垂直腔面发射激光器阵列的研究

作     者：谢浩锐 

作者单位：长春理工大学 

学位级别：硕士

导师姓名：钟景昌

授予年度：2004年

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

主      题：垂直腔面发射激光器 阵列 分布布拉格反射镜 氧化限制 

摘      要：垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers，简称VCSELs)作为一种新型激光器，具有优越的光电性能，且出射光垂直于衬底，便于制作高密度二维阵列，所以垂直腔面发射激光器阵列的相关研究成为世界范围内的研究热点。 本文从VCSEL的基本理论出发，研究了作为VCSEL谐振腔镜的分布布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflectors，简称DBR)的特性，得到DBR的相关参数。讨论阵列中的热效应，得出各单元器件之间的最佳距离。研究了湿法氧化工艺，得到最佳氧化参数，并对VCSEL芯片进行氧化，制成了3×3阵列。最后自制了VCSEL测试系统，可以用于VCSEL整片性能的初步测试，包括是否发光、阈值电流、近场、远场等。