化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响
Surface Stateof Silicon Waferwith Chemical Etching Processon Fe Contamination作者机构:北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088
出 版 物:《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)
年 卷 期:2021年第45卷第1期
页 面:62-69页
核心收录:
学科分类:08[工学] 0806[工学-冶金工程] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学]
基 金:国家重点研发计划项目(2017YFB0305603) 北京市顺义区科技三项费项目(KS201824)资助。
摘 要:利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响。实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着Fe离子,而当酸腐蚀硅片表面经过SC-1溶液处理后,表面亲水性增强,附着的Fe离子较多,且难以通过超纯水冲洗去除;随着酸腐蚀硅片表面粗糙度的增大,表面吸附的Fe离子也增多。不同碱腐蚀条件的硅片去除量越小,表面残留的研磨造成的机械损伤层厚度则越大,损伤层厚度较大时,表面吸附的Fe离子也越多,且难以通过超纯水冲洗去除;在90℃下腐蚀40 s的硅片,由于去除量约为4.2μm,研磨过程中造成的表面损伤层沾污没有完全去除,残留在损伤层中的Fe沾污经过改进型RCA清洗后也无法去除,沾污会在退火过程中扩散进入硅片体内。