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铌酸锂波导调制器的相位漂移机理

半导体光电 2007年第2期28卷 166-171页

作者：何风平李刚毅北京7200信箱北京100074 重庆光电技术研究所重庆400060

铌酸锂波导调制器的相位漂移是其主要失效模式之一。分析了外电场、温度、机械应力等外场作用对铌酸锂波导调制器相位稳定性能的影响,并提出了相应的解决措施,以提高铌酸锂波导调制器的调制相位稳定性。

关键词：波导调制器铌酸锂相位漂移

用连续波电光检测技术进行LiNbO_3定向耦合波导调制器的场分布测量

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光学学报 1991年第10期11卷 944-950页

作者：朱祖华丁纯丁桂兰王硕勤浙江大学信息与电子工程学系杭州310008

本文介绍一种新颖的无损伤检测技术——连续波电光检测技术(OWEOP)对LiNbO_3定向耦合波导调制器模拟样品内场分布进行各种测量所获得的实验结果。采取了背射和端射两种测量方式,测出了波导电极条下,电极间隙区以及电极中断区电场的分布... 详细信息

本文介绍一种新颖的无损伤检测技术——连续波电光检测技术(OWEOP)对LiNbO_3定向耦合波导调制器模拟样品内场分布进行各种测量所获得的实验结果。采取了背射和端射两种测量方式,测出了波导电极条下,电极间隙区以及电极中断区电场的分布,并对实验结果进行了讨论。

关键词：电光检测波导调制器电场分布

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基于波导调制器的全保偏光纤微振动传感器

量子电子学报 2007年第1期24卷 118-121页

作者：俞本立徐长春光电信息获取与控制教育部重点实验室安徽大学物理与材料科学学院安徽合肥230039

为了解决干涉型光纤传感器中光源频率调制深度与干涉仪光程差的相关性,以及压电陶瓷(PZT)调制的高频限制和非线性效应,设计了全保偏光纤马赫一泽德干涉仪结构,引入保偏光纤波导相位调制器替代常见的光源调制及PZT调制,采用低噪声单频保... 详细信息

为了解决干涉型光纤传感器中光源频率调制深度与干涉仪光程差的相关性,以及压电陶瓷(PZT)调制的高频限制和非线性效应,设计了全保偏光纤马赫一泽德干涉仪结构,引入保偏光纤波导相位调制器替代常见的光源调制及PZT调制,采用低噪声单频保偏光纤激光器作为光源,通过相位载波零差解调方法,实现了微振动信号的保真拾取．通过波导调制器的引入,增加了系统的灵活性和频响范围,并使灵敏度达到了10-5rad／Hz1/2量级。

关键词：纤维与波导光学振动传感器波导调制器 PZT 光源调制

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与偏振无关的马赫—泽德波导调制器

高速摄影与光子学 1990年第2期19卷 147-152页

作者：余国贤王葵如李德隆张海廷北京邮电学院应用科学技术系

本文报导我们设计制作的钛扩散铌酸锂马赫—泽德波导调制器。它采用Z传铌酸锂基片,只需一组电极就能实现对任意偏振态的有效调制。在0.6328μm波长下测试,半波电压为9V、消光比为90％。

关键词：调制器波导调制器偏振态调制

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多层石墨烯波导调制器的研究

多层石墨烯波导调制器的研究

作者：黄锦文厦门大学

学位级别：硕士

光波导调制器是光通讯系统中不可或缺的元件。在过去的几十年间,研究人员一直在研究具有大调制深度和高集成度的电光调制器。但是研究人员往往很难在追求低衰减常数的同时提升器件对电磁波的限制能力。并且传统光波导调制器的调制带宽... 详细信息

