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机构

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作者

  • 3 篇 沈学础
  • 2 篇 陆卫
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  • 1 篇 e.e.haller
  • 1 篇 袁先漳
  • 1 篇 史国良
  • 1 篇 陈建湘

语言

  • 7 篇 中文
检索条件"主题词=浅杂质"
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半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱
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物理学报 1989年 第11期38卷 1869-1873页
作者： 俞志毅 黄叶肖 陈建湘 叶红娟 沈学础 E.E.Haller 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 美国加州大学伯克利分校劳伦斯伯克利实验室
本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线... 详细信息
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用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布
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Journal of Semiconductors 1982年 第2期 89-94页
作者： 秦国刚 杜永昌 张玉峰 北京大学物理系
测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度分布的方法,在深中心浓度和浅杂质浓度可比的情况下,它的结果尤为精确.文中讨论了测试原理和测试方法并... 详细信息
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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究
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红外与毫米波学报 2000年 第5期19卷 385-388页
作者： 袁先漳 陆卫 史国良 陈益栋 陈张海 李宁 沈学础 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室上海200083
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果... 详细信息
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超纯半导体的高分辨率光热电离光谱
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科学通报 1990年 第3期35卷 173-176页
作者： 俞志毅 黄叶肖 朱景兵 陆卫 沈学础 Eugene E.Haller 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 上海200081 美国加州大学伯克利分校劳伦斯伯克利实验室
一、引言 超纯半导体不仅在核辐射及红外辐射探测等方面有重要应用,而且对半导体浅杂质态研究亦具有积极意义。由于超纯半导体中浅杂质含量极微,所有传统的杂质检测方法已难以探测和识别,因此很有必要发展相应的高灵敏度检测手段。
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关于Xα-SW自洽计算中原子半径的确定
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计算物理 1987年 第3期 307-316页
作者： 唐景昌 陈一兵 杭州汽车发动机厂职工大学 浙江大学物理系
本文利用SCF-X-SW原子集团(Cluster)方法研宄了半导体硅中杂质的电子结构。研究表明,硅中杂质电子态与Cluster中原子球半径的选取密切相关。本文提出两条原则来确定原子球的半径:1)调节Cluster中基质原子球的半径大小应以晶体能带结构... 详细信息
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超纯Ge中剩余浅施主的光热电离光谱
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红外与毫米波学报 1988年 第Z1期 403-408页
作者： 俞志毅,叶红娟,沈学础,Eugene E. Haller 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 Lawrence Berkeley Laboratory University of California Berkeley CA 94720 USA 上海 上海 上海
报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D（Li,O）复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S（T2）到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态... 详细信息
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半导体技术
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中国无线电电子学文摘 1994年 第3期10卷 41-53页
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