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直流反应溅射法制备Y_2O_3隔离层的研究

Preparation of Y_2O_3 buffer layer by DC reactive sputtering

作     者:金薇 古宏伟 杨坚 张华 刘慧舟 杨玉卫 Jin Wei;Gu Hongwei;Yang Jian;Zhang Hua;Liu Huizhou;Yang Yuwei

作者机构:北京有色金属研究总院超导材料研究中心北京100088 

出 版 物:《低温与超导》 (Cryogenics and Superconductivity)

年 卷 期:2008年第36卷第5期

页      面:38-41,46页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:氧化钇 隔离层 直流反应溅射 涂层导体 

摘      要:采用直流反应溅射的方法在具有立方织构的Ni基底上制备出了Y2O3隔离层,并研究了基带温度与H2O分压两个因素对Y2O3薄膜的织构取向以及表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)结果和扫描电子显微镜(SEM)的分析表明,在温度为760℃,H2O分压为1.68×10-2Pa的条件下制备出的Y2O3薄膜具有强立方织构,平面内Φ扫描半高宽为7.07°,其表面均匀、致密、无裂纹。

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