凹源结构场效应晶体管
A Novel FET with a Recessed Source Structure
作 者：潘晓明
作者机构：南京固体器件研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1985年第1期
页 面：49-54页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：场效应晶体管 FET 计算机模拟 二维分析 单极晶体管 场效应器件 计算机仿真 栅电极 栅长 源结构
摘 要：提出了一种新型的凹源结构场效应晶体管(简称RSFET). 对RSFET进行了二维计算机模拟,并与其它结构的场效应晶体管进行了比较.
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