将导致样品非对称特征星形线的产生 .这些结果说明在诸如磁性随机存储器等基于微细磁性薄膜的工作中 ,薄膜形状及其磁晶易磁化轴的角度不容忽略 .

关键词：磁性薄膜磁化模式 Stoner-Wohlfarth模型各向异性特征星形线磁化轴磁性随机存储器退磁因子