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Al掺杂对YBaCo_4O_7氧吸附和电输运性能的影响

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功能材料 2014年第16期45卷 16148-16152页

作者：和清霖尚晓星宋红章郝好山焦作师范高等专科学校理工学院河南焦作454001 郑州大学材料物理教育部重点实验室郑州450052 河南工程学院数理科学系郑州451191

用固态反应法制备了YBaCo4-xAlxO7（x=0.0,0.1,0.2）样品,研究了从室温-900 ℃范围内Al掺杂对氧吸附/脱附和样品电输运性能的影响.Al掺杂降低了样品在低温区（200-400 ℃）的氧吸附量,提高了样品在高温区（700-900 ℃）的相稳定性.此外... 详细信息

用固态反应法制备了YBaCo4-xAlxO7（x=0.0,0.1,0.2）样品,研究了从室温-900 ℃范围内Al掺杂对氧吸附/脱附和样品电输运性能的影响.Al掺杂降低了样品在低温区（200-400 ℃）的氧吸附量,提高了样品在高温区（700-900 ℃）的相稳定性.此外,Al掺杂减小了样品的空穴浓度和迁移率,提高了样品的电阻率、塞贝克系数和电导活化能.氧吸附/脱附行为和YBaCo4-xAlxO7 样品的电输运性能密切相关.氧吸附增加了空穴浓度,使电阻率和塞贝克系数同时减小.

关键词： YBaCo4O7 Al掺杂氧吸附电输运

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氧吸附金刚石(100)表面的电子结构

科学通报 2006年第12期51卷 1377-1382页

作者：刘峰斌汪家道刘兵李学敏陈大融清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084 清华大学核能与新能源技术研究院北京100084

利用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了桥接型和顶接型氧吸附金刚石(100)表面的平衡态几何结构和电子结构．结果表明,桥接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中不存在表面态,价带中的占据态主要由O 2p未成键轨道和C-O轨道、C-H轨道作用诱... 详细信息

利用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了桥接型和顶接型氧吸附金刚石(100)表面的平衡态几何结构和电子结构．结果表明,桥接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中不存在表面态,价带中的占据态主要由O 2p未成键轨道和C-O轨道、C-H轨道作用诱发,而顶接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中存在未占据态,来源于C 2p和O 2p的未成键轨道,价带中占据态则由O 2p未成键轨道和C=Oπ键诱发．

关键词：第一原理氧吸附金刚石(100)表面电子结构

氧吸附和拓扑缺陷对碳纳米管电子输运性能的影响

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氧吸附和拓扑缺陷对碳纳米管电子输运性能的影响

作者：梁君武湖南大学

学位级别：硕士

由于传统微电子技术接近其物理极限以及微加工技术的发展,纳电子学的研究日益得到重视。其中单壁碳纳米管(SWCNTs)以其准—维的分子结构和奇特的电学性能备受瞩目。实验和理论研究表明,表面吸附效应和拓扑缺陷效应对SWCNTs的电学性能有... 详细信息

由于传统微电子技术接近其物理极限以及微加工技术的发展,纳电子学的研究日益得到重视。其中单壁碳纳米管(SWCNTs)以其准—维的分子结构和奇特的电学性能备受瞩目。实验和理论研究表明,表面吸附效应和拓扑缺陷效应对SWCNTs的电学性能有着重要的影响。本文以此为切入点,详细地研究了氧吸附和拓扑缺陷对SWCNTs的电子输运性能的影响。运用密度泛函理论,对氧吸附在半导体型SWCNTs的束缚能、吸收光谱以及能带结构进行了详细研究。经过对不同的物理吸附模型进行结构驰豫后,发现氧分子将优先吸附在六元碳环的内侧,其束缚能、本征光吸收峰以及杂质吸收峰的位置与实验结果一致。能带结构表明,氧的掺杂子能带出现在费米能级处,将可能使SWCNTs出现p型导电行为。吸收光谱解释了光致电导率下降效应依赖于入射光频率的现象。而发生稳定的化学吸附时,半导体型SWCNTs的带隙变窄,能带明显分裂,并且在红外和可见光范围没有光吸收。运用密度泛函结合非平衡格林函数方法,对含有Stone—Wales缺陷的(5,5)金属型SWCNTs的电子态密度和输运性能进行了研究。结果表明,由两个五元环—七元环(5-7)拓扑缺陷对构成的Stone—Wales形变使价带和导带中出现缺陷态,导致相应能级的电子散射。由于管束效应,在费米能级处出现了赝隙,并在透射概率曲线中造成陡峭的透射凹谷。对含一个5-7拓扑缺陷对的(7,0)-(6,0)SWCNT异质结的电子结构和输运性能进行了研究。从局域态密度(LDOS)研究发现,在界面附近存在指数衰减的金属诱生能隙态,在价带顶和导带底附近出现定域的缺陷态。在低温区域,定域态的相位相干效应造成态密度有规律地振荡,极大地影响了相应能态的透射概率,解释了SWCNTs管束出现反常的电阻温度系数的实验现象。外加偏压时,由于两个缺陷峰的散射作用不同而使Ⅰ-Ⅴ曲线呈现非线性不对称的特征。

关键词：单壁碳纳米管电子结构输运性能氧吸附拓扑缺陷

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Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附

Journal of Semiconductors 1990年第2期11卷 104-110页

作者：钟战天王大文范越李承芳中国科学院半导体研究所和国家表面物理实验室清华大学无线电电子学系

利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0.5单原子层,即Si表... 详细信息

利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0.5单原子层,即Si表面上存在As原子层而使吸附位置减少一半。另外,通过吸附动力学分析得知,Si(100)—As表面的初始粘附系数是5.6×10^(-3),比清洁的Si(100)表面小一个数量级。Si表面上As的钝化作用是Si原子的悬挂键态被As原子的占有孤立对态代替而形成。

