检索结果-南通市图书馆

作者：李亚君山东大学

学位级别：硕士

在对氮化镓、氮化硅镁纳米材料的合成、应用等方面的发展现状进行了充分调研的基础上,本论文旨在探索高压釜中氮化镓、氮化硅镁等纳米材料的低温制备方法。通过对实验结果的分析并结合相关的文献报道,分别对它们的生长机理进行了探讨。... 详细信息

在对氮化镓、氮化硅镁纳米材料的合成、应用等方面的发展现状进行了充分调研的基础上,本论文旨在探索高压釜中氮化镓、氮化硅镁等纳米材料的低温制备方法。通过对实验结果的分析并结合相关的文献报道,分别对它们的生长机理进行了探讨。主要研究内容如下： ***材料非常坚硬,化学性质非常稳定。在常温下不溶于水、酸和碱,熔点较高,约为1700℃。GaN具有3.4eV的宽直接带隙、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点。GaN基器件在高亮度蓝、绿光发光二极管、蓝色激光器和紫外探测器等领域有着广阔的应用潜力和良好的市场前景,也非常适合于制作抗辐射、高频、高温大功率和高密度集成的电子器件。在我们的工作中,在200℃下,利用镓、钠和盐酸肼在高压釜中制备纯净氮化镓纳米材料。反应温度要比传统方法要低很多。X-射线粉末衍射显示制得的样品为六方相的纤锌矿氮化镓,晶格常数为：a=3.181A and c=5.179 A,与JCPDS卡(No.50-0792)所报道的数据(a=3.189A、c=5.186A)相接近。透射电子显微镜照片显示所得氮化镓纳米颗粒直径大约为30nm。但是当少量的叠氮化钠加入到镓、钠和盐酸肼这个反应系统中的时候,六方相纤锌矿氮化镓最低可以在100℃下制备,当升高该反应体系的温度到400℃时,在X射线粉末衍射图中我们看到了岩盐相氮化镓的峰,经计算其晶格常数为a=4.14 A,与文献报道的结果接近。 2.氮化硅镁正受到越来越多的研究,由于其高断裂韧度、高应力强度、高硬度、很好的抗氧化性、高导热性和高电子阻抗等性能。这些性能使其潜在的应用于高密度集成电路基板材料。在制备陶瓷材料中,由于氮化硅镁的高导热性,使其成为一种有效的添加剂。在我们的工作中,利用硅,镁和叠氮化钠在高压釜中于350-500℃成功制备MgSiN2,产率达到90%。X-射线粉末衍射显示制得的样品为氮化硅镁,晶格常数为：a=5.260 A,b=6.463 A,和c=4.951 A,与JCPDS卡(No.52-0797)所报道的数据相接近。透射电子显微镜照片显示样品主要为纳米长方块,尺寸在200-500nm,高分辨电镜图清晰显示的两个相邻条纹之间的平均间距为0.40nm,和氮化硅镁的(110)面的晶格间距非常接近。并讨论了反应中反应物用量,反应温度,反应时间和不同的硅源对产物制备的影响,讨论了该实验可能的实验机理,发现适当过量的Mg和NaN3有利于MgSiN2的制备。同时,我们也发现SiO2和硅藻土作为硅源也可以成功制备MgSiN2。

关键词：纳米材料氮化镓氮化硅镁纳米长方块

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自蔓延高温合成制备单相氮化硅镁粉体

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硅酸盐学报 2011年第2期39卷 177-181页

作者：杨建辉陈义祥刘光华李江涛中国科学院理化技术研究所北京100190 中国科学院研究生院北京100039

通过自蔓延高温合成技术制备了以MgSiN2为主相的粉体,然后利用酸洗工艺除去杂质得到单相MgSiN2粉体。研究了原料配比、稀释剂MgSiN2的添加量和N2压力对燃烧合成产物相组成的影响,并探讨了酸洗条件对洗除MgO杂质的影响。研究结果表明,以... 详细信息

通过自蔓延高温合成技术制备了以MgSiN2为主相的粉体,然后利用酸洗工艺除去杂质得到单相MgSiN2粉体。研究了原料配比、稀释剂MgSiN2的添加量和N2压力对燃烧合成产物相组成的影响,并探讨了酸洗条件对洗除MgO杂质的影响。研究结果表明,以化学计量比配制的原料,难以通过自蔓延高温合成法直接合成单相的MgSiN2粉体;在原料中使Mg粉过量,并对自蔓延高温合成产物进行酸洗处理,是制备单相MgSiN2粉体的一种简单、实用的有效方法。

关键词：自蔓延高温合成氮化硅镁稀释剂

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自蔓延高温合成氮化硅镁粉体

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功能材料 2004年第Z1期35卷 3051-3053页

作者：彭桂花江国健李文兰庄汉锐中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,Mg2Si和Mg+Si3N4)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物不同.Mg2Si和Mg+Si3N4能获得单一相的MgSiN2,而且氧含量低至0.356%(质量分数),而Mg+Si体系燃烧产物除... 详细信息

研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,Mg2Si和Mg+Si3N4)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物不同.Mg2Si和Mg+Si3N4能获得单一相的MgSiN2,而且氧含量低至0.356%(质量分数),而Mg+Si体系燃烧产物除主相MgSiN2外,还含有少量Si和MgO及一些未知相.

关键词：自蔓延高温合成氮化硅镁

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自蔓延高温合成氮化硅镁粉体

自蔓延高温合成氮化硅镁粉体

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：彭桂花江国健李文兰庄汉锐中国科学院上海硅酸盐研究所

关键词：自蔓延高温合成氮化硅镁

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以MgSiN_2作烧结助剂制备高热导β-Si_3N_4陶瓷

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硅酸盐学报 2010年第10期38卷 1948-1952页

作者：梁振华彭桂花李庆余王红强刘茜李文兰广西师范大学化学化工学院药用资源化学与药物分子工程教育部重点实验室广西桂林541004 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050

以MgSiN2为烧结助剂,采用热压烧结法在1750～1900℃制备了高热导β-Si3N4陶瓷,研究了烧结助剂成分、保温时间、烧结温度和添加晶种对热导率的影响。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线荧光光谱仪、电感耦合等离子体... 详细信息

以MgSiN2为烧结助剂,采用热压烧结法在1750～1900℃制备了高热导β-Si3N4陶瓷,研究了烧结助剂成分、保温时间、烧结温度和添加晶种对热导率的影响。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线荧光光谱仪、电感耦合等离子体原子发射光谱仪和光热偏转热导测试仪对样品进行了分析和表征。结果表明:通过延长保温时间、提高烧结温度和添加一定量的β-Si3N4晶种3种途径可有效提高β-Si3N4陶瓷的热导率。添加1%(质量分数)β-Si3N4棒状颗粒作为晶种,1900℃烧结4h制备的β-Si3N4陶瓷的热导率最高,达158W/(m·K)。

关键词：氮化硅热导率氮化硅镁

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