检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 1985年第1期 49-54页

作者：潘晓明南京固体器件研究所

提出了一种新型的凹源结构场效应晶体管(简称RSFET). 对RSFET进行了二维计算机模拟,并与其它结构的场效应晶体管进行了比较.

关键词：场效应晶体管 FET 计算机模拟二维分析单极晶体管场效应器件计算机仿真栅电极栅长源结构

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功率GaAsFET在毫米波段的开发前景

计算机与网络 1989年第2期 57-63页

作者：黄廷荣南京电子器件研究所

本文评述了功率GaA sFET向毫米波段开拓的背景;预测了在毫米波段功率GaA sFET的微波性能;介绍了目前功率GaAsFET在准毫米波段的典型研究开发进展;给出了结论.

关键词：毫米波段 GaAsFET 频段栅长 FET

圆柱形压力容器开孔接管三维有限元计算的电测实验验证

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化工与通用机械 1982年第6期 6-11页

作者：张康达王兴华方德明沈观林郁吉仁廖兼武浙江工学院清华大学

前言由于工程的需要,大多数圆柱形压力容器需在侧壁开孔,外接接管。壳体几何形状在连接处的突然变化,就会产生边缘效应。分析这种应力的困难性,在于圆柱形壳侧壁开孔破坏了原来结构的轴对称性。以往的工程计算都假设筒体的径向尺寸比接... 详细信息

前言由于工程的需要,大多数圆柱形压力容器需在侧壁开孔,外接接管。壳体几何形状在连接处的突然变化,就会产生边缘效应。分析这种应力的困难性,在于圆柱形壳侧壁开孔破坏了原来结构的轴对称性。以往的工程计算都假设筒体的径向尺寸比接管的径向尺寸大得多(一般要求大3～4倍以上),此时用一个当量的(即等效的)球壳或圓板来代替原来的圆柱壳,从而简化为轴对称壳体求得近似的解析

关键词：箔式应变片栅长实测值计算值有限元计算圆柱形压力容器

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超高速高电子迁移率晶体管集成电路研制概况

微纳电子技术 1987年第5期 21-27页

作者：戴玲华

叙述了最近几年来国外研制超高速高电子迁移率晶体管集成电路的进展情况。现在用该器件做成了直接耦合场效应晶体管逻辑电路,在77K下,环形振荡器的延迟时间已经缩短到5.8ps/门,1/2分频器的输入频率是13GHz。因此,研制结果表明高电子迁... 详细信息

叙述了最近几年来国外研制超高速高电子迁移率晶体管集成电路的进展情况。现在用该器件做成了直接耦合场效应晶体管逻辑电路,在77K下,环形振荡器的延迟时间已经缩短到5.8ps/门,1/2分频器的输入频率是13GHz。因此,研制结果表明高电子迁移率晶体管是当前已知的半导体器件中速度最快的一种器件,这种器件非常适合制造高速LSIC,对开发超高速电子计算机有重要意义。

关键词：环形振荡器 HEMT 栅长高电子迁移率晶体管器件延迟时间逻辑摆幅 FET 外延层 GaAs MBE 互补电路分频器分音器滤波器

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简讯

半导体技术 1978年第1期 5-36+47-68+72-73页

GaAsFET在功率和频率方面达到新的水平德克萨斯仪器公司认为,在4～30千兆赫范围内,GaAsFET将是主要的微波功率源。在许多x波段系统中将代替耿二极管和崩越二极管。在空军资助下他们研制的GaAsFET在10千兆赫下输出3.2瓦、增益6分贝、效... 详细信息

GaAsFET在功率和频率方面达到新的水平德克萨斯仪器公司认为,在4～30千兆赫范围内,GaAsFET将是主要的微波功率源。在许多x波段系统中将代替耿二极管和崩越二极管。在空军资助下他们研制的GaAsFET在10千兆赫下输出3.2瓦、增益6分贝、效率22％,单个器件在8千兆赫下输出5.1瓦,增益5分贝、效率35％。该公司将把8千兆赫1瓦的器件MSX803的单价由1000美元降到250美元(1～9只一批)。并予计在年内将能出售8千兆赫2瓦的器件,其价格可能是1瓦器件的2～3倍,大约是500美元到750美元。

