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Ce_(1-x)Sm_xO_(2-y)缓冲层的化学溶液法制备

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稀有金属材料与工程 2008年第A4期37卷 111-114页

作者：雷和畅朱雪斌宋文海孙玉平中国科学院固体物理研究所安徽合肥230031

采用化学溶液法在NiW(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2,1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明,化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层;在x=0和x=0.2的情况下,所制备的缓冲层有裂纹产生;但是随着x的增加,开裂... 详细信息

采用化学溶液法在NiW(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2,1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明,化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层;在x=0和x=0.2的情况下,所制备的缓冲层有裂纹产生;但是随着x的增加,开裂现象被逐步抑制。对x=1的Sm2O3缓冲层而言,当厚度增加到120nm时依然没有产生裂纹,表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲层而得以使用。

关键词：涂层导体缓冲层化学溶液法

柔性铜镍合金基带的织构及其磁性研究(英文)

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低温物理学报 2009年第2期31卷 102-106页

作者：范峰鲁玉明刘志勇高波应利良刘金磊蔡传兵上海大学物理系

研究了Cu60-Ni40wt%(简称Cu60)和Cu40-Ni60wt%(简称Cu40)两种不同组分的铜镍合金基带在不同温度下退火织构的形成过程,其中名义组分为Cu60-Ni40wt%的合金在650～1000℃退火一小时可获得良好的(001)织构.半高宽随着退火温度的升高而下降.... 详细信息

研究了Cu60-Ni40wt%(简称Cu60)和Cu40-Ni60wt%(简称Cu40)两种不同组分的铜镍合金基带在不同温度下退火织构的形成过程,其中名义组分为Cu60-Ni40wt%的合金在650～1000℃退火一小时可获得良好的(001)织构.半高宽随着退火温度的升高而下降.1000℃退火后Φ扫描的半高宽(FWHM)为5.5°,ω扫描的半高宽为6.1°.组分为Cu60-Ni40wt%的合金1150℃退火仍不能形成良好的织构.对于Cu40居其里温度点在室温以上,饱和磁矩大于Ni-at.%5W;而Cu60的居里温度点在20K,在77K下表现顺磁性质,其饱和磁矩仅为Ni-at.%5W基带的10%.在77K下Cu60的电阻为7.5×10-9Ω·m,比Ni-at.%5W的电阻要低的多.

关键词：辊轴再结晶技术双轴织构涂层导体铜镍合金

PVP辅助低氟溶液法制备YBa2Cu3O7-x厚膜研究(英文)

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低温物理学报 2014年第3期36卷 172-177页

作者：闫芳园陈源清李蒙娟冯拉俊西安理工大学材料科学与工程学院

传统的化学溶液法制备微米级YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体过程中,需要反复多次镀膜和热分解过程才能使膜厚达到1μm以上。本研究以独特的先进低氟溶液为YBCO前驱溶液,通过添加聚吡咯烷酮(PVP)作为增稠剂,提高了YBCO胶体的粘度,并提高了最... 详细信息

传统的化学溶液法制备微米级YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体过程中,需要反复多次镀膜和热分解过程才能使膜厚达到1μm以上。本研究以独特的先进低氟溶液为YBCO前驱溶液,通过添加聚吡咯烷酮(PVP)作为增稠剂,提高了YBCO胶体的粘度,并提高了最终YBCO薄膜的厚度及致密性。单次镀膜获得的YBCO薄膜厚度达到了600nm。77K,0T条件下,临界电流密度Jc达到1MA/cm2以上。这种高分子改性的低氟YBCO前驱溶液沉积技术有望在未来涂层导体开发中发挥作用.

