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  • 3 篇 期刊文献

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  • 3 篇 工学
    • 2 篇 机械工程
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    • 1 篇 力学（可授工学、理...
    • 1 篇 仪器科学与技术
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    • 1 篇 电气工程
    • 1 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 化学工程与技术
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 3 篇 电学修正
  • 2 篇 多晶硅纳米薄膜
  • 2 篇 压阻特性
  • 1 篇 电流致重结晶
  • 1 篇 压力传感器
  • 1 篇 薄膜厚度
  • 1 篇 纳米薄膜
  • 1 篇 多晶硅
  • 1 篇 传感器

机构

  • 2 篇 哈尔滨理工大学
  • 1 篇 沈阳工业大学
  • 1 篇 佳木斯大学
  • 1 篇 湖州职业技术学院
  • 1 篇 哈尔滨工业大学

作者

  • 2 篇 陆学斌
  • 2 篇 于斌
  • 1 篇 施长治
  • 1 篇 孙伟
  • 1 篇 揣荣岩
  • 1 篇 崔虹云
  • 1 篇 刘晓为
  • 1 篇 李智

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=电学修正"
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基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器
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传感技术学报 2022年 第10期35卷 1335-1339页
作者： 陆学斌 孙伟 于斌 湖州职业技术学院物流与信息工程学院 浙江湖州313000 湖州职业技术学院建筑工程学院 浙江湖州313000 哈尔滨理工大学计算机科学与技术学院 黑龙江哈尔滨150080
为了进一步提高多晶硅纳米薄膜压力传感器的性能,使用80 nm厚度的多晶硅纳米薄膜作为压力传感器的压敏电阻,设计制作了一款压力传感器。压力传感器制备封装完毕后,利用电学修正技术使多晶硅纳米薄膜压敏电阻更精确地匹配。对压力传感器... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性
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引用
纳米技术与精密工程 2011年 第1期9卷 11-15页
作者： 施长治 崔虹云 刘晓为 揣荣岩 李智 哈尔滨工业大学航天学院 哈尔滨150001 哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室 哈尔滨150001 佳木斯大学理学院 佳木斯154007 沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳110178
为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表... 详细信息
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多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性
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引用
传感技术学报 2020年 第7期33卷 956-960页
作者： 陆学斌 于斌 哈尔滨理工大学软件与微电子学院 黑哈尔滨150080
本文制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,研究了掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性的影响。利用低压化学气相淀积法制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,掺杂浓度分别为1.0×10^20 cm^-3、2.0×10^20 cm^-3、4.1×10^20 cm^-... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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