光波导调制器是光通讯系统中不可或缺的元件。在过去的几十年间,研究人员一直在研究具有大调制深度和高集成度的电光调制器。但是研究人员往往很难在追求低衰减常数的同时提升器件对电磁波的限制能力。并且传统光波导调制器的调制带宽和调制速度也有待进一步提升。石墨烯的超高载流子迁移率和灵活电可调性为进一步改善波导调制器的性能带来了希望。通过调研此前的诸多研究成果可以发现,使用石墨烯可以在调制深度、调制带宽和调制速度等多个方面提升波导调制器的性能。本文中,通过多层石墨烯设计出具有高调制深度和高集成度的波导调制器用于改善传统半导体波导调制器的缺点。1.借助双层石墨烯、共聚物topas、锗和金属薄膜设计出一种具有低衰减常数的中红外波导调制器。经仿真优化,该器件可以同时拥有高品质因子(FOM)和低衰减常数,并且调制深度可达到2.5 dB/μm。由于波导芯层区域和包层区域所用材料的相对介电常数的对比度极大,使得在石墨烯费米能级为0.1 eV时,器件的品质因子FOM可达到214。在6 THz-18 THz这一宽频内,基模和二阶模的衰减常数可以维持在0.1 dB/μm左右,信号光的传输距离可超过28 μm。值得注意的是,得益于双层石墨烯脊型波导的巧妙结合,该结构从太赫兹到中红外频段内对基模和二阶模都有着相同的调制能力和传输能力。2.结合三层石墨烯和贵金属设计了一种二维横截面积仅有1 μm2太赫兹波导调制器。当石墨烯的费米能级从0 eV上升到1 eV时,波导内的电场逐渐集中在石墨烯表面,这使得石墨烯与信号光之间的相互作用明显增强进而导致衰减常数明显增加。仿真优化后发现,选用尺寸较小的金纳米柱以及弛豫时间仅为0.1 ps的石墨烯可以改善器件性能。该器件在5 THz处的调制深度为6.0 dB/μm,在10 THz处的调制深度为1.5 dB/μm,并且混合模式的归一化模式面积始终低于10-5。理论计算表明该器件的3 dB带宽可达803.4 GHz。

关键词：石墨烯太赫兹波导调制器调制深度

Ⅲ-Ⅴ族半导体最佳高速耗尽边转换型相移光波导调制器

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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液晶与显示 1988年第1期 34-36页

作者：曹望和

目前对Ⅲ—Ⅴ族半导体的实用光开关与/或型调制器正在进行深入研究,这些光开关或调制器在光通讯、光互联和信息处理中有着潜在的应用。这些元件必须体积小,驱动功率低并能在几千赫下运转,以满足光电集

关键词：相移波长 TE 器件波导调制器归一化带填充效应 DET

新型衬底开槽结构的LiNbO_3波导强度调制器设计分析

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中国激光 2008年第3期35卷 410-413页

作者：李密于思源马晶谭立英王强哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室黑龙江哈尔滨150001

提出了一种在LiNbO3衬底背面沿垂直光传播方向的开槽结构的波导调制器,不仅可以通过开槽的方式替代通常LiNbO3基片和电极之间的SiO2缓冲层,起到减小驱动电压和抑制直流(DC)漂移的作用,而且由于其开槽部分和未开槽部分的截面图都比较规则... 详细信息

提出了一种在LiNbO3衬底背面沿垂直光传播方向的开槽结构的波导调制器,不仅可以通过开槽的方式替代通常LiNbO3基片和电极之间的SiO2缓冲层,起到减小驱动电压和抑制直流(DC)漂移的作用,而且由于其开槽部分和未开槽部分的截面图都比较规则,开槽部分又符合部分电容法的应用条件,在设计中可以避开有限元法(FEM)而采用施瓦兹-克里斯托弗耳(SC)变换进行计算。数值计算结果表明,在电极长度为40 mm的LiNbO3衬底上,开槽时选取开槽处的厚度为15μm,开槽宽度为38.5 mm,调制器调制带宽可以达到40.00 GHz,阻抗为63.10Ω。说明这种结构在没有SiO2缓冲层的情况下同样能够实现光波和微波的速度匹配,对于调制器的制作设计更加便利和精确。

关键词：光通信波导调制器保角变换速度匹配开槽结构