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文献类型

  • 3 篇 学位论文
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  • 5 篇 电子文献
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  • 5 篇 工学
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    • 1 篇 机械工程
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  • 2 篇 理学
    • 2 篇 物理学

主题

  • 5 篇 热壁cvd
  • 3 篇 异质外延
  • 2 篇 sicge
  • 2 篇 sic
  • 1 篇 沉积室内壁材料
  • 1 篇 显微喇曼光谱学
  • 1 篇 pt薄膜
  • 1 篇 3c-sic
  • 1 篇 sicge/sic
  • 1 篇 外延生长
  • 1 篇 应力测定

机构

  • 3 篇 西安理工大学
  • 1 篇 昆明理工大学
  • 1 篇 北京理工大学
  • 1 篇 ceramicphysicsla...
  • 1 篇 departmentofelec...

作者

  • 1 篇 王玉天
  • 1 篇 pezzottigiuseppe
  • 1 篇 武晋文
  • 1 篇 zhuwen-liang
  • 1 篇 李佳
  • 1 篇 沃立明
  • 1 篇 zhuji-liang
  • 1 篇 于晓东
  • 1 篇 谭成文
  • 1 篇 胡劲
  • 1 篇 李连碧
  • 1 篇 李颖

语言

  • 4 篇 中文
  • 1 篇 英文
检索条件"主题词=热壁CVD"
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排序:
热壁cvd制备铂薄膜的沉积室内材料选择研究
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稀有金属材料与工程 2016年 第2期45卷 445-448页
作者: 李颖 胡劲 武晋文 王玉天 于晓东 谭成文 昆明理工大学 云南昆明650093 北京理工大学 北京100081
选择合适的沉积室内材料是化学气相沉积制备Pt薄膜过程中降低前驱体在沉积室内上大量消耗,进而保证沉积室内Pt前驱体分压的关键。本研究对比了Pt在镍基高温合金,备选沉积室内材料——有氧化层的Cu以及紫铜表面的沉积的难易程... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Micro-Raman Spectroscopy for Stress Evaluation of 3C-SiC Epitaxially Grown on Si Substrate by Hot Wall cvd
收藏 引用
材料处理学报 2004年 第05B期25卷 803-806页
作者: ZHUWen-liang ZHUJi-liang PEZZOTTIGiuseppe CeramicPhysicsLaboratory&ResearchInstituteforNanoscience RINKyotoInstituteofTechnologySakyo-kuMatsugasaki606-8585KyotoJapan DepartmentofElectronicsandInformationScience KyotoInstituteofTechnologySakyo-kuMatsugasaki606-8585KyotoJapan
A series of cubic SiC single crystals were heteroepitaxially grown by the hot-wall chemical vapor deposition (cvd) using a HMDS-C3H8-H2 system on 2 inch silicon substrates with the orientations of (100), (111), (110) ... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
6H-SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜的研究
6H-SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜的研究
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作者: 李佳 西安理工大学
学位级别:硕士
利用SiCGe能隙可在窄于碳化硅能隙的范围内适当剪裁的特点,在SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜,通过调节p-SiCGe中Ge组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度,实现对近红外和可见光的较强吸收,进而制作出高性能的异质结,便会极大促进SiC材料在电... 详细信息
来源: 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
SiC上SiCGe薄膜的制备及其特性分析
SiC上SiCGe薄膜的制备及其特性分析
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作者: 沃立明 西安理工大学
学位级别:硕士
SiC由于禁带较宽,对可见光和近红外光都不敏感,其光电子学应用因而受到极大限制。在SiC上外延生长SiCGe薄膜,通过调节SiCGe中各组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度,实现对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术领域的... 详细信息
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SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理
SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理
收藏 引用
作者: 李连碧 西安理工大学
学位级别:硕士
SiC由于禁带较宽,对可见光和近红外光都不敏感,其光电子学应用因而受到极大限制。在SiC上外延生长SiCGe薄膜,通过调节SiCGe中各组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度,实现对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术... 详细信息
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