关键词： YBa2Cu3O7-x 涂层导体低氟溶液超导

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YBCO高温超导薄膜的I-V特性

稀有金属材料与工程 2008年第A4期37卷 433-435页

作者：王为高铭蒋密马平聂瑞娟王福仁戴远东北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

高温超导体中的晶粒边界是这种材料强电应用的主要限制。本文对一种特殊的YBCO晶界伏安特性进行了测量,分析了涂层导体载流状态下的热斑及其演化对输运状况的影响,并根据高温超导体中的弱连接特性,和在不同电压区间的输运性质,讨论了YBC... 详细信息

高温超导体中的晶粒边界是这种材料强电应用的主要限制。本文对一种特殊的YBCO晶界伏安特性进行了测量,分析了涂层导体载流状态下的热斑及其演化对输运状况的影响,并根据高温超导体中的弱连接特性,和在不同电压区间的输运性质,讨论了YBCO涂层导体中电流密度分布不均匀对样品伏安特性的影响。

关键词：涂层导体 YBCO I-V特性

改进型前驱液对化学溶液法制备YBCO薄膜的影响

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低温物理学报 2010年第1期32卷 38-42页

作者：金利华张云于泽铭王耀李成山闫果卢亚锋西北有色金属研究院超导材料研究所

传统全三氟乙酸前驱液对涂敷环境湿度、低温预分解过程中的升温速率和水汽分压等因素具有敏感性,采用改进型前驱液可以降低其敏感性,从而有利于涂层导体的连续制备.我们提出的改进型前驱液中,三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和苯甲酸铜是前驱体... 详细信息

传统全三氟乙酸前驱液对涂敷环境湿度、低温预分解过程中的升温速率和水汽分压等因素具有敏感性,采用改进型前驱液可以降低其敏感性,从而有利于涂层导体的连续制备.我们提出的改进型前驱液中,三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和苯甲酸铜是前驱体,甲醇和丙酸的为溶剂.采用化学溶液法在铝酸镧单晶衬底上制备YBCO,低温分解阶段以1～5℃/min快速升温,可以获得低温后的前驱膜光滑完整,无裂纹.通过X衍射分析和扫描电镜分析了薄膜的织构和表面微结构,四引线法测试薄膜超导电性.采用改进型前驱液制备的薄膜超导转变温度(Tc)为90K,在77K、自场下临界电流密度(Jc)为1MA/cm2.

关键词：涂层导体化学溶液法沉积快速制备苯甲酸铜

磁控溅射法LaMnO3帽子层的外延生长探究

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低温物理学报 2016年第6期38卷 28-32页

作者：鲁玉明闫祥发范峰梁玉白传易刘志勇郭艳群朱红艳范晓鹏蔡传兵上海大学物理系上海市高温超导重点实验室上海市上创超导科技有限公司

采用卷对卷装置通过直流反应磁控溅射法在离子束辅助沉积(IBAD)的MgO上生长获得了纯c轴织构的LaMnO3(LMO)帽子层,详细研究了不同基底温度、氧分压、溅射功率及不同MgO基底对LMO帽子层微结构及其性能的影响,研究表明,LMO具有一定的生长... 详细信息

采用卷对卷装置通过直流反应磁控溅射法在离子束辅助沉积(IBAD)的MgO上生长获得了纯c轴织构的LaMnO3(LMO)帽子层,详细研究了不同基底温度、氧分压、溅射功率及不同MgO基底对LMO帽子层微结构及其性能的影响,研究表明,LMO具有一定的生长优化工艺,而IBAD-MgO基底性能对LMO的外延生长的影响尤为显著.在最优条件下,最终获得了纯c轴织构、面内外半高宽都较小且表面比较致密平整的LMO帽子层,以此LMO薄膜作为缓冲层,通过化学法外延生长的YBCO超导薄膜,其77K自场下Jc达到1.69 MA/cm~2.

