热处理制备Cr_2O_3-石墨插层化合物的研究

作     者：张艳 刘旭光 许并社 ZHANG Yan;LIU Xu-guang;XU Bing-she

作者机构：太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室 

出 版 物：《材料热处理学报》 (Transactions of Materials and Heat Treatment)

年 卷 期：2007年第28卷第B08期

页      面：302-305页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家973项目(2004CB217808) 国家自然科学基金项目(90306014 20471041) 山西省自然科学基金(2006021020) 

主　　题：石墨 CrO3 插层化合物 热处理 XRD XPS 

摘      要：以三氧化铬(CrO_3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr_2O_3)石墨的插层化合物(GICs)。运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO_3与石墨形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用物理的方法使一些非碳反应物(原子、分子、离子、或粒子团)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构,使产物出现新的物理性质和化学性质。X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中。