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微电子封装点胶技术的研究进展

中国机械工程 2011年第20期22卷 2513-2519页

作者：孙道恒高俊川杜江江毅文陶巍王凌云厦门大学厦门361005

流体点胶是一种以受控的方式对流体进行精确分配的过程,它是微电子封装行业的关键技术之一。目前,点胶技术逐渐由接触式点胶向无接触式(喷射)点胶技术转变。从微电子封装过程的应用出发,对点胶技术的发展进行了概述;在对比各种点胶方式... 详细信息

流体点胶是一种以受控的方式对流体进行精确分配的过程,它是微电子封装行业的关键技术之一。目前,点胶技术逐渐由接触式点胶向无接触式(喷射)点胶技术转变。从微电子封装过程的应用出发,对点胶技术的发展进行了概述;在对比各种点胶方式的同时,重点介绍了无接触式喷射点胶技术,以及其中所涉及的关键技术,并提出了评价点胶品质的标准。

关键词：微电子封装流体点胶针头点胶无接触式喷射

微电子封装用SiCp/Al复合材料的中温钎焊

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粉末冶金材料科学与工程 2010年第3期15卷 219-224页

作者：常玲玲何新波吴茂曲选辉北京科技大学材料科学与工程学院

选用Al-Ag-Cu和Al-Si-Cu-Ni两种钎料,分析钎料的熔化特性和微观组织,并分别用于钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料,研究其结合机理。结果表明,Al-Ag-Cu和Al-Si-Cu-Ni都具有很好的熔化特性,熔点均在520~530℃之间,具有很窄的熔化温度区间... 详细信息

选用Al-Ag-Cu和Al-Si-Cu-Ni两种钎料,分析钎料的熔化特性和微观组织,并分别用于钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料,研究其结合机理。结果表明,Al-Ag-Cu和Al-Si-Cu-Ni都具有很好的熔化特性,熔点均在520~530℃之间,具有很窄的熔化温度区间。用这2种钎料钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料时,Ni镀层与Al基体发生反应生成Al3Ni和Al3Ni2化合物层,同时与钎料发生界面反应生成Al-Ni-Cu和Al-Ag-Cu等化合物,从而保证钎焊接头牢固的连接。钎料中的Ag和Cu元素穿过Ni(P)镀层,扩散到Al基体中,形成Al2Cu、Ag2Al等金属间化合物。

关键词：微电子封装 SiCp/Al复合材料钎焊金属间化合物

微电子封装中助焊剂残留物对无铅焊点电化学迁移的影响研究

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稀有金属 2012年第5期36卷 740-744页

作者：徐冬霞王东斌王彩芹韩飞河南理工大学材料科学与工程学院河南焦作454000 安泰科技股份有限公司北京100081 中兵光电科技股份有限公司北京100176

采用96.5Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊料以及一种免清洗助焊剂NCF(焊后不清洗)和一种水溶性助焊剂WSF(焊后清洗和焊后不清洗)分别焊接了3组PCB试件,进行了电化学迁移测试,评价助焊剂焊后残留物的绝缘可靠性。试验结果表明:使用NCF焊接后的第一组... 详细信息

采用96.5Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊料以及一种免清洗助焊剂NCF(焊后不清洗)和一种水溶性助焊剂WSF(焊后清洗和焊后不清洗)分别焊接了3组PCB试件,进行了电化学迁移测试,评价助焊剂焊后残留物的绝缘可靠性。试验结果表明:使用NCF焊接后的第一组试件和使用WSF焊接(焊接后清洗)的第三组试件可以满足标准要求;使用WSF焊接(焊接后未清洗)的第二组试件最终绝缘电阻值下降幅度最大,不符合标准要求,并且在高倍显微镜下观察试件发现有树枝晶生成,说明助焊剂残留物的存在使得试件在试验条件下发生了电化学迁移现象。分析探讨了电化学迁移发生的原因,认为电化学迁移与清洗工艺、助焊剂的成分、固体含量和酸度有关。

关键词：微电子封装助焊剂残留物无铅焊料电化学迁移

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微电子封装领域中合金润湿性测量的研究进展

材料导报 2005年第3期19卷 80-82,85页

作者：李松张同俊安兵华中科技大学模具技术国家重点实验室武汉430074

随着微电子封装领域中合金的使用,润湿性问题已成为封装可靠性的关键性问题,它的研究也涉及到材料学、材料物理、测试科学技术等基础研究领域。综述了目前合金润湿性的常用测量方法,着重介绍了润湿平衡法,最后利用基片曲率法,提出一种... 详细信息

随着微电子封装领域中合金的使用,润湿性问题已成为封装可靠性的关键性问题,它的研究也涉及到材料学、材料物理、测试科学技术等基础研究领域。综述了目前合金润湿性的常用测量方法,着重介绍了润湿平衡法,最后利用基片曲率法,提出一种新的光学方法来实时测量合金润湿性。

关键词：合金润湿性材料物理曲率法平衡法材料学测量方法微电子封装测试可靠性

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微电子封装实验技术的回顾及发展现状

实验力学 2002年第z1期17卷 223-244页

作者：史训清谢惠民戴福隆新加坡Gintic制造工程研究所北京航空航天大学北京100083 清华大学工程力学系北京100084

微电子封装,包括微电力系统及光电子封装,为实验力学开辟了新的研究应用领域,也对传统实验测试方法和测量技术提出挑战.本文讨论了微电子封装的发展趋势、微电子封装可靠性及相关力学问题.随后回顾了微观实验技术在微电子封装领域的发展... 详细信息

微电子封装,包括微电力系统及光电子封装,为实验力学开辟了新的研究应用领域,也对传统实验测试方法和测量技术提出挑战.本文讨论了微电子封装的发展趋势、微电子封装可靠性及相关力学问题.随后回顾了微观实验技术在微电子封装领域的发展,最后作者着重提出了一些提高微电子封装组件的可靠性的研究方法及思路.

