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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 材料科学与工程（可...

主题

  • 2 篇 氧化铯薄膜
  • 1 篇 光电子
  • 1 篇 时间响应
  • 1 篇 半导体薄膜
  • 1 篇 电学性质
  • 1 篇 超微粒子薄膜
  • 1 篇 制备工艺
  • 1 篇 高k栅介质
  • 1 篇 银

机构

  • 2 篇 北京大学

作者

  • 1 篇 吴全德
  • 1 篇 俞挺
  • 1 篇 吴锦雷
  • 1 篇 康晋锋
  • 1 篇 韩汝琦
  • 1 篇 刘晓彦
  • 1 篇 王玮
  • 1 篇 张朝晖
  • 1 篇 郭翎健
  • 1 篇 连贵君
  • 1 篇 熊光成

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=氧化铯薄膜"
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埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
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引用
Journal of Semiconductors 1995年 第11期16卷 842-848页
作者： 吴锦雷 郭翎健 吴全德 北京大学无线电电子学系
超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求．本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究，讨论了时间传递扩展（ＴＴＳ）和峰值响应时间（ｔＭ）．超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加，薄膜... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
CeO_2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质
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引用
Journal of Semiconductors 2001年 第7期22卷 865-870页
作者： 康晋锋 刘晓彦 王玮 俞挺 韩汝琦 连贵君 张朝晖 熊光成 北京大学微电子所 北京100871 北京大学物理系 北京100871
研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀积方法在 Si(10 0 ... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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