基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性

作     者：施长治 崔虹云 刘晓为 揣荣岩 李智 SHI Chang-zhi;CUI Hong-yun;LIU Xiao-wei;CHUAI Rong-yan;LI Zhi

作者机构：哈尔滨工业大学航天学院哈尔滨150001 哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150001 佳木斯大学理学院佳木斯154007 沈阳工业大学信息科学与工程学院沈阳110178 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2011年第9卷第1期

页      面：11-15页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 0703[理学-化学] 0811[工学-控制科学与工程] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60776049) 辽宁省科学技术基金资助项目(20072036) 辽宁省教育厅创新团队资助项目(2007T130) 

主　　题：多晶硅 纳米薄膜 电学修正 电流致重结晶 薄膜厚度 

摘      要：为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表明,在薄膜电阻上施加高于阈值的电流,可有效降低电阻值.薄膜厚度的变化改变了薄膜结晶度及晶粒尺寸,从而影响其修正阈值电流密度及修正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位对模型对电学修正现象进行了理论分析,认为该现象是大电流激励产生的焦耳热导致晶界发生逐层重结晶,从而增大载流子迁移率的结果.研究表明,该方法可用于高掺杂多晶硅电阻的封装后调阻.