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可见、近红外椭偏光谱仪

激光与红外 1998年第3期28卷 165-168页

作者：杜泉郭文胜朱自强黄世平四川工业学院物理实验中心四川大学光电系香港中文大学电子工程系

介绍了计算机自动控制测量可见、近红外椭偏光谱仪。文中着重论述了将探测光波段由可见光区拓展到近红外范围时所需要注意的问题。其系统基本参数为：测量波长范围由可见光４００ｎｍ到近红外２０００ｎｍ；系统光谱分辩率：可见光范围... 详细信息

介绍了计算机自动控制测量可见、近红外椭偏光谱仪。文中着重论述了将探测光波段由可见光区拓展到近红外范围时所需要注意的问题。其系统基本参数为：测量波长范围由可见光４００ｎｍ到近红外２０００ｎｍ；系统光谱分辩率：可见光范围０．５ｎｍ，近红外范围１．０ｎｍ；入射角６７．５度。经过实验检验了系统的重复性及准确度，证明系统可用于高精度薄膜厚度的检测。

关键词：椭偏光谱仪薄膜检测近红外椭偏光谱

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基于椭偏光谱仪的石英晶体参数研究

基于椭偏光谱仪的石英晶体参数研究

作者：张蓓蓓曲阜师范大学

学位级别：硕士

随着椭偏光谱测量技术的不断发展，椭偏光谱仪作为一种测量工具已经被广泛的应用于测量薄膜材料和块状材料的光学参数。椭偏光谱测量技术与传统的偏光测量技术相比具有测量速度快、测量精度高、数据测量重复率高、不用与样品接触对样品... 详细信息

随着椭偏光谱测量技术的不断发展，椭偏光谱仪作为一种测量工具已经被广泛的应用于测量薄膜材料和块状材料的光学参数。椭偏光谱测量技术与传统的偏光测量技术相比具有测量速度快、测量精度高、数据测量重复率高、不用与样品接触对样品造成的破坏性最小等特点。利用椭偏光谱仪可以快速得到从红外、可见光到紫外光的宽波段内和各自随波长变化的色散曲线，光学材料或器件的很多光学参数都间接的与和有一定的关系，通过对和图谱的分析可以得到样品一系列的参数例如：薄膜厚度，复合膜中各成分的组分，介电常数，晶体双折射率等。石英晶体是常用的光学晶体材料，常用于制造波片、棱镜等与位相、偏振等相关的光学元器件，因而石英晶体以及由其制成的光学器件的光学参数的精密测量具有重要的现实意义。本文从以下几个方面展开研究：首先，椭偏光谱仪可以直接、快速的给出偏振光通过样品作用后P、S两方向偏振光位相差，我们用琼斯矩阵对这一过程进行分析，找到一种快速、准确判断石英波片光轴方向的新方法。其次，椭偏光谱仪测量的P、S两方向位相差与晶体双折射率值有着直接关系，我们还利用椭偏光谱仪直接给出位相差来精确测量常用激光通讯波长下石英晶体的双折射率。最后，晶体双折射率受温度影响很大，以致温度变化影响了石英晶体为原料做成的各种光学元件的性能，为了使石英晶体做成的各种光学元件精度更高，我们可以利用椭偏光谱仪和其自身的温控装置来测量石英晶体双折射率随温度的变化，这将为高质量、高稳定性器件的设计和制造奠定基础。

关键词：椭偏光谱仪石英晶体偏振光双折射率

用椭偏光谱仪测量不同波长下砷化镓的光学参量

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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物理实验 2000年第12期20卷 10-12,15页

作者：魏爱俭连洁山东大学光电子信息工程系济南250100

讨论了把单波长 TP- 77型椭偏仪改装成椭偏光谱仪的原理 ,并用改装后的椭偏仪测量多个波长下Ga As的光学参量 ,测量结果与参考文献的结果符合较好 .改进后的实验提高了学生的动手能力。

关键词：椭偏光谱仪砷化镓光学参理晶体折射率消光系数

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400nm～2000nm椭偏光谱仪的研究

四川工业学院学报 2002年第4期21卷 88-90页

作者：杜泉郭建军四川工业学院电子信息与电气工程系四川成都6100039

建立了计算机自动控制测量 40 0nm～ 2 0 0 0nm椭偏光谱仪系统。经过实验检验了系统的重复性及准确度。

关键词：椭偏光谱仪薄膜检测近红外椭偏光谱计算机控制

用Blanie Johs法校正椭偏光谱仪的样品选择

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西华大学学报（自然科学版） 2005年第1期24卷 83-85,91页

作者：杜泉邓学儒郭文胜西华大学应用物理研究所四川成都610039 四川大学电子信息学院四川成都610041

用BlanieJohs方法使用三种不同的样品对旋转检偏器类型椭偏光谱仪(RAE)进行了系统校正。校正实验结果表明:对于设计建立的系统,在其各元件设备处于非最佳状态下,BlanieJohs方法仍然成功完成了系统的校正任务,证明该方法具有普适性。但... 详细信息

