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学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
    • 1 篇 天文学

主题

  • 2 篇 沟道载流子浓度
  • 1 篇 负偏温度不稳定性
  • 1 篇 sic
  • 1 篇 栅氧化层电场
  • 1 篇 隐埋沟道mosfet
  • 1 篇 c-v法
  • 1 篇 衬底偏置效应

机构

  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 华润上华科技有限...
  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 郜锦侠
  • 1 篇 张玉明
  • 1 篇 刘斯扬
  • 1 篇 张艺
  • 1 篇 苏巍
  • 1 篇 何骁伟
  • 1 篇 孙伟锋
  • 1 篇 刘玉伟
  • 1 篇 胡久利
  • 1 篇 张义门
  • 1 篇 汤晓燕
  • 1 篇 张春伟
  • 1 篇 张爱军

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=沟道载流子浓度"
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C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度
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物理学报 2006年 第6期55卷 2992-2996页
作者： 郜锦侠 张义门 汤晓燕 张玉明 西安电子科技大学微电子学院
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.... 详细信息
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pMOSFET的NBTI退化机理及内在影响因素
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东南大学学报（自然科学版） 2015年 第4期45卷 663-667页
作者： 张春伟 刘斯扬 张艺 孙伟锋 苏巍 张爱军 刘玉伟 胡久利 何骁伟 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 南京210096 华润上华科技有限公司 无锡214028
研究了P型MOSFET的NBTI效应退化机理,以及栅氧化层电场和沟道载流子浓度对NBTI效应的影响.首先,通过电荷泵实验对NBTI应力带来的p M OSFET的界面损伤进行了测试,并利用TCAD仿真软件对测试结果进行分析,结果表明该器件的NBTI退化主要由... 详细信息
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