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信号联锁配线“一本图”整合辅助工具研究

铁路通信信号工程技术 2024年第8期21卷 15-20页

作者：姜军何顶邓发明欧平阳中国铁路成都局集团有限公司成都电务段成都610081 中国铁路成都局集团有限公司电务部成都610081 中国铁路成都局集团有限公司达州电务段四川达州635000

铁路信号设计图一般按联锁、自动闭塞、信号集中监测等分册设计。在工程竣工后,需完成配线图的核对和整合,形成“配线一本图”。依靠人工进行配线图核对和整合存在工作效率低、准确率不高等问题。提出一种基于“.NET”、“ObjectArx”... 详细信息

铁路信号设计图一般按联锁、自动闭塞、信号集中监测等分册设计。在工程竣工后,需完成配线图的核对和整合,形成“配线一本图”。依靠人工进行配线图核对和整合存在工作效率低、准确率不高等问题。提出一种基于“.NET”、“ObjectArx”、表格识别逻辑算法等技术,开发AutoCAD插件,实现图纸识别、CAD图元信息识别、CAD表格数据导出、配线图整合和还原等功能,完成全站联锁配线“一本图”整合。该工具完成了普速和高速铁路车站配线“一本图”的整合验证,极大地提高了工作效率和图纸准确性。

关键词：铁路联锁 CAD 配线图整合

强激光照射对2H-SiC晶体电子特性的影响

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物理学报 2015年第22期64卷 348-356页

作者：邓发明四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2H-Si... 详细信息

使用基于密度泛函微扰理论的第一原理赝势法,计算了纤锌矿结构2H-SiC晶体在强激光照射下的电子特性,分析了其能带结构和电子态分布.计算结果表明:2H-SiC平衡晶格参数a和c随电子温度Te的升高逐渐增大;电子温度在0—2.25 eV范围内时,2H-SiC仍然是间接带隙的半导体晶体,当Te超过2.25 eV达到2.5 eV以上时,2H-SiC变为直接带隙的半导体晶体;随着电子温度升高,导带底和价带顶向高能量或低能量方向发生了移动,当电子温度Te大于3.5 eV以后,价带顶穿越费米能级;电子温度Te在0—2.0 eV变化时,带隙随电子温度升高而增大;Te在2.0—3.5 eV范围变化时,带隙随电子温度升高而快速地减少,表明2H-SiC晶体的金属性随电子温度Te的继续升高而增强.在Te=0,5.0 eV处,计算了2H-SiC晶体总的电子态密度和分波态密度.电子结构表明Te=0 eV时,2H-SiC是一个带隙为2.3 eV的半导体;在Te=5.0 eV时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过程,过渡到金属状态.

关键词： 2H-SiC 电子特性激光照射密度泛函微扰理论

强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

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物理学报 2016年第10期65卷 270-278页

作者：邓发明四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体;带隙值随电子温度T_e升高先是增... 详细信息

使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法,模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化.研究结果表明,电子温度T_e在升高到3.89 eV及以上后,6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体;带隙值随电子温度T_e升高先是增大后又快速减小,当电子温度T_e大于4.25 eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性.

关键词： 6H-SiC 电子特性激光照射密度泛函微扰理论

强激光辐照对3C-SiC晶体结构稳定性的影响

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物理学报 2015年第4期64卷 252-258页

作者：邓发明高涛沈艳红龚艳蓉四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

使用基于密度泛函微扰理论的线性响应方法,模拟研究了强激光辐照对闪锌矿结构的碳化硅晶体结构稳定性的影响.通过计算在不同电子温度下3C-SiC晶体的声子色散曲线,发现3C-SiC的横声学声子频率随电子温度的升高会出现虚频,其临界电子温度... 详细信息

使用基于密度泛函微扰理论的线性响应方法,模拟研究了强激光辐照对闪锌矿结构的碳化硅晶体结构稳定性的影响.通过计算在不同电子温度下3C-SiC晶体的声子色散曲线,发现3C-SiC的横声学声子频率随电子温度的升高会出现虚频,其临界电子温度是3.395 eV.结果表明,在强激光辐照下3C-SiC晶体变得不稳定,这与以前对金刚石结构的碳、硅和闪锌矿结构的砷化镓、锑化铟的研究结果非常类似.电子温度在0—4.50 eV范围内时,3C-SiC晶体在Γ点的LO-TO分裂度随电子温度的升高而增大,超过4.50 eV后随电子温度的升高而减小.这表明只有在足够强的激光辐照下,电子激发才会削弱晶体的离子性强度.

关键词： 3C-Si C 晶格稳定性激光辐照密度泛函微扰理论

康定民族师专大学物理实验数据处理系统的设计与实现

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康定民族师专大学物理实验数据处理系统的设计与实现

作者：邓发明电子科技大学

学位级别：硕士

利用计算机技术开发适合康定民族师专大学物理实验教学的数据处理系统,是康定民族师专提高物理实验教学水平、推进我校教育教学改革的重要内容之一。设计的大学物理实验数据处理系统,学生应用该系统能够录入实验数据并按误差理论自动处... 详细信息

