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硅片自旋转磨削损伤深度的试验研究

金刚石与磨料磨具工程 2008年第4期28卷 47-51页

作者：张银霞李延民郜伟康仁科郑州大学机械工程学院河南郑州450001 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116024

基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,采用角度抛光法和分步蚀刻法检测了树脂结合剂金刚石砂轮磨削硅片的损伤深度,利用方差分析法研究了砂轮粒度、工作台转速、砂轮进给率和砂轮转速等磨削参数对硅片损伤深度的影响规律。结果表明:磨... 详细信息

基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,采用角度抛光法和分步蚀刻法检测了树脂结合剂金刚石砂轮磨削硅片的损伤深度,利用方差分析法研究了砂轮粒度、工作台转速、砂轮进给率和砂轮转速等磨削参数对硅片损伤深度的影响规律。结果表明:磨削参数对硅片损伤深度的影响程度由大到小依次为砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速。当砂轮的磨粒尺寸从40μm减小到4μm时,硅片的损伤深度从16.4μm逐渐减小至0.8μm。在一定的范围内,当其它磨削参数不变时,硅片的损伤深度随着砂轮进给率的增大而增大,随着砂轮转速的增大而减小,随着工作台转速的增大而减小。

关键词：硅片金刚石砂轮磨削损伤深度

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硅片清洗及最新发展

中国稀土学报 2003年第Z1期21卷 144-149页

作者：刘红艳万关良闫志瑞北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司北京100088

对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,... 详细信息

对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用HF清洗或简化常规工艺后最后用HF清洗等最新的硅片清洗技术,指出了硅片清洗工艺的发展趋势。

关键词：硅片硅片清洗硅片表面微观状态

测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究

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稀有金属 2009年第6期33卷 884-888页

作者：孙燕李莉孙媛李婧璐李俊峰徐继平北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司北京100088

随着大规模集成电路的快速发展,硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法,并将它们分成三类,简单阐述了每一类测试方法的测试原理,影响测试结果的因素,从实际应用的角度... 详细信息

随着大规模集成电路的快速发展,硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法,并将它们分成三类,简单阐述了每一类测试方法的测试原理,影响测试结果的因素,从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析,并对这三类测试方法进行了比较。最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系。

关键词：表面微粗糙度测量硅片

利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒

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电子器件 2005年第2期28卷 283-285页

作者：李薇薇刘玉岭檀柏梅周建伟王娟河北工业大学微电子研究所天津300130

甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高。抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ-电势。表面活性剂具有润湿作用,能够降低表面张力,可以控制颗粒在硅片表面的吸附状态。实验证实在清洗... 详细信息

甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高。抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ-电势。表面活性剂具有润湿作用,能够降低表面张力,可以控制颗粒在硅片表面的吸附状态。实验证实在清洗液中加入适当的表面活性剂能够达到较好的去除颗粒的效果,实现工业应用。

关键词： ULSI 硅片吸附颗粒活性剂

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硅片的磨削加工技术概述

仪表技术与传感器 1993年第1期 18-20页

作者：姚华沈阳仪器仪表工艺研究所

叙述了薄硅片的磨削与研磨工艺和非接触抛光工艺以及各工艺参数对硅片光洁度与平面度的影响。

关键词：硅片磨削工艺研磨

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硅片表面状态与机械强度

稀有金属 1995年第4期19卷 312-315页

作者：谢书银石志仪中南工业大学

硅片表面状态与机械强度谢书银，石志仪（中南工业大学４１００８３）关键词：硅片，化学腐蚀，表面损伤，抗弯强度，表面处理（一）前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎，尤其是当硅片较薄时，破碎问题相... 详细信息

硅片表面状态与机械强度谢书银，石志仪（中南工业大学４１００８３）关键词：硅片，化学腐蚀，表面损伤，抗弯强度，表面处理（一）前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎，尤其是当硅片较薄时，破碎问题相当严重。发生破碎的原因除与硅片内在...

关键词：硅片腐蚀损伤抗弯强度半导体器件

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温度梯度诱导的液滴热毛细迁移特性

微纳电子技术 2022年第12期59卷 1320-1329页

作者：康学良贾志海潘桂暖丁胡苇航上海理工大学能源与动力工程学院上海200093

以硅片为基底,以不同体积比的乙醇和丙酮混合物为介质,对温度梯度激励下液滴的热毛细迁移特性进行了研究。分析了液滴在迁移过程中的高度、湿接触直径、接触角以及迁移速度的变化特征,并通过改变温度梯度、液滴体积和表面张力等参数探... 详细信息

以硅片为基底,以不同体积比的乙醇和丙酮混合物为介质,对温度梯度激励下液滴的热毛细迁移特性进行了研究。分析了液滴在迁移过程中的高度、湿接触直径、接触角以及迁移速度的变化特征,并通过改变温度梯度、液滴体积和表面张力等参数探讨了这些因素对液滴迁移速度的影响。结果表明:在一定的温度梯度下,一定体积的液滴会发生由高温区域向低温区域的定向迁移,当温度梯度达到1.23时,乙醇液滴的最大迁移速度达到35 mm/s,且迁移速度随时间呈逐渐减小的趋势。随着温度梯度和液滴体积的增大,液滴的迁移速度逐渐增大,但是当液滴体积超过10μL时,继续增大液滴体积,液滴的迁移速度变化不再明显。此外,随着表面张力增大,液滴的迁移速度减小,表面张力每增大0.1 mN/m,液滴的迁移速度降低约12%。在考虑了液滴迁移过程中体积变化的基础上,采用力学分析方法建立了液滴迁移的理论模型。

关键词：温度梯度液滴表面张力热毛细迁移硅片

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硅片的直接键合

稀有金属 1998年第5期22卷 380-384页

作者：王敬屠海令刘安生张椿周旗钢朱悟新北京有色金属研究总院

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理。

关键词：硅片硅片键合直接键合材料复合

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硅片塑性形变与位错

稀有金属 1998年第3期22卷 208-211页

作者：谢书银袁鹏万关良李励本张锦心中南工业大学应用物理与热能工程系北京有色金属研究总院浙江大学硅材料国家重点实验室

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－... 详细信息

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。

关键词：硅片塑性形变位错热处理