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低温反应射频溅射生长AIN膜

华中工学院学报 1983年第1期 15-22页

作者：李兴教徐则川何自由李其生苏武大

本文报导了用不加正交磁场的低温反应射频溅射生长C轴择优取向AIN多晶膜的方法,用该法在多种基片(特别是在镀铝玻璃片)上制得了择优取向的AIN多晶膜.文中还报导了用XRD与电镜测试AIN多晶膜的结果.初步分析了取向度和粒度大小与工艺条件... 详细信息

本文报导了用不加正交磁场的低温反应射频溅射生长C轴择优取向AIN多晶膜的方法,用该法在多种基片(特别是在镀铝玻璃片)上制得了择优取向的AIN多晶膜.文中还报导了用XRD与电镜测试AIN多晶膜的结果.初步分析了取向度和粒度大小与工艺条件的关系.

关键词：射频溅射磁场电磁场多晶膜织构择优取向 AIN 低温反应溅射室

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射频溅射超导铌膜的新方法

西北大学学报(自然科学版) 1986年第3期 35-38页

作者：张庭璇王冰西北大学物理系

本文描述了射频溅射超导铌膜的一种新的工艺方法。这种工艺方法的特点是采用了红外预热基片衬底,多次充氩“冲洗”溅射室,静氩状态下溅射和红外退火等一系列工艺流程,并且获得了较满意的效果。

关键词：射频溅射铌膜真空系统靶面溅射室基片衬底

磁控反应溅射中氮分压对含氮钽薄膜结构与性能的影响

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真空科学与技术学报 1987年第1期 60-64页

作者：徐敏生陈国平王化勤南京大学南京工学院

实验研究了平面磁控反应溅射中氮分压PN2与沉积所得的含氮钽薄膜的结晶相结构和薄膜的电阻率ρ、电阻温度系数TCR之间的相互关系。发现随着PN2的增加,结晶相结构的变化依次为β—Ta(四方),α—Ta(体心立方)、Ta2N(六方)和TaN(四方)。在P... 详细信息

实验研究了平面磁控反应溅射中氮分压PN2与沉积所得的含氮钽薄膜的结晶相结构和薄膜的电阻率ρ、电阻温度系数TCR之间的相互关系。发现随着PN2的增加,结晶相结构的变化依次为β—Ta(四方),α—Ta(体心立方)、Ta2N(六方)和TaN(四方)。在PN2=(2.6～5.3)×10-2Pa范围内,TCR—PN2曲线出现平坦区,此时的TCR=-(50～100)ppm/℃,对应的结晶相主要是Ta2N。

关键词：薄膜结构氮分压 TCR 电阻温度系数溅射室二极溅射磁控反应溅射平坦区

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吸气溅射装置

低温物理学报 1980年第4期 268-272页

作者：蒙如玲陈桂玉赵柏儒郭树权李林陈岚峰中国科学院物理研究所冶金部有色金属研究院

我们研制了一台吸气溅射装置,使用普通真空系统.文中介绍了吸气溅射原理及装置的结构.并用溅射Nb;Ge的条件,制备了Nb膜,超导转变温度为8.95K.

关键词：溅射室真空室低压室溅射靶溅射装置超高真空背景真空度基片温度