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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 3 篇 正向阻断电压
  • 2 篇 静电感应晶闸管
  • 1 篇 导通压降
  • 1 篇 耐压容量
  • 1 篇 控制
  • 1 篇 静态特性
  • 1 篇 栅-阴击穿电压
  • 1 篇 耐压参数
  • 1 篇 mos控制晶闸管(mc...
  • 1 篇 sith
  • 1 篇 p基区
  • 1 篇 栅阴击穿电压

机构

  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 兰州大学
  • 1 篇 青海师范高等专科...
  • 1 篇 陕西金山电气集团...
  • 1 篇 华东光电集成器件...

作者

  • 1 篇 刘中梦雪
  • 1 篇 刘肃
  • 1 篇 丁继洪
  • 1 篇 黄伟
  • 1 篇 赵建强
  • 1 篇 段懿晨
  • 1 篇 刘垚
  • 1 篇 吴烈琴
  • 1 篇 郭聚卿
  • 1 篇 张海峰
  • 1 篇 姚琢
  • 1 篇 李峰
  • 1 篇 薛伟东
  • 1 篇 刘兴民

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=正向阻断电压"
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SITH耐压容量的控制和调节
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兰州大学学报（自然科学版） 2001年 第5期37卷 42-47页
作者： 姚琢 薛伟东 刘肃 青海师范高等专科学校电子工程系 青海西宁810007 兰州大学物理科学与技术学院 甘肃兰州730000
分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅
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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
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半导体技术 2023年 第6期48卷 476-481,487页
作者： 刘中梦雪 黄伟 刘垚 张海峰 段懿晨 丁继洪 赵建强 华东光电集成器件研究所 安徽蚌埠233030 复旦大学微电子学院 上海200433
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行... 详细信息
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静电感应晶闸管耐压参数的控制
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陕西科技大学学报（自然科学版） 2003年 第2期21卷 79-81页
作者： 郭聚卿 李峰 吴烈琴 刘兴民 陕西金山电气集团有限公司 陕西咸阳712021
讨论了静电感应晶闸管中的两个耐压参数———正向阻断电压和栅—阴击穿电压 。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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