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聚二乙炔电子特性研究

原子与分子物理学报 2004年第2期21卷 285-290页

作者：杨慧贵州省毕节师专物理系毕节551700

将聚二乙炔主链简化为有限的一维复式碳原子链,利用紧束缚近似,在周期性和非周期性边界条件下,考虑π电子在最近邻的跳跃,计算和分析了不同数目聚二乙炔单体聚合而成的有限一维原子链的能谱和态密度,揭示了聚二乙炔电子结构的基本特点。

关键词：紧束缚近似聚二乙炔电子特性态密度

LPE法在Si衬底上生长SiGe层的方法及电子特性的研究

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Journal of Semiconductors 1996年第12期17卷 886-890页

作者：陈建新邹德恕张时明韩军沈光地北京工业大学电子工程系北京市光电子技术实验室

本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及... 详细信息

本文介绍了在电阻率为（７７～３００）ｋΩ·ｃｍ的ｎ型（１１１）Ｓｉ衬底上用ＬＰＥ法生长高质量Ｓｉ１－ＸＧｅｘ单晶薄层（其厚度一般为１～３μｍ）的生长条件，并对引入的缺陷进行了ＴＥＭ研究，结果表明其缺陷密度和用ＭＢＥ及超高真空ＣＶＤ法生长的同样厚度和组分的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ薄层的缺陷密度相等甚至更低．霍尔迁移率μＨ与温度有μＨ∝Ｔｍ的关系，（在Ｔ＝８０～３００Ｋ时，ｍ＝－０．９５）．当ｘ＞０．８５时，μＨ的测量值和由Ｋｒｉｓｈｎａｍｕｒｔｈｙ计算的理论值相符，ｘ＜０．８５，测量值仅为理论值的７０％．由Ｂｉ杂质引入能级的电子激活能Ｅｎ与Ｇｅ的组分ｘ有关．但在ｘ＝０．８３时有最大值．其值分别为Ｂｉ在Ｓｔ，Ｇｅ体材料中的１／４．这表明用ＬＰＥ生长的ＳｉＧｅ层的电子特性不但与Ｂｉ而且还与ＳｉＧｅ的结构特性有关．

关键词： SiGe LPE法硅外延生长电子特性

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传导电子虚声子交换与准电子特性

低温物理学报 1999年第3期21卷 62-66页

作者：陈丽金光星吉林省延边大学物理系山东临沂师范学院物理系

本文基于ＡｎｄｅｒｓｏｎＨａｍｉｌｔｏｎｉａｎ，考虑电子声子耦合效应，研究了传导电子之间虚声子交换所引起的电子间有效相互作用对准电子特征的影响

关键词：传导电子准电子有效相互作用电子能量虚声子电子特性混合效应

TiC(100)/α-Fe(100)界面稳定性及电子特性的第一性原理研究

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热加工工艺 2022年第2期51卷 65-69,75页

作者：张凤春李元喆唐黎明罗强成都工业学院材料与环境工程学院四川成都611730 西南石油大学理学院四川成都610500

采用第一性原理方法,研究了TiC(100)/Fe(100)界面稳定性和电子特性。建立了4种不同原子堆垛方式的界面模型,采用界面粘附功、界面能和断裂功评价界面稳定性;采用差分电荷密度、Mulliken布居和态密度分析了电子特性。结果表明:Fe原子位于... 详细信息

采用第一性原理方法,研究了TiC(100)/Fe(100)界面稳定性和电子特性。建立了4种不同原子堆垛方式的界面模型,采用界面粘附功、界面能和断裂功评价界面稳定性;采用差分电荷密度、Mulliken布居和态密度分析了电子特性。结果表明:Fe原子位于C原子上方的堆垛模型界面粘附功最大,界面能最小,界面结构最稳定。其界面处Fe、C原子间的键合作用最强,呈强共价键,主要由Fe原子的3d轨道与C原子的2p轨道杂化共轭所贡献。

关键词： TiC(100)/Fe(100)界面界面稳定性电子特性第一性原理

过渡金属(W、Mo、Nb、Fe、Ni)掺杂Cr_2N的结构稳定性及电子特性

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稀有金属与硬质合金 2017年第3期45卷 31-35,55页

作者：黄慧张彩丽何燕孙祺韩培德太原理工大学材料科学与工程学院新材料界面科学与工程教育部重点实验室山西太原030024

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对未掺杂Cr_2N及掺杂过渡金属W、Mo、Nb、Fe、Ni于Cr_2N超晶胞形成的Cr_(23)MN_(12)(M=W,Mo,Nb,Fe,Ni)的结构稳定性及电子特性进行研究。从形成热和结合能来看,W、Mo、Nb、Fe和Ni替换Cr掺杂到Cr_2... 详细信息

