抗辐照MRAM研究进展

作     者：孙杰杰 王超 李嘉威 姜传鹏 曹凯华 施辉 张有光 赵巍胜 SUN Jiejie;WANG Chao;LI Jiawei;JIANG Chuanpeng;CAO Kaihua;SHI Hui;ZHANG Youguang;ZHAO Weisheng

作者机构：北京航空航天大学集成电路科学与工程学院北京100191 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191 

出 版 物：《国防科技大学学报》 (Journal of National University of Defense Technology)

年 卷 期：2023年第45卷第6期

页      面：174-195页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(62001014 92164206) 

主　　题：磁性随机存储器 磁隧道结 辐照 电离总剂量 单粒子效应 

摘      要：新型非易失磁性随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有读写速度快、数据保持时间长、功耗低等优点,引起了研究人员的广泛关注。其优异的抗辐照能力被人们深入挖掘,有望进一步应用于航天等领域。本文回顾了MRAM的产业化发展历程、技术变革及应用情况,列举了近年成熟的MRAM产品,对不同的代际MRAM的优缺点进行了剖析;对MRAM核心存储单元——磁隧道结(magnetic tunnel junction,MTJ)和外围基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)的读写电路的辐射效应分别进行了探讨;总结了近年来MRAM抗辐照加固设计方面的最新成果;对抗辐照MRAM在航空航天领域甚至核能领域的发展前景进行了展望。