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高压合成双钙钛矿Y_(2)NiIrO_(6)中场冷诱导的巨磁电阻效应
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高压物理学报 2024年 第1期38卷 37-43页
作者: 彭毅 邓正 李文敏 史鲁川 赵建发 张俊 望贤成 靳常青 中国科学院物理研究所 北京100190 中国科学院大学物理学院 北京101408 河南省科学院量子材料与物理研究所 河南郑州450046
双钙钛矿材料Y_(2)NiIrO_(6)的亚铁磁转变温度为192 K,因其奇异的交换偏置效应而受到广泛关注。系统研究了Y_(2)NiIrO_(6)的低温晶体结构、电导行为及磁电阻性能,发现该材料在130 K时保持了290 K时的晶体结构,并在130~300 K的温区内表... 详细信息
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巨磁电阻效应
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深圳大学学报(理工版) 1997年 第1期14卷 37-42页
作者: 舒启清 白尔隽 深圳大学应用物理系
评介了磁电阻(GiantMagnetoresistance)效应的实验观测、理论分析及其在磁存储等技术中奇迹般的应用,着重阐述了电子自旋化输运的概念.
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巨磁电阻效应的非接触光学表征方法研究
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电子科技大学学报 2007年 第4期36卷 657-659页
作者: 钟智勇 刘爽 唐晓莉 石玉 张怀武 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054 电子科技大学光电信息学院 成都610054
根据自平均极限模型推导了在磁电阻薄膜中折射系数与自旋非对称因子的关系。用傅立叶变换红外光谱仪组建了磁折射效应测试装置,并测试了自旋阀多层薄膜(Si/PtMn/CoFe/Ru/CoFe/Cu/Co/NiFe)的磁折射效应。结果表明:在红外波段,可以用磁... 详细信息
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巨磁电阻效应
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真空与低温 2008年 第4期14卷 187-192页
作者: 高知丰 张兵临 马毓堃 姚宁 史新伟 王新昌 王爱华 陈刚 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 河南郑州450052
介绍了巨磁电阻效应的概念和研究意义,对金属及其合金的磁电效应、负巨磁电阻效应以及正磁电效应产生的机理进行了简要分析,并展望了巨磁电阻效应未来的研究。
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巨磁电阻效应
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河北科技大学学报 2003年 第2期24卷 5-8,35页
作者: 聂向富 马丽梅 郭革新 孙会元 唐贵德 河北师范大学物理学院 河北石家庄050016
重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些磁电... 详细信息
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巨磁电阻效应应用实验设计及实现
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大学物理实验 2022年 第3期35卷 19-22页
作者: 罗志高 中山大学公共实验教学中心 广东广州510275
设计了用手动和自动方式测量巨磁电阻效应及应用实验,完善实验内容和测量手段,加深了学生对磁电阻原理及应用认识,培养了学生多种分析问题和处理问题的能力。
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退火、稀土Pr对Pr_x(Co_(40)Ag_(60))_(100-x)颗粒膜的结构与巨磁电阻效应的影响
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稀有金属材料与工程 2011年 第6期40卷 1041-1044页
作者: 成钢 吴勇 顾正飞 成钧 郑富强 李锐锋 邓婷 桂林电子科技大学 广西桂林541004 广西信息材料重点实验室 广西桂林541004
采用磁控溅射法制备Prx(Co40Ag60)100-x颗粒膜。X射线衍射实验结果表明:稀土元素Pr有促进薄膜中溶于Ag中的Co发生相分离的作用,并且在退火过程Ag颗粒的聚集生长具有(111)轴择优取向的颗粒膜;磁电阻(GMR)效应测量结果表明:当退火温度... 详细信息
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高度取向石墨的巨磁电阻效应
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物理学报 2004年 第4期53卷 1191-1194页
作者: 都有为 王志明 倪刚 邢定钰 徐庆宇 南京大学固体微结构国家重点实验室 南京210093 中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室 北京100080
石墨是准二维半金属材料 ,然而在通常细晶粒、无取向的石墨中并没有发现很大的磁电效应 .在高度取向的石墨中发现了大的正磁电效应 ,在 8.15T的外磁场中 ,4 2 ,3 0 0K温度下的磁电阻分别高达 853 0 0 %和 4950 % .生产这一磁电... 详细信息
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磁性多层薄膜系统中的巨磁电阻效应
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物理学报 1999年 第3期48卷 511-519页
作者: 董正超 赵树宇 淮阴师范学院物理系
考虑到量子尺寸效应以及来自杂质、粗糙表面、粗糙界面三方面的散射,运用量子统计格林函数方法和久保理论,计算了磁性多层薄膜系统中的磁电阻,讨论了磁电阻随非磁层厚度作周期性振荡,以及在(Fe/Cr)N/Fe系统中磁电... 详细信息
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两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究
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物理学报 2000年 第2期49卷 328-333页
作者: 卢正启 柴春林 赖武彦 中国科学院物理研究所 凝聚态物理中心和磁学国家重点实验室北京100080 北京科技大学应用科学学院 北京100083
采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值~26%,交换耦合场~28kA/m,层间耦合场~01kA/m.自旋阀的下部(缓冲层(Ta)/自由层(NiFe)/中间隔离层(Cu))... 详细信息
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