强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究

作     者：邓发明 高涛 DENG Faming;GAO Tao

作者机构：四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065 

出 版 物：《激光技术》 (Laser Technology)

年 卷 期：2017年第41卷第2期

页      面：240-246页

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家科技支撑计划资助项目(2014GB111001 2014GB125000) 四川省教育厅自然科学基金重点资助项目(16ZA0363) 

主　　题：激光技术 电子特性 密度泛函微扰理论 4H—SiC 激光照射 

摘      要：为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV^2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV^3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H—SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。