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文献类型

  • 11 篇 期刊文献
  • 2 篇 学位论文

馆藏范围

  • 13 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 12 篇 工学
    • 10 篇 电子科学与技术（可...
    • 8 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 计算机科学与技术...
  • 1 篇 经济学
    • 1 篇 应用经济学

主题

  • 13 篇 栅极氧化层
  • 2 篇 可靠性
  • 2 篇 场效应管
  • 2 篇 工艺技术
  • 2 篇 器件
  • 2 篇 阈值电压
  • 1 篇 复杂度
  • 1 篇 划片
  • 1 篇 二氧化硅
  • 1 篇 离子注入
  • 1 篇 cmos
  • 1 篇 多晶硅栅极
  • 1 篇 难熔金属
  • 1 篇 高压mos器件
  • 1 篇 短路检测
  • 1 篇 tddb
  • 1 篇 离子风
  • 1 篇 亚阈值泄漏
  • 1 篇 绷膜
  • 1 篇 揭膜

机构

  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 无锡市无线电元件...
  • 1 篇 zalink公司
  • 1 篇 中国科学院沈阳自...
  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 浙江华越芯装电子...

作者

  • 1 篇 john ellis
  • 1 篇 尼汀·夏
  • 1 篇 王义贤
  • 1 篇 商智渊
  • 1 篇 王德凡
  • 1 篇 王宏
  • 1 篇 许喆
  • 1 篇 翁寿松
  • 1 篇 杨松
  • 1 篇 杨志家
  • 1 篇 joshua israelsoh...
  • 1 篇 田园
  • 1 篇 朴慧京

语言

  • 13 篇 中文
检索条件"主题词=栅极氧化层"
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利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压
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引用
世界电子元器件 2002年 第7期 48-49页
作者： John Ellis Zalink公司
简介传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)... 详细信息
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彩电开关电源主要器件及其特性(二)
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家电检修技术（资料版） 2011年 第2期 56-57页
作者： 朴慧京
2．低电荷的功率MOSFET系列器件1997年美国国际整流器GR）公司推出了最新的低电荷HEXFET，即新型MOSFET功率管IRFP450LC、IRFP460LC、IRF740LC、IRFBBC40LC等。由于采用了用较窄的多晶硅线、较厚的栅极氧化层、较低的沟道注入等新工艺... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
Xilinx工艺技术与策略助力VIRTEX-5器件量产
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引用
电子设计应用 2007年 第7期 125-125页
作者： 田园
在下一次互联网浪潮中,语音、视频和数据将融合于同一网络,称为"三网联合业务"。在预期消费者对新型移动和固定业务的需求将不断增长的情况下,如何使现有的网络基础设施获得重生已成为全球电子行
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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