检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

提高敏感器件性能的措施

压电与声光 1994年第3期16卷 27-30页

作者：刘显战张书刚张巧云钟青四川压电与声光技术研究所

本文从影响敏感器件性能的主要弱点着手，采取扩大和加深振梁节点孔径的设计方案。实验结果表明采用此方案研制的敏感器件，其读出、阻尼面的增益和Ｑ值有明显提高。

关键词：敏感器件角速率传感器性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

非晶硅敏感器件研究进展

传感技术学报 1992年第4期5卷 58-63页

作者：田敬民陕西机械学院自动化工程系

非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α... 详细信息

非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此。

关键词：敏感器件非晶硅研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

硅电容微差压敏感器件封装工艺研究

仪表技术与传感器 2013年第12期 138-140页

作者：李颖张治国张娜刘剑周磊张哲沈阳仪表科学研究院有限公司辽宁沈阳110043

文中从应用开发MEMS产品的实用角度出发,介绍硅电容微差压敏感器件的封装工艺技术。文中给出了该器件的工作原理及结构特点,从封装的角度论述了固定极板的加工技术,并结合该器件的结构特点,讨论了适于小间隙、微结构芯片封装的等电位静... 详细信息

文中从应用开发MEMS产品的实用角度出发,介绍硅电容微差压敏感器件的封装工艺技术。文中给出了该器件的工作原理及结构特点,从封装的角度论述了固定极板的加工技术,并结合该器件的结构特点,讨论了适于小间隙、微结构芯片封装的等电位静电封接、双面同时静电封接等关键技术。该工艺技术已成功应用于硅电容微差压传感器的研制,效果良好,在结构型力敏器件的研制领域具有很好的推广应用价值。

关键词：硅电容微差压敏感器件封装工艺

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多功能复合敏感器件的物理特性分析

传感器技术 2000年第4期19卷 11-13,16页

作者：林建斌华侨大学电气技术系福建泉州362011

叙述多功能敏感器件内在结构的基本特性。并指出利用复合化、薄膜化和集成化等工艺设施 ,可开发多功能敏感材料 ,其潜在的资源丰富 ,可拓宽其应用范围。前景美好。

关键词：敏感器件敏感材料物理特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

敏感器件材料

仪表材料 1985年第1期 8-13页

作者：康昌鹤吉林大学电子科学系

本文介绍了敏感器件材料的发展情况,其中包括半导体材料、半导体陶瓷材料、有机材料、生化材料及超导材料等敏感器件材料。

关键词：敏感器件禁带宽度陶瓷半导体晶态热敏器件

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

敏感器件表面可凝结污染物的分析研究

真空与低温 2007年第4期13卷 209-212页

作者：王鹢姚日剑颜则东郭兴全小平兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室甘肃兰州730000

空间环境下,材料出气产生的可凝结物质极易粘附于敏感器件表面形成污染。本文研究了空间模拟环境下敏感器件因污染引起表面电阻增大的负面现象。为进一步控制表面电阻增大的现象,达到污染防护和控制的目的,建立了一整套敏感器件表面可... 详细信息

空间环境下,材料出气产生的可凝结物质极易粘附于敏感器件表面形成污染。本文研究了空间模拟环境下敏感器件因污染引起表面电阻增大的负面现象。为进一步控制表面电阻增大的现象,达到污染防护和控制的目的,建立了一整套敏感器件表面可凝结污染物成分分析的方法,对表面的可凝结污染物进行定性分析。结果表明:引起表面电阻增大的主要污染源有硅橡胶GD414、704胶、电连接器内白色绝缘体、电连接器内红色绝缘体等几种材料;沉积到滑环表面上的主要成分有苯、邻苯二甲酸脂、环己胺、聚硅氧烷等,这些物质沉积到器件表面,可明显增大表面电阻。因此,建议使用过程中,考虑更换低出气率的材料,对一些必须要用的材料,在其结构设计中应考虑污染的因素,避免材料直接面对器件表面,以及使用前进行适当的预出气处理。

关键词：材料出气敏感器件可凝结污染物成分分析污染源控制方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

敏感器件封装成品率提高案例研究

微纳电子与智能制造 2024年第1期6卷 65-69页

作者：夏培雄刘小红马书嫏华润上华科技有限公司无锡214028 无锡华润微电子有限公司无锡214061

随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA... 详细信息

随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA(failure mode and effects analysts)和DOE(design of experiments)等质量工具,确认该问题与封装键合顺序和黏合剂有关。通过调整键合顺序和更换所使用的黏合剂,有效地解决了敏感器件封装低良的问题。该案例为同行业提供了借鉴。

关键词：敏感器件键合顺序黏合剂封装良率