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    • 1 篇 电气工程
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 热积累
  • 1 篇 沟道宽度
  • 1 篇 轻掺杂漏极
  • 1 篇 快回电压
  • 1 篇 高功率微波

机构

  • 1 篇 北京航空航天大学

作者

  • 1 篇 夏同生
  • 1 篇 邵立汉

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=快回电压"
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沟道宽度对MOSFET高功率微波效应的影响
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引用
固体电子学研究与进展 2014年 第5期34卷 420-425页
作者： 邵立汉 夏同生 北京航空航天大学 电子信息工程学院北京100191
关于高功率微波(HPM)对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重视。通过Sentaurus TCAD软件对器件的三维模型进行模拟仿真,重点研究了器件宽度在高功率微波注入条件下... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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