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硅片自旋转磨削中基于力的微接触机理

吉林大学学报（工学版） 2018年第3期48卷 796-802页

作者：任庆磊魏昕谢小柱胡伟广东工业大学机电工程学院广州510006

建立了杯型金刚石砂轮稳定延性域磨削过程中砂轮微单元与硅片的微接触力学模型,采用力分解法研究了其自旋转磨削微观作用机理。法向分解分别运用接触力学中的赫兹理论和"空腔模型"理论分析得出硅片上对应弹性和塑性阶段的载荷和应力分... 详细信息

建立了杯型金刚石砂轮稳定延性域磨削过程中砂轮微单元与硅片的微接触力学模型,采用力分解法研究了其自旋转磨削微观作用机理。法向分解分别运用接触力学中的赫兹理论和"空腔模型"理论分析得出硅片上对应弹性和塑性阶段的载荷和应力分布情况,以及砂轮微单元上相应的应力分布情况;切向分解运用微观摩擦学理论分析得出滑动摩擦力以及法、切向合成微接触总应力的情况。分析与试验对比结果证明了本文方法有效,可为硅片自旋转磨削机理研究提供理论支撑。

关键词：机械制造及自动化自旋转磨削微接触硅片砂轮微单元

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化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响

稀有金属 2021年第1期45卷 62-69页

作者：赵江伟宁永铎周旗钢钟耕杭刘斌肖清华北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响。实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着F... 详细信息

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响。实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着Fe离子,而当酸腐蚀硅片表面经过SC-1溶液处理后,表面亲水性增强,附着的Fe离子较多,且难以通过超纯水冲洗去除;随着酸腐蚀硅片表面粗糙度的增大,表面吸附的Fe离子也增多。不同碱腐蚀条件的硅片去除量越小,表面残留的研磨造成的机械损伤层厚度则越大,损伤层厚度较大时,表面吸附的Fe离子也越多,且难以通过超纯水冲洗去除;在90℃下腐蚀40 s的硅片,由于去除量约为4.2μm,研磨过程中造成的表面损伤层沾污没有完全去除,残留在损伤层中的Fe沾污经过改进型RCA清洗后也无法去除,沾污会在退火过程中扩散进入硅片体内。

关键词：硅片 Fe沾污化学腐蚀表面状态

光子重吸收对硅片的光载流子辐射特性影响的理论研究

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物理学报 2019年第4期68卷 259-269页

作者：王谦刘卫国巩蕾王利国李亚清刘蓉西安工业大学光电工程学院西安710021

光载流子辐射技术已广泛应用于半导体材料性能的表征,本文基于一种包含光子重吸收效应的光载流子辐射理论模型,对单晶硅中光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响进行了详细的理论分析.分析结果表明,光子重吸收效应对光载流子辐射信号... 详细信息

光载流子辐射技术已广泛应用于半导体材料性能的表征,本文基于一种包含光子重吸收效应的光载流子辐射理论模型,对单晶硅中光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响进行了详细的理论分析.分析结果表明,光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响主要取决于样品掺杂浓度、过剩载流子浓度和过剩载流子的分布.由于过剩载流子浓度及其分布与材料电子输运特性密切相关,电子输运参数的变化将导致光子重吸收效应的影响随之变化.进一步分析了光子重吸收效应对具有不同电子输运特性的样品的电子输运参数的影响,并提出了减小光子重吸收效应影响的方法.

关键词：光载流子辐射光子重吸收电子输运参数自由载流子吸收硅片

用于硅片切割废液Si和SiC分离旋流器的锥角影响研究

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太阳能学报 2020年第10期41卷 127-135页

作者：华炜杰袁惠新付双成蒋敏杰常州大学机械工程学院常州213164 江苏省绿色过程装备重点实验室(常州大学) 常州213164

根据太阳能硅片切割废砂浆中Si(0.3~5.0μm)和SiC(5~25μm)颗粒细、易团聚以及密度均大于水等特性,利用重介质微型旋流器内强大的超重力场和剪切分散作用来分离Si和SiC。通过CFD软件Fluent 6.3.26数值模拟,探究锥角对重介质微型旋流器... 详细信息

根据太阳能硅片切割废砂浆中Si(0.3~5.0μm)和SiC(5~25μm)颗粒细、易团聚以及密度均大于水等特性,利用重介质微型旋流器内强大的超重力场和剪切分散作用来分离Si和SiC。通过CFD软件Fluent 6.3.26数值模拟,探究锥角对重介质微型旋流器的流场及分离性能的影响,并用试验验证模拟的可靠性。结果表明,旋流器柱段长度一定时,同一截面高度随着锥角的增大,静压力和准自由涡切向速度增大,内旋流轴向速度减小,径向速度增大,湍流强度显著增强,压力降增大,而且锥角为8°时,牛顿分离效率达到最大值86.4%。旋流器长径比一定时,同一截面高度随着锥角的增大,静压力、切向速度和轴向速度均减小,径向速度增大,湍流强度略微增强,压力降缓慢减小,牛顿分离效率随着锥角的增大而减小,锥角8°时的分离效果较好。根据压力降和牛顿效率,定长径比变锥角与定柱段长度变锥角相比可得到更好的性能。

关键词：硅片分离回收计算流体力学微型旋流器锥角

基于小样本数据驱动模型的硅片线切割质量预测

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机床与液压 2024年第1期52卷 66-73页

作者：李博文张宏帅赵华东胡晓亮田增国郑州大学机械与动力工程学院河南郑州450001 麦斯克电子材料股份有限公司河南洛阳471003 郑州大学物理(微电子)学院河南郑州450001

