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采用源极接地甲类推挽电路的MOS-FET单声道功放

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实用影音技术 2009年第5期 47-56页

作者：从余

半导体功率放大器的输出级一般都采用源极（发射极）跟随器构成。本文介绍的是采用源极接地电路从漏极输出的功率放大器．输出级采用推挽电路工作于甲类，用LED作为稳压器件构成输出级的偏置电路。电压放大部分由运算放大器OPA604组成... 详细信息

半导体功率放大器的输出级一般都采用源极（发射极）跟随器构成。本文介绍的是采用源极接地电路从漏极输出的功率放大器．输出级采用推挽电路工作于甲类，用LED作为稳压器件构成输出级的偏置电路。电压放大部分由运算放大器OPA604组成。电路的构成十分简单，调整容易．放大器输出端的失调电压极小，工作稳定。

关键词：推挽电路接地电路 MOS-FET 单声道功放源极甲类功率放大器 OPA604

英飞凌推出基于PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET

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半导体信息 2020年第1期 7-8页

英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。"源极底置"是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS 25... 详细信息

英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。"源极底置"是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS 25V功率M0SFET。

关键词：功率MOSFET 英飞凌科技电源管理源极行业标准封装股份公司

英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40V装置

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半导体信息 2020年第6期 13-14页

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采... 详细信息

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采用源极底置(SD,Source-Down)PQFN封装,尺寸为3.3mm×3.3mmo这款40V SD MOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing,还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。

关键词：功率MOSFET 英飞凌科技源极 SMPS 电动工具元器件产品电池保护外型尺寸

大屏幕TFT液晶显示器栅极/源极显示驱动解决方案

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中国集成电路 2006年第6期15卷 84-88页

作者：黄臣龙晶门科技(深圳)有限公司

本文首先对TFT液晶显示技术进行了简要的介绍,随后对大屏幕TFT液晶栅极/源极显示驱动技术进行了详细的解析,最后对典型的大屏幕TFT液晶显示系统给出了完整的栅极/源极显示驱动芯片解决方案。

关键词： TFT 栅极大屏幕 LCD 源极液晶显示器显示驱动解决方案

599元的550W电源极冻酷凌冰川GP-PS550BP电源

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微型计算机 2008年第4期28卷 85-85页

极冻酷凌冰川GP—PS550BP足一款标准的ATX12V 2．2版电源，额定功率为550W，最大功率可以达到660W。双路＋12V输出可以分别达到18A，联合输出功率最大不超过400W，足以满足目前中高端平台的需求。接口方面，该电源为用户提洪了2个SATA、... 详细信息

极冻酷凌冰川GP—PS550BP足一款标准的ATX12V 2．2版电源，额定功率为550W，最大功率可以达到660W。双路＋12V输出可以分别达到18A，联合输出功率最大不超过400W，足以满足目前中高端平台的需求。接口方面，该电源为用户提洪了2个SATA、2个6pin以及5个大4pin接口。目前，这款电源的市场报价为599元，比较适合那些整机配置较高，但资金预算有限的玩家。

关键词：电源冰川源极 ATX12V 输出功率额定功率最大功率 SATA

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昂达V900移动电源极简金属风

微型计算机 2015年第1期35卷 77-77页

作者：黄兵

女生通常都比较喜欢小巧玲珑、外型可爱的移动电源，而男生则通常就比较喜欢大气硬朗、极简风格的移动电源。本期带来的这款昂达V900就是一款具有极简金属风格的移动电源，非常适合喜欢极简主义的用户使用。昂达V900采用了银白色的金属... 详细信息

女生通常都比较喜欢小巧玲珑、外型可爱的移动电源，而男生则通常就比较喜欢大气硬朗、极简风格的移动电源。本期带来的这款昂达V900就是一款具有极简金属风格的移动电源，非常适合喜欢极简主义的用户使用。昂达V900采用了银白色的金属外壳，外壳采用Unjbody一体铝材，外壳边缘通过CNC精工切割，并采用磨砂工艺，相比拉丝工艺更具手感。在冬天摸上去略带一丝寒意。V900的外观造型圆润，与小米的5200mAh／10400mAh移动电源外观有异曲同工之处。昂达V900没有设置开关按钮，只需要将充电设备与移动电源连接后即可充电。V900搭配有四级LED电量指示灯，每颗灯代表25％电量，在未充电时，只需摇一摇V900就能知道还剩余多少电量。而在接口方面，V900搭配了一个USB输出接口和一个Micro USB输入接口，输入输出电压均为5V／2A。

关键词：移动电源金属外壳昂达源极拉丝工艺外观造型输出接口输入接口

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蛋氨酸货源极度紧缺

吉林畜牧兽医 2008年第6期29卷 70-70页

1市场总体现状2008年5月22日，国内蛋氨酸市场行情涨势持续，市场货源极度紧缺，近两天，市场上蛋氨酸频出高价，使得市场成交略显混乱，市场上成交价格仍在大幅提升。据悉，由于厂家目前供货有限，经销商拿货困难，使得市场上蛋氨酸的... 详细信息

1市场总体现状2008年5月22日，国内蛋氨酸市场行情涨势持续，市场货源极度紧缺，近两天，市场上蛋氨酸频出高价，使得市场成交略显混乱，市场上成交价格仍在大幅提升。据悉，由于厂家目前供货有限，经销商拿货困难，使得市场上蛋氨酸的货源日益紧张，货源的紧缺是目前蛋氨酸上涨的主要原因。同时国际油价持续高涨，蛋氨酸成本提高，

关键词：蛋氨酸源极市场行情国际油价经销商货源

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云南稀土矿产资源极为丰富

中国粉体工业 2008年第4期 38-38页

师从于中科院院士涂光炽和地球化学研究所研究员胡瑞忠的博士生杨耀民,以一篇高水平的论文“中元古代昆阳群矿床地球化学研究-以武定迤纳厂矿床为例”的研究证明：云南昆阳群是继我国发现内蒙白云鄂博超大型稀土矿床之后的又一稀土矿产... 详细信息

师从于中科院院士涂光炽和地球化学研究所研究员胡瑞忠的博士生杨耀民,以一篇高水平的论文“中元古代昆阳群矿床地球化学研究-以武定迤纳厂矿床为例”的研究证明：云南昆阳群是继我国发现内蒙白云鄂博超大型稀土矿床之后的又一稀土矿产所在地，那里的中元古代地层中同样存在着丰富的稀土矿产资源。这一结论改写了我国南方地区没有同类型稀土矿床的历史。

关键词：稀土矿床矿产资源云南中元古代地层化学研究所源极中科院院士白云鄂博

Infineon IMBF170R1K0M1 1700V SiC MOSFET三相功率转换器解决方案

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世界电子元器件 2022年第10期 46-52页

Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSi^(TM)C1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-2637L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.... 详细信息

Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSi^(TM)C1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-2637L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有非常低的开关损耗,完全可控制d V/dt以适宜EMI优化.

关键词：表面安装器件寄生电感极电压功率转换器漏极源极栅源爬电距离