关键词： Si-As表面纯化效应氧吸附

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负载银表面氧吸附和乙烯环氧化机理的研究

石油化工 1991年第12期20卷 815-821页

作者：朱孟钦张式唐亮邓景发上海石油化工研究院上海200137 复旦大学化学系上海200433

以α-Al_2O_3为载体,按工业方法制备了负载银,进行了催化性能的评价、氧吸附和程脱以及乙烯环氧化反应参数的测定。根据实验结果,探讨了乙烯环氧化机理,认为吸附态原子氧是乙烯环氧化关键物种,反应按照L-H吸附机理进行。提出了可能的反... 详细信息

以α-Al_2O_3为载体,按工业方法制备了负载银,进行了催化性能的评价、氧吸附和程脱以及乙烯环氧化反应参数的测定。根据实验结果,探讨了乙烯环氧化机理,认为吸附态原子氧是乙烯环氧化关键物种,反应按照L-H吸附机理进行。提出了可能的反应历程,即乙烯吸附在吸附态原子氧所诱导成较正电荷的Ag活性位上,这种吸附态乙烯与邻近不同活性位上的吸附态原子氧发生环氧化反应或乙烯燃烧反应。

关键词：银氧吸附乙烯环氧化机理

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CuO/Al_2O_3催化剂中毒与氧吸附

应用化学 2001年第1期18卷 73-75页

作者：冯如彬姚宏伟河北建筑科技学院化学教研室邯郸056038

The effect of CuSO 4 on the property of catalyst CuO/Al 2O 3 has been investigated. The TPD MS results showed that the amount of oxygen adsorbed on the surface of CuSO 4 CuO/Al 2O 3 increased with CuSO 4 content in the catalyst and the oxygen desorbed only at temperature above 900 K . TPSR results showed three adsorption sites of NO on the surface of CuO/Al 2O 3, respectively at 398, 643 and 683 K. The active site at 683 K was for NO decomposition and it was poisoned seriously when there was CuSO 4 in the CuO/Al 2O 3. For CuSO 4 CuO/Al 2O 3 the amount of N 2O formed from NO decomposition reduced probably due to the increase of oxygen species in the catalyst.

关键词：氧化铜催化剂中毒氧吸附燃煤烟气二氧化硫氮氧化物氧化铝催化还原废气处理

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TiO_2表面氧吸附模拟与氧敏特性研究

传感器与微系统 2007年第4期26卷 28-30,33页

作者：叶伟国潘海波绍兴文理学院物理系浙江绍兴312000 福州大学化学系福建福州350002

根据经典的统计理论，并结合麦克斯韦速率分布律得出吸附过程中O2吸附量的理论模型，从而获得氧吸附面密度与温度、氧分压的理论变化规律。在活化能Ea=0．30eV的情况下，TiO2对氧气吸附的温度敏感区域在120～410K之间，最佳吸附温度为3... 详细信息

根据经典的统计理论，并结合麦克斯韦速率分布律得出吸附过程中O2吸附量的理论模型，从而获得氧吸附面密度与温度、氧分压的理论变化规律。在活化能Ea=0．30eV的情况下，TiO2对氧气吸附的温度敏感区域在120～410K之间，最佳吸附温度为370K，这与由金红石相TiO2所制成氧敏元件的最佳灵敏度所处的工作温度（378K）相近。并由模拟理论推测O2在半导体表面的吸附面密度与氧分压呈线性增加。

关键词：气体传感器氧吸附能量粒子活化能

电解银催化剂上氧吸附物种的原位共焦显微激光拉曼光谱研究

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石油化工 2004年第z1期33卷 543-545页

作者：任丽萍戴维林曹勇范康年复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室上海200433

采用原位共焦显微激光拉曼实验技术,详细研究了电解银表面氧物种随温度的变化情况,首次发现工业电解银催化剂表面的氧物种不会随温度升高直接脱附,而是发生一个非常复杂的转化过程,最后得到的Ag-O(γ)物种可以稳定至600℃以上.

关键词：电解银氧吸附激光拉曼原位共焦显微

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MoSi_2(001)表面的氧吸附行为

原子与分子物理学报 2010年第4期27卷 751-757页

作者：杜伟张来启北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083 中国石油天然气管材研究所西安710065

运用第一原理密度泛函理论方法,首先计算了MoSi_2各清洁表面的表面能,(001)Si-|-Si断面具有较低的表面能,是MoSi_2最可能的解理面;通过生成能及键布居分析研究了单氧原子、双氧原子及氧分子在(001)Si-|-Si断面的吸附行为,发现单氧原子... 详细信息

运用第一原理密度泛函理论方法,首先计算了MoSi_2各清洁表面的表面能,(001)Si-|-Si断面具有较低的表面能,是MoSi_2最可能的解理面;通过生成能及键布居分析研究了单氧原子、双氧原子及氧分子在(001)Si-|-Si断面的吸附行为,发现单氧原子在空位处吸附最稳定,此时O极易与Si结合,得到的Si-O-Si键长及键角与SiO_2的非常接近,表明低浓度下O极易与表面的Si结合生成SiO_2;双氧原子发生空位+顶位吸附时O原子除与Si有强作用外,可与Mo有一定相互作用;氧分子以平行的方式接近空位最有利于吸附,此时氧分子最易分解为氧原子,发生氧原子在空位的吸附.

关键词： MoSi2 表面能生成能氧吸附第一原理