氧吸附金刚石(100)表面的电子结构
作者机构：清华大学摩擦学国家重点实验室北京100084 清华大学核能与新能源技术研究院北京100084
出 版 物：《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)
年 卷 期：2006年第51卷第12期
页 面：1377-1382页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:50475018,50505020) 北京市科技计划资助项目
主 题：第一原理 氧吸附 金刚石(100)表面 电子结构
摘 要：利用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了桥接型和顶接型氧吸附金刚石(100)表面的平衡态几何结构和电子结构．结果表明,桥接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中不存在表面态,价带中的占据态主要由O 2p未成键轨道和C-O轨道、C-H轨道作用诱发,而顶接型氧吸附金刚石(100)表面带隙中存在未占据态,来源于C 2p和O 2p的未成键轨道,价带中占据态则由O 2p未成键轨道和C=Oπ键诱发．
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