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沉积功率对金刚石薄膜质量和结合性能的影响

机械工程材料 1998年第3期22卷 13-16页

作者：匡同春刘正义周克崧代明江王德政华南理工大学机电工程系广东工业大学广东广州510641 广州有色金属研究总院广东广州510651

借助SEM、XRD和Raman光谱等分析方法对不同沉积功率条件下合成的金刚石膜形貌、结构和质量进行了表征，并采用压痕试验法评定了金刚石膜与基体的结合性能。结果表明，沉积功率对金刚石膜的结晶质量、纯度、残余应力、点阵畸变、嵌镶块... 详细信息

借助SEM、XRD和Raman光谱等分析方法对不同沉积功率条件下合成的金刚石膜形貌、结构和质量进行了表征，并采用压痕试验法评定了金刚石膜与基体的结合性能。结果表明，沉积功率对金刚石膜的结晶质量、纯度、残余应力、点阵畸变、嵌镶块尺寸有影响。高的沉积功率使基体表面显微粗糙化，并发生脱碳现象，显著改善了金刚石膜与基体的结合性能。

关键词：金刚石膜沉积功率结晶质量薄膜结合性能

沉积功率和退火工艺对PE-ALD氧化铝薄膜的影响

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半导体技术 2018年第8期43卷 610-615页

作者：刘媛媛杜纯曹坤陈蓉徐湘伦黄静单斌华中科技大学材料科学与工程学院材料成形与模具技术国家重点实验室武汉430074 华中科技大学机械科学与工程学院数字制造装备与技术国家重点实验室武汉430074 华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074 武汉市华星光电技术有限公司武汉430078

Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率... 详细信息

Al2O3薄膜常用于有机电子器件的稳定化封装。除了薄膜的水气渗透率特性,薄膜的表面粗糙度、润湿性和折射率等性能也会影响薄膜的最终封装效果。采用自制等离子增强原子层沉积（PE-ALD）系统在低温下成功制备了Al2O3薄膜,研究了沉积功率和退火参数对Al2O3薄膜微观形貌和性能的影响。结果表明,Al2O3薄膜的生长速率和折射率随沉积功率的增加分别呈现先增加后下降和不断增加的趋势,当沉积功率为1 800 W时,薄膜的线性生长速率达到0.27 nm/cycle,远高于传统热原子层沉积技术的沉积速率。退火处理不会改变Al2O3薄膜晶态,但改善了薄膜的表面粗糙度,降低了接触角和有机基团红外强度。得到了最佳的PE-ALD薄膜制备工艺条件,实现了对有机发光二极管器件的有效封装。

关键词：等离子增强原子层沉积(PE-ALD) Al2O3薄膜沉积功率退火工艺有机发光二极管(OLED)

Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响

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电子设计工程 2015年第23期23卷 183-185,189页

作者：武明珠郭永林苟昌华关晓亮王红波吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012

我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O... 详细信息

我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以AZTO薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对AZTO薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。

关键词：薄膜晶体管 AZTO 共溅射沉积功率

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ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究

电子元件与材料 2007年第1期26卷 30-32页

作者：肖剑荣徐慧简献忠中南大学物理科学与技术学院上海理工大学电气与工程学院上海200093

以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr... 详细信息

以CF4和CH4为源气体，用射频等离子体增强化学气相沉积法，制备了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜．采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明，在薄膜内主要含有C-Fx（=1，2，3）、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键；薄膜的εr为2．07-2．65。εr与膜内F的相对浓度有关，随着沉积功率的增大，膜内F、H的含量均降低，εr升高。

关键词：半导体技术氟化类金刚石薄膜沉积功率介电常数

共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的研究

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共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的研究

作者：武明珠吉林大学

学位级别：硕士

随着未来显示逐渐向高分辨率、大面积以及柔性化方向的发展，对背板技术性能要求更高。以铟镓锌氧化物薄膜晶体管为代表的氧化物薄膜晶体管以其场效应迁移率高、透过率高、大面积均匀性好等优点，得到人们广泛关注。此外，以IGZO薄膜晶... 详细信息

