检索结果-南通市图书馆

作者：任雯西安工业大学

学位级别：硕士

表面传导电子发射显示器（Surface-conduction Electron-emitter Display,简称SED）较传统的平板显示器具有很多的优势。它是属于场致发射显示器件（FED）的一种,采用平面制作工艺,克服了传统FED所存在的均匀性和稳定性;成本要比LCD和PD... 详细信息

表面传导电子发射显示器（Surface-conduction Electron-emitter Display,简称SED）较传统的平板显示器具有很多的优势。它是属于场致发射显示器件（FED）的一种,采用平面制作工艺,克服了传统FED所存在的均匀性和稳定性;成本要比LCD和PDP低,且具有CRT的高画质优点,所以吸引了更多的学者研究及开发商的兴趣。本论文使用磁控溅射方法制作碳钛颗粒膜作为SED的电子发射材料,研究表面电子发射特性。主要内容包括三方面：碳钛颗粒膜工艺研究;原型器件制备;原型器件进行电子发射性能研究以及表面电子发射机理分析。经过反复试验,优化各个工艺参数,以及器件的电子发射性能,得出以下结果： ①研究改变磁控溅射靶基距、靶材中碳钛成分比例、工作气压对碳钛颗粒膜特性的影响。实验结果表明,在靶基距为40mm时薄膜均匀性最佳,达到了90%;薄膜随靶材中钛比例的增加沉积速率增加;随着工作气压的增大,沉积速率出现峰值,峰值沉积速率达到2.02nm/s;另外靶材中较高的钛含量,明显导致颗粒膜电阻率下降。 ②使用SEM、EDS和XPS对颗粒膜的形貌、元素成分以及键合结构进行表征。结果表明薄膜表面光滑平整;在靶材C：Ti比为1：3,靶基距40mm,测量颗粒膜中Ti和C成分比在105左右;XPS结果表明所沉积的颗粒膜,其主要成分含有Ti和C。其中C元素部分形成C-C键,部分形成Ti-C键;Ti元素部分和C键合,部分以单质的形式存在薄膜中。 ③研究了原型器件的图形化工艺,优化了光刻的工艺参数。结果表明甩胶低速时间和速度为15s和1000r/min,高速时间和速度为50s和3000/min时,光刻胶均匀性较好;前烘时间和温度分别为10min和105℃,光刻曝光时间为60s,显影时间为34s,后烘时间和温度为15min和105℃的条件下,能够形成边缘清晰且没有杂质的图形。 ④研究不同碳钛比例和不同器件结构对电子发射的影响,经过电形成得到了所必须的纳米级缝隙结构,探测到稳定发射电流。试验结果发现在靶材碳钛比例为3：1时,探测到最大发射电流为7.6gA,发射效率达到1‰;在电极间距宽度为100μm,发射材料最窄宽度为5μm时,发射体材料更容易出现纳米缝隙,更易产生稳定的发射电流。 ⑤结合场发射的F-N理论,可以获得线性的曲线,表明电子发射是由场发射产生的。

关键词：表面传导电子发射显示碳钛颗粒膜电子发射特性纳米缝隙

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碳钛颗粒膜电子发射特性研究

碳钛颗粒膜电子发射特性研究

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中国光学学会2011年学术大会

作者：任雯梁海锋蔡长龙西安工业大学光电学院

本文介绍了碳钛颗粒膜应用于表面传导电子发射显示器中的电子发射特性。在试验中,使用磁控溅射沉积碳钛颗粒膜,并且改变其工作气压,碳钛比及功率进行研究,获得了25个样品,进行膜厚,电阻率及组分比的测试。碳钛颗粒膜使用磁控溅射在距离1... 详细信息

本文介绍了碳钛颗粒膜应用于表面传导电子发射显示器中的电子发射特性。在试验中,使用磁控溅射沉积碳钛颗粒膜,并且改变其工作气压,碳钛比及功率进行研究,获得了25个样品,进行膜厚,电阻率及组分比的测试。碳钛颗粒膜使用磁控溅射在距离10um的两电极间沉积了不同的厚度。经过电形成后,碳钛颗粒膜出现了表面传导电子发射显示器所需的微纳米结构。在阳极电压和器件电压的作用下,可以观察到稳定和均匀的电子发射。根据F-N所得的I e V f特性曲线显示电子发射器件是场发射。

关键词：碳钛颗粒膜表面传导电子发射场发射

来源： cnki会议评论

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碳钛颗粒膜表面电子发射特性

引用

表面技术 2012年第3期41卷 22-25页

作者：任雯梁海锋蔡长龙西安工业大学光电学院西安710032

采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件。在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化;进一步升高器件电压幅值,伏安... 详细信息

采用磁控溅射技术沉积碳钛颗粒膜,应用图形化工艺制作基于碳钛颗粒膜的表面电子发射原型器件。在幅值渐增的三角波电压作用下,器件在电压幅值低于17V时,伏安特性呈明显的线性特性,对应的薄膜表面没有变化;进一步升高器件电压幅值,伏安特性呈明显的负阻特性,同时可以观测到表面电子发射,表面电子发射最大达到7.2μA,发射效率达到了0.094 3%,薄膜表面失色,产生明显的孔洞结构。根据F-N理论拟合器件电压和发射电流,所得Ie-Vf特性曲线呈直线,表明发射电子源于场致电子发射。

关键词：碳钛颗粒膜表面传导电子发射伏安特性场致发射

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颗粒膜厚度对表面传导电子发射的影响

引用

强激光与粒子束 2013年第2期25卷 513-516页

作者：盛蕾梁海锋蔡长龙西安工业大学光电学院西安710032

制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32V,在... 详细信息

制备了不同厚度下的C-Ti颗粒膜用作表面传导电子发射的阴极发射薄膜,研究了不同颗粒膜厚度对电子发射特性的影响。将所制备阴极器件加载不同电压幅值下的等幅三角波,对器件进行电形成,结果表明:颗粒膜厚度为69nm的器件开启电压为32V,在33V时具有最大发射效率;颗粒膜厚度为855nm的器件开启电压为15V,在23V时发射效率最高;颗粒膜厚度为69nm的器件所形成的电压范围和电子发射效率都明显高于颗粒膜厚度为855nm的器件。

关键词：碳钛颗粒膜表面传导电子发射薄膜厚度电子发射率

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