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对未掺杂Cr_2N及掺杂过渡金属W、Mo、Nb、Fe、Ni于Cr_2N超晶胞形成的Cr_(23)MN_(12)(M=W,Mo,Nb,Fe,Ni)的结构稳定性及电子特性进行研究。从形成热和结合能来看,W、Mo、Nb、Fe和Ni替换Cr掺杂到Cr_2N超晶胞中均可形成稳定结构Cr_(23)MN_(12)(M=W,Mo,Nb,Fe,Ni)复合氮化物。在所有掺杂元素中,Nb最容易掺杂于Cr_2N中形成Cr_(23)NbN_(12)复合氮化物,而W、Mo掺杂后形成的Cr_(23)WN_(12)、Cr_(23)MoN_(12)具有更高的稳定性,这是W-5d、Mo-4d和N-2p轨道耦合产生的影响。Fe、Ni掺杂后形成的Cr_(23)FeN_(12)和Cr_(23)NiN_(12)复合氮化物稳定性降低,主要是由于N原子中电荷转移给了Fe、Ni,而使得Cr_(23)FeN_(12)和Cr_(23)NiN_(12)复合氮化物电化学活性增强。

关键词： Cr2N合金过渡金属掺杂结构稳定性电子特性第一性原理计算

强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响

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化学研究与应用 2016年第5期28卷 681-687页

作者：邓发明高涛四川民族学院数学系四川康定626001 四川大学原子与分子物理研究所四川成都610065

运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移... 详细信息

运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当T_e>1.5e V以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当T_e在0e V^5e V范围内时,带隙随电子温度升高也增大。T_e超过5.1e V后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强。在T_e=0e V和T_e=8e V处,计算了3C-SiC晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明T_e=0e V时,3C-SiC是一个带有带隙为1.31e V的间接带隙半导体;在T_e=8e V时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态。

关键词： 3C-SiC 电子特性激光照射密度泛函微扰理论

Al_2Be_N(N=1-12)团簇最低能量结构的稳定性和电子特性的密度泛函理论研究

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原子与分子物理学报 2008年第2期25卷 308-312页

作者：姚建刚王献伟井群王渊旭河南大学物理与电子学院计算材料科学研究所开封475004

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311G水平上对Al2BeN(N=1～12)团簇的各种可能构型进行几何结构优化和频率分析,得到了团簇的最低能量结构.并对Al-Be最近邻键长,平均结合能,二阶能量差分,能隙和Al原子的电子位形进行了讨论.结果表... 详细信息

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311G水平上对Al2BeN(N=1～12)团簇的各种可能构型进行几何结构优化和频率分析,得到了团簇的最低能量结构.并对Al-Be最近邻键长,平均结合能,二阶能量差分,能隙和Al原子的电子位形进行了讨论.结果表明:Al原子掺杂对纯Be团簇结构影响不大;Al-Be最近邻键长和团簇的平均结合能随N的增加表现出了不同的变化趋势;Al原子的化合价出现了由一价到三价的变化;N=7是团簇的幻数.

关键词： Al2BeN(N=1~12)团簇最低能量结构稳定性电子特性

若干In2Se3化合物的晶体结构与电子特性

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低温物理学报 2019年第4期41卷 229-240页

作者：汪垒刘惠军教育部人工微结构重点实验室武汉大学物理科学与技术学院

In2Se3是一种常见的A2~ⅢB3~Ⅵ型半导体,在不同温度下可表现出不同的物相,对应的晶格参数与物理性质也会有所不同.在过去几十年间,In2Se3的多相性引起了人们的关注,各物相的晶体结构被广泛地研究.近年来,研究发现α-In2Se3具有优异的光... 详细信息

In2Se3是一种常见的A2~ⅢB3~Ⅵ型半导体,在不同温度下可表现出不同的物相,对应的晶格参数与物理性质也会有所不同.在过去几十年间,In2Se3的多相性引起了人们的关注,各物相的晶体结构被广泛地研究.近年来,研究发现α-In2Se3具有优异的光电、压电性能以及独特的铁电性能,可以预见它将在未来的半导体电子器件中发挥出重要的作用.本文综述了一系列In2Se3化合物的晶体结构与电子特性,我们首先简要介绍了这些In2Se3化合物的基本知识,接着详细讨论了它们的晶体结构与电子特性,最后对In2Se3化合物的研究前景进行了展望.

关键词： In2Se3化合物晶体结构电子特性

强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究

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激光技术 2017年第2期41卷 240-246页

作者：邓发明高涛四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—... 详细信息

为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV^2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV^3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H—SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。

关键词：激光技术电子特性密度泛函微扰理论 4H—SiC 激光照射