关键词：计量单位 FET GaAs 用字千兆赫肖特基栅振荡器电子设备栅长腐蚀液

用于GaAs集成电路设计的一个MESFET模型

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微纳电子技术 1986年第1期 27-35页

作者： R. Walter 姚海伦

本文提出了一个适用于普通时域电路模拟程序的MESFET模型。模型参数的赋值是由实验数据或较细致的器件分析得来的。该模型比早期的模型完善,过去的模型忽略了渡越时间和其他效应。文中讨论了一个集成电路(IC)设计实例。

关键词： MESFET 电路模拟双栅器件内建势渡越时间效应栅长 GaAs

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富士通研究所研制成562GHz的HEMT

半导体信息 2003年第1期 26-27页

作者：盛柏桢

日本富士通研究所、通信综合研究所和大阪大学院基础工学研究科共同研制成截止频率为562GHz 的 HEMT。由于这种超高速晶体管的开发,作为下一代超高速光通信系统,可实现有望实用化的160Gbps 传输速度的电子电路。另外。

关键词：光通信系统截止频率栅长 HEMT Hz 日本富士通综合研究所沟道效应大阪大学器件结构

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制作短沟道硅MESFET的自对准工艺

半导体技术 1987年第3期4卷 62-63页

作者：赵平海

不久以前,国外报导了一种制作短沟道硅MESFET(金属半导体场效应晶体管)的自对准工艺方法,用此方法制得的MESFET的栅长为0.2μm,源漏n^+区的间距为1.2μm.实现了除衬底的给电容外的主要寄生元件都很小的短沟道FET.这个制作方法采用电子... 详细信息

不久以前,国外报导了一种制作短沟道硅MESFET(金属半导体场效应晶体管)的自对准工艺方法,用此方法制得的MESFET的栅长为0.2μm,源漏n^+区的间距为1.2μm.实现了除衬底的给电容外的主要寄生元件都很小的短沟道FET.这个制作方法采用电子束曝光法使栅长缩短到亚微米。

关键词： MESFET 自对准工艺沟道区栅长

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改善GsAs MESFET性能的考虑

半导体技术 1987年第3期4卷 51-52,50页

作者：袁明文电子工业部十三所

1966年,C·A·Mead首先应用GaAs材料,制造肖特基势垒FET(即GaAs MESFET).从此,该器件进入蓬勃发展的黄金时代.1976年,Plessey的R·S·Pengelly等报道了第一支GaAs X波段单片放大器.GaAs的分立器件大致可划分为低噪声MESFET和功率MESFET.

关键词： GsAs MESFET AI 器件性能有源层栅长 GaAs 迁移率跨导

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适于制备各种GaAs MESFET亚半微米栅的堆积掩蔽技术

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微纳电子技术 1983年第4期 26-28页

作者：杨耀中

为获得可控尺寸的亚半微米栅长,研究了一种用常规光刻和两步蒸发工艺的堆积掩蔽技术。这种新方法可以大量生产具有多层金属化系统的自对准和深凹槽栅。用这种技术已经制备了单栅和双栅GaAs MESFET,其铬/金栅的栅长为0.2μm,栅金属层的... 详细信息

为获得可控尺寸的亚半微米栅长,研究了一种用常规光刻和两步蒸发工艺的堆积掩蔽技术。这种新方法可以大量生产具有多层金属化系统的自对准和深凹槽栅。用这种技术已经制备了单栅和双栅GaAs MESFET,其铬/金栅的栅长为0.2μm,栅金属层的厚度为0.9μm(即高宽比为4.5)。这种技术可以用来生产高频低噪声MESFET。

关键词： MESFET GaAs MESFET 凹槽栅栅长