检索结果-南通市图书馆

用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究

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物理学报 2005年第8期54卷 3805-3809页

作者：祝祖送林璇英余云鹏林揆训邱桂明黄锐余楚迎汕头大学物理系汕头515063

对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所... 详细信息

对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.

关键词：多晶硅薄膜光照稳定性 H2 化学气相沉积技术气源等离子体增强非晶硅薄膜源气体光电导晶化度稀释度电导率制备衰减

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究

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功能材料 2009年第3期40卷 483-485页

作者：黄锐林璇英余云鹏林揆训韩山师范学院物理系广东潮州521041 汕头大学物理系广东汕头515063

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速... 详细信息

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35 nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜。

关键词：纳米晶硅薄膜 SiCl4 生长速率晶化度

低温下Fe(II)对Ferrihydrite相转化的催化作用研究

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化学学报 2005年第5期63卷 391-395页

作者：刘辉魏雨孙予罕中国科学院山西煤炭化学研究所太原030001 河北师范大学化学学院石家庄050016

研究了在低温、近中性条件下,在微量Fe(II)离子存在下Ferrihydrite(又称为水合氧化铁hydrousironoxide)的相转化过程.结果表明,微量Fe(II)离子的存在不仅可以加速Ferrihydrite的相转化过程,而且其相转化产物的组成也与没有Fe(II)离子存... 详细信息

研究了在低温、近中性条件下,在微量Fe(II)离子存在下Ferrihydrite(又称为水合氧化铁hydrousironoxide)的相转化过程.结果表明,微量Fe(II)离子的存在不仅可以加速Ferrihydrite的相转化过程,而且其相转化产物的组成也与没有Fe(II)离子存在时产物的组成有所不同,即除了α-FeOOH和α-Fe2O3外,还形成了γ-FeOOH;相转化过程既与阴离子的种类、反应温度、反应时间等因素有关,也与Fe(II)离子存在状态有关;Fe(II)离子通过催化Ferrihydrite的溶解过程,从而加速整个相转化过程.对该过程的深入研究将对认识和了解自然条件下铁氧化物的形成与相互转化具有重要意义.

关键词：铁氧化物 Ferrihydrite相转化工艺催化作用热力学稳定性晶化度温度

以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

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功能材料 2004年第5期35卷 613-614,617页

作者：黄锐林璇英余云鹏林揆训姚若河黄文勇魏俊红王照奎余楚迎汕头大学物理系广东汕头515063 华南理工大学应用物理系广东广州510641 广东韩山师范学院物理系广东潮州521041

　报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度... 详细信息

　报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大。通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1。

关键词：多晶硅薄膜 SiCl4 生长速率晶化度

硅源对ITQ-13分子筛水热合成的影响(英文)

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物理化学学报 2009年第11期25卷 2275-2278页

作者：徐臣管景奇吴淑杰阚秋斌吉林大学化学学院长春130023

通过三种硅源,正硅酸已脂(TEOS)、胶体二氧化硅、气相法白炭黑,成功地合成出ITQ-13分子筛,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、BET表面积测试和氘代乙腈吸附等方法对合成的材料进行表征.结果表明,用硅胶和白炭黑为硅源合成出的IT... 详细信息

通过三种硅源,正硅酸已脂(TEOS)、胶体二氧化硅、气相法白炭黑,成功地合成出ITQ-13分子筛,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、BET表面积测试和氘代乙腈吸附等方法对合成的材料进行表征.结果表明,用硅胶和白炭黑为硅源合成出的ITQ-13具有较好的晶化度和较大的晶体尺寸.

关键词：晶化度硅源 ITQ-13分子筛

用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

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物理学报 2004年第5期53卷 1558-1561页

作者：林璇英黄创君林揆训余运鹏余楚迎黄锐汕头大学物理系汕头515063

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的... 详细信息

用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 .

关键词：拉曼散射光谱多晶硅薄膜晶体结构射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术晶化度

关于FINEMET软磁合金晶化处理的DSC分析

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材料热处理学报 2002年第3期23卷 65-68页

作者：周效锋陶淑芬刘佐权曲靖师范学院物理系云南曲靖655000 云南大学材料系云南昆明650091

对Fe73 5Cu1 Nb3 Si1 3 5B9非晶合金原带和经 52 0℃等温退火处理的样品进行了DSC分析以及重复DSC分析。对非晶合金原带的激波处理样品作了对比DSC分析。将原始非晶合金原带在上述处理中的晶化速率和晶化分数作了对比并结合晶化机理... 详细信息

对Fe73 5Cu1 Nb3 Si1 3 5B9非晶合金原带和经 52 0℃等温退火处理的样品进行了DSC分析以及重复DSC分析。对非晶合金原带的激波处理样品作了对比DSC分析。将原始非晶合金原带在上述处理中的晶化速率和晶化分数作了对比并结合晶化机理进行了讨论。结果表明。

关键词： DSC分析非晶合金晶化晶化度示差扫描量热分析

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氢等离子体加热法晶化a-Si∶H薄膜

功能材料 2004年第5期35卷 662-664页

作者：陈城钊林璇英林揆训余云鹏余楚迎浙江大学理学院物理系浙江杭州310027 汕头大学物理系广东汕头515063

　利用氢等离子体加热晶化n+ a Si∶H/a Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响。结果表明,随着射频氢等离子功率... 详细信息

　利用氢等离子体加热晶化n+ a Si∶H/a Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响。结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势。

关键词：多晶硅薄膜氢等离子体加热退火工艺晶化度

不同热处理条件下Fe非晶涂层组织和硬度变化

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有色金属（冶炼部分） 2008年第S1期 74-78页

作者：樊自拴祝军孙冬柏王山松北京科技大学腐蚀与防护中心北京100083 北京桑尧科技开发有限公司北京100083

用Fe基非晶粉末作为喷涂材料,利用一种新型的活性燃烧高速燃气喷涂技术(AC-HVAF)在0Cr13Ni5Mo不锈钢上制备了一种高非晶含量的Fe基非晶涂层,采用不同的热处理工艺来使喷涂的非晶涂层晶化,利用DSC分析来测定热处理后涂层中非晶和结晶形... 详细信息

用Fe基非晶粉末作为喷涂材料,利用一种新型的活性燃烧高速燃气喷涂技术(AC-HVAF)在0Cr13Ni5Mo不锈钢上制备了一种高非晶含量的Fe基非晶涂层,采用不同的热处理工艺来使喷涂的非晶涂层晶化,利用DSC分析来测定热处理后涂层中非晶和结晶形成的纳米晶之间的比例,用XRD观察涂层的晶体结构,场发射扫描电镜观察热处理后涂层的晶化状态,显微硬度仪测试涂层的显微硬度。试验结果表明:随着温度的升高涂层的晶化程度不断的增加,析出尺寸约为二十几纳米左右的纳米晶组织。在600～610℃热处理时,涂层晶化析出Cr_(15.58)Fe_(7.42)C_6相和Fe_7C_3相,而在615～630℃时,则主要为Fe_(23)(C,B)6相、Fe_(23)B_6相、Fe_(-)Cr相和原有的Fe_7C_3相。而随着温度的升高,涂层的显微硬度呈非线性的变化趋势。

关键词： AC-HVAF 非晶合金涂层晶化度