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插层化合物Cu0.38NbSe2的固相合成及其摩擦学性能研究

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稀有金属 2013年第4期37卷 605-610页

作者：胡志立李长生唐华陈琳王芬霍生伟江苏大学机械工程学院江苏镇江212013 江苏大学材料科学与工程学院江苏省摩擦学重点实验室江苏镇江212013

将硒粉和铌粉按一定化学计量比混合,随后在800℃下固相反应生成NbSe2粉末;将得到的NbSe2粉末与一定量的Cu粉在QMISP2型球磨机上球磨9 h(转速200 r·min-1)混合均匀,干燥后放入固相反应釜中,再在800℃下固相反应得到Cu0.38NbSe2粉末;利用... 详细信息

将硒粉和铌粉按一定化学计量比混合,随后在800℃下固相反应生成NbSe2粉末;将得到的NbSe2粉末与一定量的Cu粉在QMISP2型球磨机上球磨9 h(转速200 r·min-1)混合均匀,干燥后放入固相反应釜中,再在800℃下固相反应得到Cu0.38NbSe2粉末;利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析了Cu0.38NbSe2粉末样品的相成分和微观形貌。与此同时,将Cu0.38NbSe2粉末作为润滑油添加剂添加到液体石蜡油中,采用UMT-2摩擦磨损试验机测定了其摩擦学性能。结果表明:产物Cu0.38NbSe2仍然具有母体NbSe2的六方结构,但尺寸变大并发生团聚;由此可以推断出NbSe2将会完全与基体Cu反应生成插层化合物CuxNbSe2(0

关键词： NbSe2 Cu0 38NbSe2 插层化合物润滑油添加剂合成摩擦学性能

插层化合物LiV_2O_4的制备与实验研究

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物理学报 1990年第10期39卷 1647-1652页

作者：刘在海张文彬王刚北京师范学院物理系北京100037 首都钢铁公司职工大学北京100041 中国科学院物理研究所北京100080

用化学方法从层状化合物LiVO_2中引出0.5个Li后得到Li_(0.5)VO_2,再经过低温真空热处理制备出尖晶石结构化合物LiV_2O_4,类似地处理Li_(0.465)VO_2,得到缺Li的Li_(0.93)V_2O_4,LiV_2O_4和Li_(0.93)V_2O_4的x射线粉末衍射数据表明,二者... 详细信息

关键词：插层化合物 LiV2O4 制备实验

热处理制备Cr_2O_3-石墨插层化合物的研究

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材料热处理学报 2007年第B8期28卷 302-305页

作者：张艳刘旭光许并社太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室

以三氧化铬(CrO_3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr_2O_3)石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO_3与石墨形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表... 详细信息

以三氧化铬(CrO_3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr_2O_3)石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO_3与石墨形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用物理的方法使一些非碳反应物(原子、分子、离子、或粒子团)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构,使产物出现新的物理性质和化学性质。X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中。

关键词：石墨 CrO3 插层化合物热处理 XRD XPS

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插层化合物钨青铜单晶的生长

物理学报 1989年第5期38卷 846-848页

作者：李立曼王刚北京钢铁学院中国科学院物理研究所

本工作对插层化合物钨青铜单晶生长过程中的一些现象进行了仔细的观察.对电流、温度、时间对单晶生长的影响进行了摸索,找到了单晶生长的最佳条件.利用熔盐电解法成功地生长出K_xWO_3,Na_yWO_3和K_xNa_yWO_3.

关键词：插层化合物钨青铜单晶

插层化合物LiVO_2的合成及物理性能的研究

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物理学报 1990年第1期39卷 138-142页

作者：王刚刘在海高景芝张文彬中国科学院物理研究所北京100080 北京师范学院北京100037 首都钢铁公司职工大学北京100041

本文用固态反应方法成功地合成了插层化合物LiVO_2。进行了成分配比实验、元素定量化学分析和X射线粉末衍射分析。最后对结果进行了讨论。

关键词：插层化合物 LiVO2 合成物理性能

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插层化合物钨青铜单晶的物理研究

物理学报 1989年第5期38卷 849-852页

作者：李立曼王刚北京钢铁学院中国科学院物理研究所

本工作利用X射线衍射分析、电导测量、红外、喇曼散射等手段,对用熔盐电解法生长的K_xWO_3,Na_yWO_3和K_xNa_yWO_3单晶进行了深入的研究,得出K_xNa_yWO_3是钠离子插入到K_xWO_3的结论,提出了K_xNa_yWO_3中离子扩散的机理.

