硅片塑性形变与位错

作     者：谢书银 袁鹏 万关良 李励本 张锦心 Xie Shuyin;Yuan Peng;Wan Guanliang;Li Liben;Zhang Jinxin

作者机构：中南工业大学应用物理与热能工程系 北京有色金属研究总院 浙江大学硅材料国家重点实验室 

出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)

年 卷 期：1998年第22卷第3期

页      面：208-211页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：硅材料国家重点实验室基金 

主　　题：硅片 塑性形变 位错 热处理 

摘      要：通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。