新型衬底开槽结构的LiNbO_3波导强度调制器设计分析
Research on the Design of LiNbO_3 Waveguide Intensity Modulator with a New Back Slot Structure作者机构:哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室黑龙江哈尔滨150001
出 版 物:《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)
年 卷 期:2008年第35卷第3期
页 面:410-413页
核心收录:
学科分类:0810[工学-信息与通信工程] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 081001[工学-通信与信息系统] 0702[理学-物理学]
摘 要:提出了一种在LiNbO3衬底背面沿垂直光传播方向的开槽结构的波导调制器,不仅可以通过开槽的方式替代通常LiNbO3基片和电极之间的SiO2缓冲层,起到减小驱动电压和抑制直流(DC)漂移的作用,而且由于其开槽部分和未开槽部分的截面图都比较规则,开槽部分又符合部分电容法的应用条件,在设计中可以避开有限元法(FEM)而采用施瓦兹-克里斯托弗耳(SC)变换进行计算。数值计算结果表明,在电极长度为40 mm的LiNbO3衬底上,开槽时选取开槽处的厚度为15μm,开槽宽度为38.5 mm,调制器调制带宽可以达到40.00 GHz,阻抗为63.10Ω。说明这种结构在没有SiO2缓冲层的情况下同样能够实现光波和微波的速度匹配,对于调制器的制作设计更加便利和精确。