利用计算机技术开发适合康定民族师专大学物理实验教学的数据处理系统,是康定民族师专提高物理实验教学水平、推进我校教育教学改革的重要内容之一。设计的大学物理实验数据处理系统,学生应用该系统能够录入实验数据并按误差理论自动处理实验数据、对实验结果自动评价;实验教师应用该系统能够查询学生的实验数据和处理结果。最终达到:提高学生的实验操作兴趣,教师及时地将实验情况返馈给学生,达到提高整个物理实验教学水平的目的。论文中运用了软件工程的软件设计思想,结合康定民族师专大学物理实验教学的具体情况,并利用面对象的程序设计语言Visual FoxPRO6.0,进行物理实验数据处理系统的系统模块设计、数据库设计和代码设计。该系统是一个开放型系统,实验教师根据物理实验教学情况增加实验数据的处理项目。该系统现处于试运行阶段,学生应用康定民族师专大学物理实验数据处理系统处理物理实验数据,能方便快速地、准确的获取实验数据的处理结果,能及时地理解实验,提高了学生对物理实验的兴趣,达到了提高学生实验能力的目的;同时,物理实验教师也能较快地查询学生的实验结果,也能及时地与学生勾通信息,改进实验教学,提高了实验教学效果。

关键词：物理实验数据处理面向对象数据库

强激光下4H—SiC晶体电子特性的第一性原理研究

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激光技术 2017年第2期41卷 240-246页

作者：邓发明高涛四川民族学院数学系康定626001 四川大学原子与分子物理研究所成都610065

为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—... 详细信息

为了研究4H—SiC晶体在强激光辐照下电子特性及其变化,采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势的方法,对纤锌矿4H—SiC晶体在强激光照射下的电子特性的变化进行了理论分析和实验验证。结果表明,电子温度T_e在0eV^2.75eV范围内时,4H—SiC仍然是间接带隙的半导体晶体;当电子温度T_e升高达到并超过3.0eV以上时,4H—SiC变为直接带隙的半导体晶体;电子温度T_e在0eV^2.0eV变化时,带隙值随电子温度升高而增大;电子温度T_e在2.0eV^3.5eV变化时,带隙值随电子温度T_e的升高而迅速地减小;当电子温度T_e高于3.5eV以后,带隙已经消失而呈现出金属特性。该研究对制作4H—SiC晶体特殊功能电子元件是有帮助的。

关键词：激光技术电子特性密度泛函微扰理论 4H—SiC 激光照射

强激光照射对3C-SiC晶体电子特性的影响

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化学研究与应用 2016年第5期28卷 681-687页

作者：邓发明高涛四川民族学院数学系四川康定626001 四川大学原子与分子物理研究所四川成都610065

运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移... 详细信息

运用赝势和密度泛函微扰理论的从头计算方法,对具有闪锌矿结构的3C-SiC晶体在强激光照射下的电子特性进行了研究。发现3C-SiC平衡晶格参数随电子温度T_e的升高在逐渐增大;当T_e在0e V^1.5e V范围内增大时,价带顶和导带底向低能量方向移动;当T_e>1.5e V以后,价带顶和导带底向高能量方向移动;当T_e在0e V^5e V范围内时,带隙随电子温度升高也增大。T_e超过5.1e V后,价带顶穿越费米能级而导致金属性增强。在T_e=0e V和T_e=8e V处,计算了3C-SiC晶体的总电子态密度和分波态密度;电子结构表明T_e=0e V时,3C-SiC是一个带有带隙为1.31e V的间接带隙半导体;在T_e=8e V时,带隙已经消失而呈现出金属特性,表明当电子温度升高时晶体的共价键变弱、金属键增强,晶体经历了一个熔化过渡到金属状态。

关键词： 3C-SiC 电子特性激光照射密度泛函微扰理论

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浅论邓小平新时期军队院校教育思想

重庆通信学院学报 1995年第4期14卷 39-44页

作者：邓发明重庆通信学院政治教研室

邓小平同志新时期军队院校教育思想，是邓小平新时期军事思想的核心内容之一。是新的历史时期加强我军院校建设的根本指针。根据这一思想。邓小平提出军队院校要起到集体干部部的作用，从而深刻阐明了院校教育在新时期的战略地位。新时... 详细信息

邓小平同志新时期军队院校教育思想，是邓小平新时期军事思想的核心内容之一。是新的历史时期加强我军院校建设的根本指针。根据这一思想。邓小平提出军队院校要起到集体干部部的作用，从而深刻阐明了院校教育在新时期的战略地位。新时期军队院校教育，面对当今世界高科技、高技术的发展，应该怎么办?如何培养和造就大批适应现代战争需要的高质量人才，这是现实赋予军校教育的重大历史使命。为了切实贯彻邓小平新时期军事思想，军校教育必须把着眼点放在未来高技术局部战争的需要上，真正培养和造就出一大批具有高度政治觉悟、高昂士气和驾驭现代军事技术的优秀人才。

关键词：新时期邓小平同志根本指针根据干部集体军队院校军事思想核心内容军校

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论民族自尊心和自信心

重庆通信学院学报 1991年第1期10卷 35-40页

作者：邓发明

本文主要走从理论与实践的结合，历史与现实的结合，世界与中国的结合上，深刻阐明了树立坚定的民族自尊心和民族自信心，对干振奋民族精神，努力建设社会主义现代化和国防现代化的极端重要性，迫切性。文章主题鲜明，内容丰富、论据充... 详细信息

本文主要走从理论与实践的结合，历史与现实的结合，世界与中国的结合上，深刻阐明了树立坚定的民族自尊心和民族自信心，对干振奋民族精神，努力建设社会主义现代化和国防现代化的极端重要性，迫切性。文章主题鲜明，内容丰富、论据充分．有较强的感染力扣说服力．

关键词：建设社会主义坚定说服力理论与实践丰富民族自尊心民族精神