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有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究

Journal of Semiconductors 2002年第6期23卷 599-603页

作者：马瑾郝晓涛马洪磊张德恒徐现刚山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100

采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺... 详细信息

采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构 .Sn O2 ∶ Sb薄膜中 Sb2 O3的最佳掺杂比例为 6 % .适当调节制备参数 ,可以获得在可见光范围内平均透过率大于 85 %的有机衬底 Sn O2 ∶ Sb透明导电薄膜 ,其电阻率～ 3.7× 10 - 3Ω· cm ,载流子浓度～ 1.5 5× 10 2 0 cm- 3,霍耳迁移率～ 13cm2 · V- 1 ·

关键词：有机衬底 SnO2:Sb膜磁控溅射透明导电膜二氧化锡

有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性

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中国科学（G辑） 2003年第5期33卷 448-453页

作者：马瑾黄树来马洪磊盖凌云山东大学物理与微电子学院济南250100 莱阳农学院教育技术中心莱阳265200

采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究。制备的薄膜为非晶结构,薄膜与衬底有良好的附着性。性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×10^(-2)Ω·cm,载流子浓... 详细信息

采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究。制备的薄膜为非晶结构,薄膜与衬底有良好的附着性。性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×10^(-2)Ω·cm,载流子浓度为4.4×10^(19) cm^(-3),Hall迁移率为12.4 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。薄膜在可见光范围的平均透过率达到了82％。

关键词：射频磁控溅射有机衬底锌-锡-氧透明导电膜非晶结构电阻率薄膜太阳能电池载流子浓度

薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响

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材料科学与工程学报 2016年第3期34卷 348-352,366页

作者：张哲浩吕建国江庆军叶志镇硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程学院浙江杭州310027 材料科学系金日成综合大学平壤朝鲜420216

在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明... 详细信息

在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。

关键词： ZnO∶Ga薄膜应力基片曲率法直流磁控溅射有机衬底

射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究

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功能材料 2003年第4期34卷 452-453,457页

作者：张士勇马瑾刘晓梅马洪磊郝晓涛长安大学理学院陕西西安710064 山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所山东济南250100 山东大学计算机科学与技术学院山东济南250100

　采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二... 详细信息

　采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。

关键词： SnO2:Sb透明导电膜射频磁控溅射有机衬底光电性质

直流磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al薄膜结构及特性的研究

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真空 2007年第6期44卷 57-60页

作者：马康王海燕王子建卢景霄郜小勇郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室河南省郑州450052

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO:Al透明导电膜,对制备薄膜的结构和光学特性进行了比较研究。研究发现:铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构;在衬底温度为100℃,溅射压强1.0 ... 详细信息

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO:Al透明导电膜,对制备薄膜的结构和光学特性进行了比较研究。研究发现:铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构;在衬底温度为100℃,溅射压强1.0 Pa,氧氩比为1:2.58时,ZnO:Al薄膜具有(002)择优取向,晶化也比较好,在可见光区的平均透过率分别达到了77.6%和82%。

关键词：有机衬底氧分比 ZnO Al 晶化

有机衬底上掺Sb的SnO_2透明导电膜的性质与制备参数关系的研究

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光电子技术 2002年第2期22卷 63-67页

作者：杨田林杨光德高绪团万云芳山东理工大学物理系淄博255049

采用射频磁控溅射法在透明聚酯胶片上制备出了 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,主要讨论了制备条件对薄膜光电特性的影响。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 ,具有明显的 [1 1 0 ]的趋向。通过调节制备参数 ,制备出了电... 详细信息

采用射频磁控溅射法在透明聚酯胶片上制备出了 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,主要讨论了制备条件对薄膜光电特性的影响。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 ,具有明显的 [1 1 0 ]的趋向。通过调节制备参数 ,制备出了电阻率为 3 .7× 1 0 -3 Ω· cm,平均透过率高于 80

关键词：有机衬底导电膜制备参数透明薄膜光电特性溅射掺铅氧化锡

直流磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al薄膜结构特性

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可再生能源 2008年第4期26卷 64-68,72页

作者：张具琴马康王海燕王子建黄河科技大学信息工程学院电子系河南郑州450052 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室河南郑州450052

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO:Al薄膜,并分析了氧分压、溅射压强、沉积时间、温度对薄膜结构特性的影响。研究发现,铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构,ZnO:Al薄膜具有(0... 详细信息

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的ZnO:Al薄膜,并分析了氧分压、溅射压强、沉积时间、温度对薄膜结构特性的影响。研究发现,铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构,ZnO:Al薄膜具有(002)择优取向。在同样的制备条件下,薄膜的晶化在普通玻璃上比在PET衬底上要好,但是在特定的条件下(沉积时间15 min),在PET衬底上的要比普通玻璃衬底上的好。

关键词：有机衬底 ZnO:Al 晶化

不同有机衬底上沉积的ZnO ∶Al透明导电膜的研究

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半导体杂志 1999年第3期24卷 1-4页

作者：陈源张德恒马瑾杨田林山东大学物理系 250100 山东大学光电材料与器件研究所 250100 淄博学院基础部 255200

用射频磁控溅射法在不同的有机衬底上制备出附着性好、电阻率低、透射率高的ＺｎＯ∶ Ａｌ的透明导电膜，并研究了薄膜的结构、电学和光学特性。

关键词：磁控溅射有机衬底透明导电膜 AZO

低温磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及特性

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中国科学（A辑） 2001年第9期31卷 835-840页

作者：郝晓涛马瑾马洪磊田茂华曹宝成叶丽娜程传福滕树云山东大学光电材料与器件研究所济南250100 山东师范大学物理系济南250014

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 59玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO :Al透明导电膜 ,对在低温 ( 2 5～ 2 1 0℃ )下制备薄膜的结构和光电特性进行了比较研究 .铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜 ,具有六角纤锌矿结... 详细信息

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 59玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO :Al透明导电膜 ,对在低温 ( 2 5～ 2 1 0℃ )下制备薄膜的结构和光电特性进行了比较研究 .铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜 ,具有六角纤锌矿结构 ,最佳取向为 ( 0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率分别为 1 .0× 1 0 -3和 8.4× 1 0 -4 Ω·cm ,在可见光区的平均透过率分别达到了 72 %和 85%.

关键词：有机衬底 ZnO:Al透明导电膜玻璃衬底低温磁控溅射氧化锌铝膜结构