自蔓延高温合成氮化硅镁粉体

作     者：彭桂花 江国健 李文兰 庄汉锐 PENG Gui-hua;JIANG Guo-jian;LI Wen-lan;ZHUANG Han-rui

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2004年第35卷第Z1期

页      面：3051-3053页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：自蔓延高温合成 氮化硅镁 

摘      要：研究了不同起始反应物体系(Mg+Si,Mg2Si和Mg+Si3N4)对氮气中燃烧合成氮化硅镁(MgSiN2)粉体的影响,结果显示,不同反应物体系的燃烧产物不同.Mg2Si和Mg+Si3N4能获得单一相的MgSiN2,而且氧含量低至0.356%(质量分数),而Mg+Si体系燃烧产物除主相MgSiN2外,还含有少量Si和MgO及一些未知相.