关键词：插层化合物钨青铜单晶

烷基紫精/五氧化二钒插层化合物的组装、表征及磁性的研究

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化学学报 2006年第14期64卷 1456-1464页

作者：赖克强王一蕾杨帆孔爱国丁旵明单永奎华东师范大学化学系上海200062

以烷基紫精(alkylviologens;又称紫精或紫罗精)为有机客体、层状五氧化二钒为无机主体,在液、固两相反应体系中,利用I-与V5+的氧化还原反应,使烷基紫精阳离子通过静电引力作用进入被还原的五氧化二钒层板之间,形成一系列新颖的无机-有... 详细信息

以烷基紫精(alkylviologens;又称紫精或紫罗精)为有机客体、层状五氧化二钒为无机主体,在液、固两相反应体系中,利用I-与V5+的氧化还原反应,使烷基紫精阳离子通过静电引力作用进入被还原的五氧化二钒层板之间,形成一系列新颖的无机-有机插层化合物.并运用X射线粉末衍射(XRD)、红外(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射(UV-visDRS)等方法对其进行了表征.XRD分析结果证明,五氧化二钒的层间距随着烷基紫精中烷基链的增长而增大,但其结晶度随着烷基紫精阳离子中烷基链的增加而降低.XPS研究表明,该类材料中的钒是以V4+和V5+两种混合价态存在,氧原子处于三种不同的化学环境,这些现象说明烷基紫精阳离子的引入对五氧化二钒的骨架结构影响不大,主体五氧化二钒的层状结构保存完好;氮原子处于两种不同的化学环境,证实插层化合物中主客体之间相互修饰的协同效应,有可能起到了稳定客体分子激发态的作用,同时FT-IR光谱中芳香环特征谱带强度的变化也进一步证明了这一结论.UV-visDRS分析发现由于主客体的相互作用使插层化合物在紫外和可见光区域产生特殊的光吸收性质.从磁性研究的结果可以看出,在温度低于15K时,插层化合物RV2为反铁磁性的有序结构;当温度高于15K时,转变为顺磁性,表现出磁无序结构.

关键词：插层化合物五氧化二钒烷基紫精协同效应主-客体化合物

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第15届国际插层化合物会议在清华大学举行

新型炭材料 2009年第2期24卷 191-192页

作者：邹麟吕瑞涛康飞宇清华大学材料科学与工程系北京100084

This is a brief report on the 15th International Symposium on Intercalation Compounds(ISIC15),which was held in Tsinghua University,Beijing,May 11-15,2009.More than 210 experts from 19 countries and regions presented 294 contributions in ISIC15.The presentations covered 15 topics,including the mechanism,synthesis and applications of intercalation compounds and related materials.As with the previous ISIC conferences,scientists with a physical background were invited to present their research,which provided new insights into the intercalation phenomena and materials.Moreover,several new layered materials were highlighted in the conference,such as the highly crystalline graphene ribbons,and metal-organic frameworks.

关键词：插层化合物清华大学国际日本东京工业大学中国大陆组委会

插层化合物LixTiS2有序结构稳定性的第一性原理研究

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插层化合物LixTiS2有序结构稳定性的第一性原理研究

作者：裴海林河北工业大学

学位级别：硕士

本论文依据插层化合物中插层离子有序—无序相变的事实和插层离子的有序结构对材料性能的决定作用，选定插层离子的有序结构稳定性等问题为研究对象。 Materials Studio是一种比较先进的基于密度泛函理论的第一性原理材料模拟和计算软... 详细信息

本论文依据插层化合物中插层离子有序—无序相变的事实和插层离子的有序结构对材料性能的决定作用，选定插层离子的有序结构稳定性等问题为研究对象。 Materials Studio是一种比较先进的基于密度泛函理论的第一性原理材料模拟和计算软件，本论文就是利用这套软件对用密度波方法所确定的有序结构模型的稳定性进行了研究。具体操作是，根据插层化合物LiTiS已有的晶体结构参数，用Visualizer建立有序结构模型。选择合适的的参数设置，用CASTEP对该结构模型进行几何优化计算，得到对应的能量和晶格参数，而后计算结构模型的态密度和能带结构并进行分析，最终得出结论。计算结果发现：在三角晶格的有序结构中，形成能随Li离子浓度先减小后增加，其中3a×3a结构最稳定。晶格参数c随Li离子浓度单调增加。这与实验测试结果是一致的。这种影响源于Li离子与母体间的相互作用。在六角蜂窝晶格的有序结构中，晶格参数c随Li离子浓度先增加后减小。这种变化源于S原子对Li的屏蔽。对三维隔层结构与对应的二维结构的态密度的计算结果显示：它们的形状极其相似，仅在量值上有所区别。能带结构分析表明：三维隔层结构的导带宽度比对应得二维结构窄。这表明二维结构比三维隔层结构导电性要好。究其原因在于：三维隔层结构是在二维结构的基础上隔层去掉了Li离子，这相当于在二维结构态密度上产生了微扰，因此总态密度图相似。但由于隔层去除Li离子，使得晶体中导电电子数大量减少，以致三维隔层结构导电性能明显下降。

关键词：插层化合物 CASTEP 有序结构稳定性第一性原理