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有机源制备的氢化非晶碳膜的新颖发光行为

南京大学学报（自然科学版） 2001年第4期37卷 497-501页

作者：黄晓辉徐骏李伟马天夫王立陈坤基南京大学物理系

利用有机碳源 (二甲苯 ) ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统制备了一系列氢化非晶碳 (a C :H)薄膜样品 .与利用甲烷 (CH4)制备的a C :H不同 ,该样品的光致发光峰位于蓝绿光范围并且呈现多峰结构 ,而不是表现为一个较宽的单峰 ... 详细信息

利用有机碳源 (二甲苯 ) ,采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统制备了一系列氢化非晶碳 (a C :H)薄膜样品 .与利用甲烷 (CH4)制备的a C :H不同 ,该样品的光致发光峰位于蓝绿光范围并且呈现多峰结构 ,而不是表现为一个较宽的单峰 .同时样品发光峰的特征随着制备过程中功率不同而变化 .认为 :a C :H薄膜中的芳香环结构的引入产生了新的发光中心。

关键词：有机源光致发光氢化非晶碳膜制备等离子体增强化学气相沉积发光特性

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氢化非晶碳膜与硅的界面特性

微电子学与计算机 1993年第11期10卷 47-48,F003页

作者：毛友德合肥工业大学应用物理系安徽合肥230009

利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H(氢化非晶碳)膜,通过测量Al/a-C:H/Si MIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性.结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。

关键词：硅氢化非晶碳膜界面特性

金刚石膜和氢化非晶碳膜电阻率测量的对比研究

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首都师范大学学报（自然科学版） 2001年第4期22卷 20-22,30页

作者：胡颖徐力高秀首都师范大学物理系

对金刚石膜和氢化非晶碳膜的电阻率测试方法进行了对比研究 .即对金刚石膜采用“大”尺度电极 ,氢化非晶碳膜采用“大”尺度电极和小尺度电极测量I-V曲线进行对比分析和讨论。

关键词：金刚石膜氢化非晶碳膜电极测量电阻率金属-半导体-金属结构电学性能 I-V特性曲线

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非晶碳氢薄膜结构及光学间隙

材料科学与工艺 2000年第2期8卷 58-61页

作者：刘东平李芳俞世吉马腾才大连理工大学三束国家重点实验室辽宁大连116023 辽宁师范大学化学系辽宁大连116029

利用完全抑制网络结构 (FCN)对氢化非晶碳 (α -C :H)膜组成进行模拟计算 ,得出形成质密α -C :H膜条件是H、SP2 C和SP3 C在其三元相图中应在一个三角形区域内 .大量实验数据表明 ,模拟结果与实验结果相当吻合 .在α -C :H中主要存在氢... 详细信息

利用完全抑制网络结构 (FCN)对氢化非晶碳 (α -C :H)膜组成进行模拟计算 ,得出形成质密α -C :H膜条件是H、SP2 C和SP3 C在其三元相图中应在一个三角形区域内 .大量实验数据表明 ,模拟结果与实验结果相当吻合 .在α -C :H中主要存在氢、四面体碳、乙烯、苯环和双苯等结构 ,它们相对含量在三角形区域内变化 .该理论模拟对薄膜光学间隙的实验分析给予了很好的解释 .

关键词：氢化非晶碳膜光学间隙 FCN 结构 DLC

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钴合金人工关节类金刚石薄膜表面改性

钴合金人工关节类金刚石薄膜表面改性

作者：邓兴瑞西南交通大学

学位级别：硕士

目前人工关节中使用最广泛的是钴合金-超高分子量聚乙烯(UHWMPE)假体,而二者摩擦过程中产生的磨屑是其失效的主要原因。为了降低钴合金关节在体液中释放离子的潜在危害,减少与UHWMPE摩擦过程中磨屑的产生,本文利用电子回旋共振-等离子... 详细信息

