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圆偏振光场中电离速率的研究

哈尔滨工业大学学报 2001年第5期33卷 602-605页

作者：陈建新王骐陈德应哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室黑龙江哈尔滨150001

以Keldysh -Faisal-Reiss(KFR)的电离速率理论为基础 ,采用Yukawa函数 ,对氦原子和氙原子的电子能谱进行了计算 ,并将理论计算结果与实验结果进行了比较和分析 .结果表明 ,对于强场中稀有气体电离的电子能谱 ,此理论能够给出很好的解释... 详细信息

以Keldysh -Faisal-Reiss(KFR)的电离速率理论为基础 ,采用Yukawa函数 ,对氦原子和氙原子的电子能谱进行了计算 ,并将理论计算结果与实验结果进行了比较和分析 .结果表明 ,对于强场中稀有气体电离的电子能谱 ,此理论能够给出很好的解释和估计 ;同时对 10Hz、140fs、5 0mJ、795nm的掺钛蓝宝石激光系统驱动的圆偏振场电离 I0 =3× 10 16W /cm2 时的氪的电子能谱进行了理论计算 ,为研究基于光场感生电离的电子碰撞机制的类镍氪系统的实验奠定理论基础 .

关键词：电离速率电子能谱阈值光强圆偏振光场原子电子碰撞

划痕缺陷对熔融石英光诱导损伤特性的影响分析

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物理学报 2021年第13期70卷 89-96页

作者：刘娅丽戚磊郑梦珂张蓉竹四川大学电子信息学院成都610065

激光辐照光学材料时,经后表面反射的部分光束与入射光束干涉,在材料内部形成驻波场.若材料表面存在缺陷,缺陷会对入射光进行调制,导致材料内驻波场分布不再均匀,局部区域光强增大.为分析光学材料的场损伤特性,建立了一个划痕缺陷影响下... 详细信息

激光辐照光学材料时,经后表面反射的部分光束与入射光束干涉,在材料内部形成驻波场.若材料表面存在缺陷,缺陷会对入射光进行调制,导致材料内驻波场分布不再均匀,局部区域光强增大.为分析光学材料的场损伤特性,建立了一个划痕缺陷影响下的光学材料损伤分析模型.从电子增值理论出发,分析了划痕数量及其所在位置对材料驻波场和损伤特性的影响,并针对熔融石英材料进行了具体计算.结果表明,在入射光场不变的前提下,随着划痕数量增加,对光场的调制作用增强,材料内部驻波场的最大场强增大,熔融石英损伤阈值降低.相对亚表面和后表面划痕缺陷而言,材料上表面的缺陷对光场具有最大的调制作用,因此更容易导致材料损伤.

关键词：表面划痕驻波场电离速率损伤阈值

基于OFI椭圆偏振光场等离子体中电离电子能量分布的研究

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物理学报 2002年第5期51卷 1035-1039页

作者：王骐陈建新夏元钦陈德应哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家重点实验室哈尔滨150001

在准静态隧道电离理论模型和准经典阈上电离理论模型的基础上 ,建立了一个描述基于光场感生电离的椭圆偏振光场电离电子能量分布的简单模型 ,推导出了既易于理解又相对简单适用的描述椭圆偏振光场的电子能量分布函数解析表达式 .利用此... 详细信息

在准静态隧道电离理论模型和准经典阈上电离理论模型的基础上 ,建立了一个描述基于光场感生电离的椭圆偏振光场电离电子能量分布的简单模型 ,推导出了既易于理解又相对简单适用的描述椭圆偏振光场的电子能量分布函数解析表达式 .利用此式数值计算了不同偏振参量下的椭圆偏振光场中类钯氙系统的电子能量分布曲线 ,计算结果表明在相同的激光功率密度下 ,偏振参量对基于OFI电子碰撞机制的X射线辐射强度是有影响的。

关键词：等离子体椭圆偏振光场电子能量分布类钯氙系统电子碰撞机制光场感生电离 OFI 电离速率

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槽型空心阴极放电特性的模拟

高电压技术 2015年第2期41卷 516-522页

作者：何寿杰刘淑敏刘志强董丽芳河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室保定071002

为进一步揭示槽型空心阴极放电的放电机理,利用流体-亚稳态原子传输模型模拟研究了槽型空心阴极放电等离子体参数的时空分布特性。模拟得到了不同时刻槽型空心阴极放电中电势、电子密度、电场场强和电离速率等的分布特性。结果表明槽型... 详细信息

为进一步揭示槽型空心阴极放电的放电机理,利用流体-亚稳态原子传输模型模拟研究了槽型空心阴极放电等离子体参数的时空分布特性。模拟得到了不同时刻槽型空心阴极放电中电势、电子密度、电场场强和电离速率等的分布特性。结果表明槽型空心阴极放电在不同时刻处于不同的放电模式,即初始放电阶段为Townsend放电模式,此阶段以轴向放电为主;第2阶段为放电由槽外向槽内发展阶段,此阶段电场场强由轴向向径向转换;第3阶段为形成空心阴极效应放电模式阶段,此阶段逐渐形成稳定的阴极鞘层结构;第4阶段为稳定放电阶段,放电参数不随时间发生变化。研究结果为进一步分析空心阴极放电的时间发展特性提供了参考。

关键词：槽型空心阴极放电流体-亚稳态原子传输模型电势电子密度电场场强电离速率

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线偏振强光场中的原子电离

哈尔滨工业大学学报 1999年第6期31卷 52-55页

作者：卢兴发陈德应夏元钦张杉杉王骐哈尔滨工业大学光电子技术研究所黑龙江哈尔滨150001

在强场电离的研究中，电离速率是一个重要的参数，其中被广泛引用的ＡＤＫ模型中描述线偏振强光场中原子隧道电离的电离速率公式存在错误，该错误对理论计算结果有一定影响．利用修正前与修正后的ＡＤＫ模型中描述线偏振强光场中原... 详细信息

在强场电离的研究中，电离速率是一个重要的参数，其中被广泛引用的ＡＤＫ模型中描述线偏振强光场中原子隧道电离的电离速率公式存在错误，该错误对理论计算结果有一定影响．利用修正前与修正后的ＡＤＫ模型中描述线偏振强光场中原子隧道电离的电离速率公式，以Ｘｅ原子及其各阶离子为例，对电离速率、阈值光强等参数进行了计算，讨论了公式修正前后对这些参数的理论计算结果的影响，并且利用修正后的公式计算出的阈值光强与相关的实验及理论计算的结果进行了对比，对比结果表明ＡＤＫ模型和ＢＳＩ模型的计算结果与实验结果符合得很好．

关键词：电离速率隧道电离阈值强度