埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
Study on Response Time of Photoemission of Cs_2O Thin Film Embedded with Ag Ultrafine Particles作者机构：北京大学无线电电子学系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1995年第16卷第11期
页 面：842-848页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求．本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究，讨论了时间传递扩展（ＴＴＳ）和峰值响应时间（ｔＭ）．超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加，薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高，但光电子的时间响应因增加而会变差．本文以Ａｇ－Ｏ－ＣＳ薄膜为例，计算了不同情况下光电子从Ａｇ超微粒子穿过Ｃｓ２Ｏ半导体层跃迁到真空的时间响应，得到该薄膜在１．０６μｍ红外光作用下，光电子的时间响应约５０ｆｓ．
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