目前人工关节中使用最广泛的是钴合金-超高分子量聚乙烯(UHWMPE)假体,而二者摩擦过程中产生的磨屑是其失效的主要原因。为了降低钴合金关节在体液中释放离子的潜在危害,减少与UHWMPE摩擦过程中磨屑的产生,本文利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法在钴合金表面制备氢化非晶碳膜。本文采用乙炔和氢气作为反应气体制备氢化无定形碳膜(a-C:H),研究氢气流量和偏压对薄膜结构和性能的影响。利用拉曼光谱(Raman),傅里叶红外光谱(FTIR)等方法研究薄膜的结构;利用基片曲率法(Curvature method)测量薄膜内部的残余应力,利用纳米硬度的方法检测薄膜的硬度,利用划痕法和压痕法评价薄膜与基体的结合强度,通过往复式摩擦磨损检测薄膜的耐磨性。研究结果表明,在相同的脉冲偏压下(-400V),随氢气流量增加,薄膜沉积速率降低,而薄膜sp3键含量、残余内应力、硬度和弹性模量增大;在氢气流量不变(40sccm)的情况下,较低偏压(-100V)制备的薄膜出现聚合结构,随基体偏压的增加,薄膜沉积速率降低,残余内应力增大,氢含量降低,薄膜与基体之间结合力增强。为了提高薄膜的力学性能以及耐磨性,利用乙炔和氩气作为反应气体制备四面体氢化无定形碳膜(ta-C:H),研究了偏压对薄膜结构和性能的影响。随着偏压增大,薄膜sp3键含量降低、硬度降低、内应力提高、结合力下降,-800V制备的薄膜具有最优异的耐磨性。采用制备过渡层的方法提高薄膜与基体的结合强度。利用等离子体浸没离子注入的方法制备的氮化过渡层和利用磁过滤真空电弧镀的方法制备的ta-C过渡层使薄膜和基体之间的结合力得到提高,其中ta-C过渡层提高结合力的效果更为显著。研究同时发现,不同基体(硅片、玻璃片、钴合金)上制备的类金刚石薄膜结构、性能不同,玻璃片上沉积的薄膜氢含量较高、力学性能差、结合力弱;硅片和钴合金表面制备的薄膜sp3键含量和硬度都很高。选择ECR-PECVD方法制备的ta-C/ta-C:H和FCVA方法制备的ta-C薄膜,与超高分子量聚乙烯在小牛血清之中进行摩擦。结果显示,相比未改性的钴合金,两种改性涂层都显著降低了钴合金表面的磨损情况。

关键词：人工关节氢化非晶碳膜电子回旋共振等离子增强化学气相沉积膜基结合力耐磨性

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非晶碳氢薄膜完全抑制网络结构研究

真空与低温 1999年第4期5卷 198-201页

作者：李芳刘东平宋志民辽宁师范大学化学系大连116029 大连理工大学化工学院大连116024

利用完全抑制网络结构（ＦＣＮ）对氢化非晶碳（ａ－Ｃ∶Ｈ）膜组成进行模拟计算，得出形成质密ａ－Ｃ∶Ｈ膜条件是Ｈ、ＳＰ２Ｃ和ＳＰ３Ｃ在其三元相图中应在一个三角形区域内。大量实验数据表明，模拟结果与实验结果相当吻合。... 详细信息

利用完全抑制网络结构（ＦＣＮ）对氢化非晶碳（ａ－Ｃ∶Ｈ）膜组成进行模拟计算，得出形成质密ａ－Ｃ∶Ｈ膜条件是Ｈ、ＳＰ２Ｃ和ＳＰ３Ｃ在其三元相图中应在一个三角形区域内。大量实验数据表明，模拟结果与实验结果相当吻合。在ａ－Ｃ∶Ｈ中主要存在氢、四面体碳、乙烯、苯环和双苯等结构，它们相对含量可由公式理论计算得出。

关键词：氢化非晶碳膜安全抑制网络结构 FCN