关键词：微电子封装可靠性云纹干涉

微电子封装微尺度球栅阵列焊点三点弯曲应力应变分析

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机械强度 2016年第4期38卷 744-748页

作者：梁颖黄春跃殷芮黄伟李天明赵宏旺成都航空职业技术学院电子工程系成都610100 桂林电子科技大学机电工程学院桂林541004 桂林航天工业学院汽车与动力工程系桂林541004

建立了微尺度球栅阵列焊点三点弯曲应力应变有限元分析模型,在三点弯曲加载条件下,分析了焊点直径、焊点高度、焊盘直径和弯曲加载速率对焊点弯曲应力应变的影响。结果表明:焊点内最大弯曲应力应变随焊点直径、焊点高度和弯曲加载速率... 详细信息

建立了微尺度球栅阵列焊点三点弯曲应力应变有限元分析模型,在三点弯曲加载条件下,分析了焊点直径、焊点高度、焊盘直径和弯曲加载速率对焊点弯曲应力应变的影响。结果表明:焊点内最大弯曲应力应变随焊点直径、焊点高度和弯曲加载速率的增大而增大、随焊盘直径的增大而减小;在置信度为90%时,焊点直径对焊点内最大弯曲应力具有显著影响,焊点高度和焊盘直径对最大弯曲应力影响不显著,焊点直径对最大弯曲应力产生影响最大、焊盘直径对最大弯曲应力产生影响次之,而焊点高度对最大弯曲应力产生影响最小。

关键词：微电子封装球栅阵列焊点三点弯曲加载有限元分析应力应变

微电子封装用焊滴按需喷射装置设计及试验研究

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机械科学与技术 2015年第8期34卷 1244-1247页

作者：马倩齐乐华罗俊钟宋义西北工业大学机电学院西安710072 西北工业大学现代设计与集成制造教育部重点实验室西安710072

为满足先进电子线路柔性、快速钎焊,设计开发了机械振动式焊滴喷射装置,该装置由电磁驱动、焊滴喷射、同轴供气、温度控制等模块组成。采用锡铅合金进行了喷射试验,在供气流量7.5 L/min^10 L/min范围内,可制备出球形度较好的颗粒;通过... 详细信息

为满足先进电子线路柔性、快速钎焊,设计开发了机械振动式焊滴喷射装置,该装置由电磁驱动、焊滴喷射、同轴供气、温度控制等模块组成。采用锡铅合金进行了喷射试验,在供气流量7.5 L/min^10 L/min范围内,可制备出球形度较好的颗粒;通过调节振动参数,实现了单颗均匀微滴的可控稳定喷射;本文试验条件下焊滴飞行平均速度约为2.43 m/s,有利于焊滴充分铺展以充分钎焊,为高质量的电子线路快速钎焊奠定了基础。

关键词：微电子封装焊滴机械振动喷射速度

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微电子封装焊点疲劳失效研究综述

电子元件与材料 2020年第10期39卷 11-16,24页

作者：黄姣英曹阳高成北京航空航天大学可靠性与系统工程学院北京100191

微电子封装具有微型化、高密度、低成本和良好的电气性能的特点,焊点负责内部芯片与电路板间的电气和机械连接。由于生产设计过程中产生的缺陷或经受温度变化、振动和冲击等环境载荷,焊点易发生失效。本文总结了焊点常见的疲劳失效原因,... 详细信息

微电子封装具有微型化、高密度、低成本和良好的电气性能的特点,焊点负责内部芯片与电路板间的电气和机械连接。由于生产设计过程中产生的缺陷或经受温度变化、振动和冲击等环境载荷,焊点易发生失效。本文总结了焊点常见的疲劳失效原因,X射线、染色分析等失效分析技术可以实现失效焊点的精准定位,便于分析失效原因。随后,总结了焊点疲劳寿命预测模型的应用和研究现状,比较了各模型优缺点及适用范围,可为微电子封装的可靠性分析与评估提供理论指导。

关键词：微电子封装焊点综述疲劳失效寿命预测模型

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微电子封装金包银复合键合丝的微结构和性能

半导体技术 2018年第9期43卷 702-707页

作者：康菲菲周文艳吴永瑾杨国祥孔建稳裴洪营贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室昆明650106 昆明贵金属研究所昆明650106

采用固相复合及大塑性拉拔技术制备了线径0.020 mm的金包银复合键合丝,并利用扫描电子显微镜、双束电子显微镜、单轴拉伸实验、电阻率实验、键合实验、线弧挑断实验及焊球推力实验等对其微结构和性能进行表征。结果表明：金包银复合键... 详细信息

采用固相复合及大塑性拉拔技术制备了线径0.020 mm的金包银复合键合丝,并利用扫描电子显微镜、双束电子显微镜、单轴拉伸实验、电阻率实验、键合实验、线弧挑断实验及焊球推力实验等对其微结构和性能进行表征。结果表明：金包银复合键合丝的复层达到纳米级尺度,在芯材表面均匀连续覆盖,与芯材的界面结合力好。芯材横截面组织为等轴晶,晶粒细小弥散且内部有大量的板条状平行的退火孪晶。金包银复合键合丝具有较高的抗拉强度（230 MPa）和延伸率（15%）,其强化机制为界面强化和细晶强化,其电性能受表面/界面以及晶界散射的影响而变差。金包银复合键合线弧形稳定,具有较高的键合可靠性,其挑断力（7.79g）与焊球推力（49.7g）均满足微电子封装技术对键合丝的品质要求。

关键词：微电子封装金包银复合键合丝退火孪晶强度电性能键合性能