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检索条件"主题词=物理性能表征"
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具有可见光响应的ABO3型光催化材料制备、性能表征及污染物降解研究
具有可见光响应的ABO3型光催化材料制备、性能表征及污染物降解研...
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作者： 厉明 南京大学
学位级别：硕士
通过固相烧结的方法,成功制备了AB03型(CdMnO3、NiBO3)半导体氧化物光催化材料。对AB03型(CdMnO3、NiBO3)材料的物理性能、光催化性能进行了表征,确定CdMnO3为三斜晶系,空间群P1,NiBO3为六方晶系,空间群P6,并通过理论公式计算出CdMnO3和... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
废弃竹筷制备碳纤维的实验研究
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引用
河南科技 2017年 第10期36卷 48-51页
作者： 苑海威 尤文卉 樊佳欣 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心 河南郑州450000
本文以废弃竹筷为原材料,利用水热法和碳化相结合的工艺制备出碳纤维,并对得到的碳纤维进行XRD、Raman和FTIR等表征,结果表明,碳纤维主要以无定型碳为主,具有一定的石墨化度,且为纤维结构,表面覆盖大量褶皱,长度可达20—200μm,直径约为... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
ZnGeN2晶体的结构和物性表征
ZnGeN2晶体的结构和物性表征
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引用
2006年全国电子显微学会议
作者： 杜奎 Bekele C Hayman CC Pirouz P Kash K 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 Case Western Reserve University 10900 Euclid AvenueClevelandOH 44106USA
ZnGeN的带隙宽度与 GaN 仅相差100meV,而且其相似的化合物 ZnSiN和 ZnSnN分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN-ZnSiN-ZnSnN合金有潜力形成类似于 GaN-MN-InN 的半导体体系。此外,ZnGeN的晶格常数与 GaN 相差不到百分之一,也有可能... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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