SITH耐压容量的控制和调节
Control and Adjustment for Voltage Capacity of SITH作者机构：青海师范高等专科学校电子工程系青海西宁810007 兰州大学物理科学与技术学院甘肃兰州730000
出 版 物：《兰州大学学报（自然科学版）》 (Journal of Lanzhou University(Natural Sciences))
年 卷 期：2001年第37卷第5期
页 面：42-47页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：甘肃省自然科学基金 (ZS0 0 1- A2 5 - 0 4 4 - C)资助项目
主 题：SITH 正向阻断电压 栅阴击穿电压 静电感应晶闸管 耐压容量
摘 要：分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅
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