在单晶硅加工中,硅片多线切割质量检测耗时和检测成本高造成硅片质量检测难。因此,提出一种基于生成对抗网络(WGAN-GP)数据处理与自注意力残差网络(SeResNet)的硅片质量预测方法。分析多线切割的机制,确定影响硅片质量的工艺参数,建立... 详细信息

在单晶硅加工中,硅片多线切割质量检测耗时和检测成本高造成硅片质量检测难。因此,提出一种基于生成对抗网络(WGAN-GP)数据处理与自注意力残差网络(SeResNet)的硅片质量预测方法。分析多线切割的机制,确定影响硅片质量的工艺参数,建立数据样本,使用WGAN-GP对样本数据进行数据增强。在此基础上,建立基于SeResNet的硅片总体厚度偏差预测模型。以硅片的多线切割加工过程监控数据为模型验证数据,对构建的硅片总体厚度偏差预测模型进行验证。实验结果表明:该模型具有良好泛化性和高准确率,有效解决了小样本数据下的预测难题,实现了平均相对误差小于10%的硅片总体厚度偏差预测,所以基于数据驱动的硅片质量预测来代替硅片加工中的质量检测具有重要的现实意义。

关键词：硅片线切割总体厚度偏差预测生成对抗网络数据增强

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硅片化学机械抛光技术的研究进展

金刚石与磨料磨具工程 2020年第4期40卷 24-33页

作者：徐嘉慧康仁科董志刚王紫光大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室辽宁大连116024 大连交通大学机械工程学院辽宁大连116028

随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性... 详细信息

随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等。本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述。

关键词：硅片化学机械抛光抛光液抛光垫抛光设备

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基于神经网络的金刚线硅片工艺优化研究

太阳能学报 2018年第9期39卷 2381-2386页

作者：李宁谷书辉陈秋颖任丙彦河北工业大学材料科学与工程学院

使用Tensorflow对金刚线切割过程深度学习，通过对500组样本的训练和预测，得到金刚线切割的神经网络模型。高进给速度（〉1．4mm／min）和高线速（〉1400mm／min）可发挥高颗粒密度（〉100cm^-1）的优势，在提高切割效率的同时获得较... 详细信息

使用Tensorflow对金刚线切割过程深度学习，通过对500组样本的训练和预测，得到金刚线切割的神经网络模型。高进给速度（〉1．4mm／min）和高线速（〉1400mm／min）可发挥高颗粒密度（〉100cm^-1）的优势，在提高切割效率的同时获得较低的总厚度变化（total thickness variation，TTV）。在切割过程中，高颗粒密度的钢线耐磨损能力强，有更大的工艺窗口。将神经网络技术应用到工艺优化方面可直观找到调整参数与实验结果的量化关系，为优化工艺提供一种简便高效的方法。

关键词：硅片人工神经网络工艺优化金刚线切割

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工件旋转法磨削硅片的磨粒切削深度模型

机械工程学报 2016年第17期52卷 86-93页

作者：高尚王紫光康仁科董志刚张璧大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室

半导体器件制造中,工件旋转法磨削是大尺寸硅片正面平坦化加工和背面薄化加工最广泛应用的加工方法。磨粒切削深度是反映磨削条件综合作用的磨削参量,其大小直接影响磨削工件的表面/亚表面质量,研究工件旋转法磨削的磨粒切削深度模型对... 详细信息

半导体器件制造中,工件旋转法磨削是大尺寸硅片正面平坦化加工和背面薄化加工最广泛应用的加工方法。磨粒切削深度是反映磨削条件综合作用的磨削参量,其大小直接影响磨削工件的表面/亚表面质量,研究工件旋转法磨削的磨粒切削深度模型对于实现硅片高效率高质量磨削加工具有重要的指导意义。通过分析工件旋转法磨削过程中砂轮、磨粒和硅片之间的相对运动,建立磨粒切削深度模型,得到磨粒切削深度与砂轮直径和齿宽、加工参数以及工件表面作用位置间的数学关系。根据推导的磨粒切削深度公式,进一步研究工件旋转法磨削硅片时产生的亚表面损伤沿工件半径方向的变化趋势以及加工条件对磨削硅片亚表面损伤的影响规律,并进行试验验证。结果表明,工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿硅片半径方向从边缘到中心逐渐减小,随着砂轮磨粒粒径、砂轮进给速度、工件转速的增大和砂轮转速的减小,加工硅片的亚表面损伤也随之变大,试验结果与模型分析结果一致。

关键词：硅片磨削磨粒切削深度亚表面损伤

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硅片上的“卖房创业者”

法人 2023年第12期 24-26页

作者：李辽《法人》

宋仕强在中国半导体行业小有名气,他笑言,圈子里都知道自己是一名“卖房创业者”——连续卖了自己名下好几套房才支撑他创立了萨科微半导体有限公司(下称“萨科微”)。他曾经是地产行业早期的职业经理人,担任过一家港资上市公司的CEO,... 详细信息

宋仕强在中国半导体行业小有名气,他笑言,圈子里都知道自己是一名“卖房创业者”——连续卖了自己名下好几套房才支撑他创立了萨科微半导体有限公司(下称“萨科微”)。他曾经是地产行业早期的职业经理人,担任过一家港资上市公司的CEO,他对《法人》记者笑谈,创业时未对难度有太大估计:“以前我是在土地上盖房子,现在无非是在硅片上盖房子。”但事实上,“刚开始的五六年,几千万元砸进去,看不到一点水花”。

关键词：职业经理人上市公司半导体行业创业者地产行业港资 CEO 硅片