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机构

  • 1 篇 长春理工大学
  • 1 篇 武汉电信器件公司
  • 1 篇 武汉大学

作者

  • 1 篇 王任凡
  • 1 篇 谢浩锐
  • 1 篇 岳爱文
  • 1 篇 沈坤
  • 1 篇 石兢

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=氧化限制"
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850nm氧化限制型VCSEL研究
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光通信研究 2004年 第2期 36-38,58页
作者： 岳爱文 王任凡 沈坤 石兢 武汉电信器件公司 湖北武汉430074 武汉大学物理系 湖北武汉430072
通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
垂直腔面发射激光器阵列的研究
垂直腔面发射激光器阵列的研究
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作者： 谢浩锐 长春理工大学
学位级别：硕士
垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers，简称VCSELs)作为一种新型激光器，具有优越的光电性能，且出射光垂直于衬底，便于制作高密度二维阵列，所以垂直腔面发射激光器阵列的相关研究成为世界范围内的研究热点。... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
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