用BlanieJohs方法使用三种不同的样品对旋转检偏器类型椭偏光谱仪(RAE)进行了系统校正。校正实验结果表明:对于设计建立的系统,在其各元件设备处于非最佳状态下,BlanieJohs方法仍然成功完成了系统的校正任务,证明该方法具有普适性。但在校正过程中也发现:为了获得高精度的系统校正结果,使用的校正样品并非如BlanieJohs方法介绍的没有限制,而是需要进行一定的选择。

关键词：椭偏法椭偏光谱仪 Blanie Johs校正法样品选择

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材料表面性质的椭偏光谱分析法

鞍钢技术 1990年第3期 21-24页

作者：黄威鞍钢工学院

本文介绍了椭偏光谱仪的构造以及用这种装置对两种材料表面进行分析,其结果与国外文献所报道的用其它类型椭偏光谱仪所测得的结果完全一致,说明该装置完全可用。又因椭偏光谱分析法具有快速性和非破坏性的优点,因而可将它广泛地应用在... 详细信息

本文介绍了椭偏光谱仪的构造以及用这种装置对两种材料表面进行分析,其结果与国外文献所报道的用其它类型椭偏光谱仪所测得的结果完全一致,说明该装置完全可用。又因椭偏光谱分析法具有快速性和非破坏性的优点,因而可将它广泛地应用在材料鉴别及生产过程的监控上.

关键词：光谱法材料表面性质椭偏光谱仪

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高精度自动化椭圆偏振光谱仪

中山大学学报（自然科学版） 1997年第4期36卷 31-36页

作者：朱德瑞赖天树李秋俊莫党中山大学物理学系

报导了４８６／８０计算机控制的自动化的转动检偏计式的光度法椭圆偏振光谱仪的设计和制造．仪器主要由光学系统、机械转动控制系统和数据采集系统组成．其频谱范围２００～９００ｎｍ，入射角可在５～８５°连续改变，灵敏度达０．１... 详细信息

报导了４８６／８０计算机控制的自动化的转动检偏计式的光度法椭圆偏振光谱仪的设计和制造．仪器主要由光学系统、机械转动控制系统和数据采集系统组成．其频谱范围２００～９００ｎｍ，入射角可在５～８５°连续改变，灵敏度达０．１μＷ光强，有很高的精密度，折射率ｎ达０．００２量级，消光系数ｋ达０．００３量级，准确度ｎ达０．００１量级，ｋ达０．００２量级．实验检验了仪器的精密度和准确度．

关键词：椭偏光谱仪光度法椭圆偏振光谱光谱仪

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射频溅射生长的氮化硅膜的椭偏光谱测量

半导体技术 1986年第1期 44-48页

作者：余玉贞张世宏黄炳忠中山大学物理系

本文提出一种处理数据的方法,以解决利用两个椭偏测量值ψ、△,求解两个以上未知参量,得到了在本实验条件下生长的氮化硅膜的实在折射率及其色散,以及氮化硅膜的生长率.实验结果还表明,氮化硅与硅衬底间存在一界面层,

关键词：氮化硅膜射频溅射生长率界面层衬底厚度基片椭偏光谱仪

磁控溅射和能量过滤磁控溅射TiO_2薄膜结构和光学性质的对比研究

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功能材料 2018年第7期49卷 7088-7092页

作者：赵遵杰王朝勇吴丹张世慧夏雨姚宁郑州大学物理工程学院郑州450052 河南城建学院数理学院河南平顶山467036

磁控溅射是一种广泛应用的薄膜制备技术。能量过滤磁控溅射是对磁控溅射技术加以改进后的一种薄膜制备技术。通过改变能量过滤磁控溅射技术过滤电极网孔大小制备TiO_2薄膜,研究了网孔目数对薄膜物相结构、表面形貌以及光学性质的影响,... 详细信息

磁控溅射是一种广泛应用的薄膜制备技术。能量过滤磁控溅射是对磁控溅射技术加以改进后的一种薄膜制备技术。通过改变能量过滤磁控溅射技术过滤电极网孔大小制备TiO_2薄膜,研究了网孔目数对薄膜物相结构、表面形貌以及光学性质的影响,并与磁控溅射技术制备的TiO_2薄膜进行了对比研究。结果表明:(1)能量过滤磁控溅射技术较磁控溅射技术所制备薄膜的结构均匀性更加优异,薄膜的透射率由86.5%增大到91.4%、波长500nm处折射率由1.61增加到1.68、波长300nm处消光系数由0.42降低到0.12;(2)能量过滤磁控溅射技术过滤电极网孔目数不同时薄膜的结晶性能、表面粗糙度以及光学性质均存在差异,且随网孔目数的增加呈周期性变化;(3)过滤电极网孔目数为8目时,薄膜的结晶性能较好、薄膜较为均匀、透射率较高,为91.4%。

关键词：磁控溅射能量过滤磁控溅射 TiO2薄膜光学性质椭偏光谱仪