随着未来显示逐渐向高分辨率、大面积以及柔性化方向的发展，对背板技术性能要求更高。以铟镓锌氧化物薄膜晶体管为代表的氧化物薄膜晶体管以其场效应迁移率高、透过率高、大面积均匀性好等优点，得到人们广泛关注。此外，以IGZO薄膜晶体管作为背板技术制备的显示面板还具有功耗低的优点。然而，IGZO中含有稀有元素In、Ga，不利于降低成本，因此研究不含稀有元素、且性能能与IGZO薄膜晶体管相比拟的氧化物薄膜晶体管具有重要的意义。本文从稀有元素替代角度出发，根据IGZO薄膜中载流子传输机理，采用Al、Sn分别替代IGZO薄膜中的Ga、In元素。并采用与现代工业生产相兼容的磁控溅射工艺，通过三靶磁控共溅射Al2O3、ZnO和SnO2靶材的方式，制备了Al-Zn-Sn-O（AZTO）薄膜及其薄膜晶体管，并对AZTO薄膜及其薄膜晶体管的性能进行了研究，具体工作内容如下： 1、通过调节溅射过程中Al2O3的沉积功率，制备了在不同Al2O3沉积功率下AZTO薄膜。结果显示，在不同Al2O3沉积功率下，所制备的AZTO薄膜都是非晶的，并且均具有较高的透过率，单层薄膜在人眼最敏感波长（550nm）处的透过率均在85%以上。 2、我们进一步制备了在不同Al2O3沉积功率下AZTO薄膜晶体管，研究了不同Al2O3含量对器件性能的影响。结果表明，随着Al2O3沉积功率的增加，器件的迁移率逐渐降低，阈值电压逐渐增大，但器件的转移特性得到了有效的改善，并且开关比显著提高。分析得出，Al在AZTO薄膜中充当着抑制载流子的作用，就像IGZO中的Ga一样。当Al2O3溅射功率为20W时，获得了较好的器件性能。通过冷场发射扫描电子显微镜(JSM-7500F)测得，当Al2O3溅射功率为20W时，未退火AZTO薄膜中Zn、Sn、Al、O的原子含量分别为17%、3%、2%、78%。 3、我们制备了不同有源层厚度的器件，研究了有源层厚度对器件性能的影响。结果表明，有源层厚度对器件性能的影响很大，当厚度太薄时，载流子数量太少，迁移率过低;而当厚度过厚时，一方面会增大载流子注入电阻，另一方面厚度过厚将会引起载流子数量过多，发生散射，结果都会使得迁移率有所下降。当有源层厚度为45nm时，我们获得了最优的器件性能。 4、对上述获得的最佳器件，我们进一步研究了正向偏压下器件的稳定性。结果发现，在正向偏压应力下，器件的阈值电压发生了正向漂移。这是由于被栅电压吸引到沟道层与绝缘层界面处的自由载流子被界面处的负电荷陷阱俘获，或者是注入到绝缘层体内，被体内的陷阱捕获。所以载流子数量降低，阈值电压发生正向漂移。

关键词：氧化物薄膜晶体管共溅射 AZTO 沉积功率有源层厚度稳定性

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YSZ薄膜的制备及其红外反射特性的探究

YSZ薄膜的制备及其红外反射特性的探究

作者：刘曜铭电子科技大学

学位级别：硕士

随着科学技术的迅速发展,航空技术也成为了重点发展领域。航空与国防之间已经密切相关。目前飞行速度的急剧增大导致了机体不同部位温度的迅速增大,传统的热防护以及低可探测材料已经受到了越来越多的限制,因此迫切需要开发一种新型材... 详细信息

随着科学技术的迅速发展,航空技术也成为了重点发展领域。航空与国防之间已经密切相关。目前飞行速度的急剧增大导致了机体不同部位温度的迅速增大,传统的热防护以及低可探测材料已经受到了越来越多的限制,因此迫切需要开发一种新型材料满足高温应用需求。YSZ(氧化钇稳定氧化锆)材料体系由于具有较为优良的高温电导率,热导率低,在热防护以及隐身涂层材料等方面都具有良好的应用,并且具备多功能涂层体系的应用潜力。当YSZ涂层材料厚度达1mm时,其在雷达波段的透过率仅有25%,但当厚度小于4um时,其透过率无限接近100%,为了利用其高透特性,实现雷达波段多频谱隐身兼容,因此研究了YSZ薄膜材料的红外波段特性。本文通过磁控溅射制备YSZ薄膜样品,探究不同工艺点对薄膜样品红外反射特性的影响,并通过后续的热处理以及复合沉积来探究红外性能的改变情况,其主要工作内容如下:1.本文通过磁控溅射的方法,从制备过程中的溅射气压,沉积功率以及沉积温度等多角度对制备后的YSZ薄膜样品进行了结构、电学性能以及红外性能的测试与表征,研究了不同工艺条件下YSZ薄膜样品红外辐射特性等。2.本文通过改变热处理温度以及热处理时间两种方式来探究温度对YSZ薄膜样品性能的影响情况,并发现高温下的热处理会相较于常温有更大的反射率,另一方面热处理时间的延长并未对其红外反射率产生明显的影响。3.本文通过探究ZrB薄膜样品得到制备工艺点,然后通过多层薄膜制备工艺制备了YSZ-ZrB双层复合薄膜,研究了最顶层YSZ薄膜厚度对复合薄膜的红外辐射特性的影响,并通过改变热处理温度寻找到了复合薄膜热处理温度临界点。

关键词：溅射气压沉积功率沉积温度热处理复合薄膜