关键词： LaMnO3 帽子层直流磁控溅射涂层导体

YBiO_3缓冲层的化学溶液沉积法快速制备

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低温与超导 2013年第8期41卷 45-49页

作者：张文英蒲明华朱晓垒周涛欧亚芝李曼雷鸣赵勇西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室超导与新能源研究开发中心成都610031

基于固态分解原理,提出并验证了名为两步加热法(TSH)的CSD快速制备YBiO3缓冲层的技术方案。研究发现,聚丙烯酸-硝酸盐溶液前驱膜中的溶剂聚丙烯酸可以在40min内完全挥发。得到的无水硝酸盐混合物可以直接在高温下分解,并于1h内在钇稳定... 详细信息

基于固态分解原理,提出并验证了名为两步加热法(TSH)的CSD快速制备YBiO3缓冲层的技术方案。研究发现,聚丙烯酸-硝酸盐溶液前驱膜中的溶剂聚丙烯酸可以在40min内完全挥发。得到的无水硝酸盐混合物可以直接在高温下分解,并于1h内在钇稳定氧化锆上外延生长出YBiO3缓冲层,总工艺时间不足2h。测试结果表明,由此制得的YBiO3薄膜表面同样平整、致密,且具有良好的立方织构。两步加热法为涂层导体缓冲层的低成本连续制备提供了新的思路。

关键词：涂层导体 YBiO3 缓冲层快速制备

不同气氛下LaMnO;缓冲层后退火效应研究

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低温物理学报 2017年第4期39卷 21-26页

作者：胡雪峰范锋钟敏建孙梅娟宋浩雨钟花晓刘志勇郭艳群蔡传兵上海大学物理系上海市高温超导重点实验室

在第二代高温涂层导体离子束辅助沉积技术（IBAD）路线中,LaMnO;（LMO）作为超导层的生长面,直接影响到YBCO的性能,为改善LMO的织构、形貌等,对磁控溅射法制备的LMO薄膜进行了后退火处理,本实验系统研究了后退火处理对LMO物相、织构、... 详细信息

在第二代高温涂层导体离子束辅助沉积技术（IBAD）路线中,LaMnO;（LMO）作为超导层的生长面,直接影响到YBCO的性能,为改善LMO的织构、形貌等,对磁控溅射法制备的LMO薄膜进行了后退火处理,本实验系统研究了后退火处理对LMO物相、织构、表面形貌等的影响,并进一步研究了后退火效应对超导层的影响.结果表明后退火处理有助于改善LMO表面形貌,优化LMO微结构,在潮湿Ar-5%H2气氛下,LMO缓冲层改善率最高,在经湿Ar-5%H2后退火处理的LMO缓冲层上制备的超导层具有最佳的性能,在77K自场下,临界电流密度达到1.2 MA/cm;.

关键词： LaMnO3 后退火潮湿Ar-5%H2 涂层导体

磁控溅射Y;O;种子层对Gd;Zr;O;厚度效应的影响

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低温物理学报 2013年第5期35卷 333-338页

作者：赵荣范峰邱文彬鲁玉明刘志勇蔡传兵上海大学物理系超导与应用技术研究中心

本文研究反应磁控溅射法在双轴织构Ni-5at.%W（NiW）金属基底上动态外延生长Y2O3和Gd2Zr2O7（GZO）及其对后续氧化物和超导层织构的影响.证实了动态磁控溅射Y2O3是十分有效的种子层材料.X射线衍射θ;θ扫描以及极图测试表明Y2O3种子层... 详细信息

本文研究反应磁控溅射法在双轴织构Ni-5at.%W（NiW）金属基底上动态外延生长Y2O3和Gd2Zr2O7（GZO）及其对后续氧化物和超导层织构的影响.证实了动态磁控溅射Y2O3是十分有效的种子层材料.X射线衍射θ;θ扫描以及极图测试表明Y2O3种子层能在较宽的参数窗口很好地在NiW基底上外延生长.通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）表面形貌观察,显示Y2O3薄膜表面平整,粗糙度在1.5nm左右.进一步在Y2O3上外延生长GZO缓冲层,研究了其厚度效应及其对后续YBa2Cu3O7-(（YBCO）超导层的影响,通过对比分析它们面内半高宽以及超导转变温度Tc和ΔTc变化规律,得出GZO的优化厚度为120nm.

关键词：磁控溅射种子层 Y2O3 涂层导体 YBCO