ZnGeN2晶体的结构和物性表征
作者单位：中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 Case Western Reserve University10900 Euclid AvenueClevelandOH 44106USA
会议名称：《2006年全国电子显微学会议》
会议日期：2006年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
关 键 词：ZnGeN2晶体 晶体结构 带隙宽度 溅射沉积 物理性能表征
摘 要：ZnGeN的带隙宽度与 GaN 仅相差100meV,而且其相似的化合物 ZnSiN和 ZnSnN分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN-ZnSiN-ZnSnN合金有潜力形成类似于 GaN-MN-InN 的半导体体系。此外,ZnGeN的晶格常数与 GaN 相差不到百分之一,也有可能作为 GaN 晶体生长的基体。但是,目前对 ZnGeN 晶体生长,结构和物理性能研究的报道较少。早期报道中曾经通过 Zn 与 GeN或者