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考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型

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Journal of Semiconductors 2004年第10期25卷 1296-1300页

作者：郜锦侠张义门张玉明西安电子科技大学微电子研究所西安710071

在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .

关键词： 6H—SiC PMOSFET 源漏串联电阻解析模型

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碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真

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作者：郜锦侠西安电子科技大学

学位级别：硕士

鉴于CMOS具有十分重要的地位和SiC MOS器件的诱人前景，本文对6H-SiC PMOS器件的基本特性做了较为详细的研究，着重研究了界面态以及源漏寄生电阻对SiC PMOS器件特性的影响。研究了SiC的晶体结构，分析了SiC中杂质的不完全离化现... 详细信息

鉴于CMOS具有十分重要的地位和SiC MOS器件的诱人前景，本文对6H-SiC PMOS器件的基本特性做了较为详细的研究，着重研究了界面态以及源漏寄生电阻对SiC PMOS器件特性的影响。研究了SiC的晶体结构，分析了SiC中杂质的不完全离化现象以及SiC中空穴迁移率的拟和公式;用解一维poisson方程的方法分析了SiC PMOS空间电荷区的电特性;本论文重点分析了界面态分布和源漏串联电阻对SiC PMOS器件特性的影响。提出了一个价带附近的界面态分布模型，用该模型较好地描述了SiC PMOS器件阈值电压随温度的变化关系、C-V特性曲线以及亚阈特性曲线;分析了源漏寄生电阻对SiC PMOS器件输出特性、转移特性以及有效迁移率的影响;论文中用模拟软件Medici模拟了SiC PMOS器件的输出特性和漏击穿特性，分别模拟了室温下和300℃时SiC PMOS器件的输出特性，分析了栅电压、接触电阻、界面态以及其他因素对SiC PMOS击穿特性的影响。以上研究，揭示了SiC PMOSFET中的问题，为进一步的研究奠定了基础。

关键词：碳化硅PMOS器件界面态源漏串联电阻有效迁移率漏击穿

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InGaAs/Al2O3 FinFET的电学特性测量与参数提取

InGaAs/Al2O3 FinFET的电学特性测量与参数提取

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作者：胡耀东复旦大学

学位级别：硕士

随着微电子技术在摩尔定律的不断推动下,器件尺寸不断缩小,平面硅基集成电路中的器件尺寸已经逼近了物理极限。为了按照摩尔定律继续向小尺寸MOSFET迈进,晶体管就必须在材料和结构上有所创新。FinFET有着优异的栅极控制力,而Ⅲ-Ⅴ材料... 详细信息

随着微电子技术在摩尔定律的不断推动下,器件尺寸不断缩小,平面硅基集成电路中的器件尺寸已经逼近了物理极限。为了按照摩尔定律继续向小尺寸MOSFET迈进,晶体管就必须在材料和结构上有所创新。FinFET有着优异的栅极控制力,而Ⅲ-Ⅴ材料具有较大的体迁移率,两者结合有着巨大的发展前景。本文以In0.53Ga0.47As/Al2O3 n-FinFET作为研究对象。论文第一章分别介绍了FinFET口Ⅲ-Ⅴ材料研究的背景和意义。第二章介绍了InGaAs FinFET的器件结构和工艺流程,并描述了MOSFET的电学测量原理和测量设备。第三章测量InGaAs FinFET的变温Ⅰ-Ⅴ特性。计算源漏电阻并校正得到FinFET晶体管本征Ⅰ-Ⅴ特性。第四章描述了多子带准弹道输运模型,提取得到ⅠnGaAs FinFET的电子迁移率协等电学特性。论文的主要结果有：(1)从实验结果计算得到InGaAs/Al2O3 FinFET源漏串联电阻约在300Ω。考虑源漏串联电阻,提出一种用于计算MOS晶体管本征Ⅰ-Ⅴ特性的校正方法。(2)提出了多子能级下FinFET的一维量子电容模型,通过与传统电容模型进行对比,验证得到在纳米尺度下量子效应会降低栅电容。多子带结合准弹道输运模型,推导得到用以描述FinFET在线性区小Vds下的电流方程。(3)计算得到电子迁移率为370cm2/N*s,传输系数τ在0.05-0.06附近。(4)针对InGaAs FinFET迁移率的反常温度特性,提出界面陷阱与氧化层陷阱过高而引入了散射迁移率μCoulomb,从而导致了迁移率随温度升高而升高。

关键词： InGaAs材料源漏串联电阻多栅场效应晶体管准弹道输运模型量子电容电子迁移率

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